Ag合金溅射靶、Ag合金溅射靶的制造方法、Ag合金膜及Ag合金膜的制造方法技术

本发明专利技术的Ag合金溅射靶具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。并且，本发明专利技术的Ag合金膜具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于形成Ag合金膜的Ag合金溅射靶、Ag合金溅射靶的制造方法、Ag合金膜及Ag合金膜的制造方法，所述Ag合金膜例如可应用于显示器或触控面板用的透明导电膜或光学功能膜的金属薄膜等中。本申请主张基于2014年9月18日于日本申请的申请专利2014-190278号及2015年9月7日于日本申请的申请专利2015-175725号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
通常，在触控面板或太阳能电池、有机EL器件等电子器件中广泛地使用经图案化的透明导电膜。Ag或在Ag中添加元素的Ag合金为具有优异的导电性的材料，并且在成膜薄的情况下能够获得优异的透过率，因此期待应用到这些电子装置的透明导电膜中(参考专利文献1)。并且，在红外截止或显示装置等领域中使用光学功能膜，作为这种光学功能膜，已知有被称为所谓的多层膜类型的透明层叠膜：该透明层叠膜在透明高分子膜的一面上交替层叠有由金属氧化物构成的高折射率薄膜和金属薄膜。作为这种光学功能膜的金属薄膜的材料也可以使用Ag或Ag合金(参考专利文献2)。然而，Ag及Ag合金具有因制造工艺及使用过程中的环境的湿气、硫等引起的腐蚀所导致的特性变差、以及容易发生膜外观变化(斑点等)的问题。若为像用于半透膜的膜厚(15nm以下)，则这些问题显现得尤为显著，且因在膜表面附着微粒而引起的膜凝聚所导致的斑点的产生也成为问题。因此，专利文献3及专利文献4中提出一种改善了耐环境性的Ag合金膜。专利文献3中提出一种在Ag中添加了铂、钯、金、铑、钌、铱等贵金属的Ag合金膜。并且，专利文献4中提出一种含有Bi的同时还含有选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn中的至少一种元素的Ag合金膜。专利文献1：日本特开平07-114841号公报专利文献2：日本特开2006-328353号公报专利文献3：日本再公表WO2006/132413号公报专利文献4：日本特开2005-332557号公报然而，专利文献3中记载的Ag合金膜使用贵金属来作为添加元素，因此存在材料成本较高的难点。并且，专利文献4中记载的Ag合金膜的吸收率比较高，且光学特性不充分。尤其，最近要求进一步提高上述透明导电膜及光学功能膜的金属薄膜的视觉透过率，无法用以往的Ag合金膜进行应对。并且，还要求用于有机EL器件等电子器件的透明导电膜具有优异的导电性(电特性)。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够进行电特性、光学特性及耐环境性优异的Ag合金膜的成膜的Ag合金溅射靶、Ag合金溅射靶的制造方法、Ag合金膜及Ag合金膜的制造方法。为了解决上述课题，本专利技术的第一方式所涉及的Ag合金溅射靶的特征在于，具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。根据本专利技术的第一方式所涉及的Ag合金溅射靶，其具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成，因此能够抑制Ag的凝聚，且能够形成大幅改善了耐环境性的Ag合金膜。并且，由于含有Sn，因此能够抑制Ag合金膜的光学特性在湿热环境下下降。此外，由于含有Cu，因此能够抑制Ag合金膜的电特性在湿热环境下下降。在此，本专利技术的第一方式所涉及的Ag合金溅射靶中，优选所述不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr、Fe、Co的总含量为100质量ppm以下。该情况下，将所述不可避免的杂质中对Ag的固溶度较小的元素Na、Si、V、Cr、Fe、Co的总含量限制在100质量ppm以下，因此能够抑制这些元素偏析于晶界，且能够抑制溅射时异常放电的产生。并且，成膜后的Ag合金膜中，这些元素偏析于晶界的现象也得到抑制，因此能够抑制Ag合金膜的耐环境性下降。并且，本专利技术的第一方式所涉及的Ag合金溅射靶中，优选所述不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr、Fe、Co各元素的含量为30质量ppm以下。该情况下，由于将对Ag的固溶度较小的元素Na、Si、V、Cr、Fe、Co的各个元素的含量限制在30质量ppm以下，因此能够可靠地抑制溅射时异常放电的产生。并且，成膜后的Ag合金膜中，也能够可靠地抑制耐环境性的下降。此外，本专利技术的第一方式所涉及的Ag合金溅射靶中，优选溅射面上的平均晶体粒径为200μm以下，此外由Cu、Sn或它们的金属间化合物构成的偏析部的粒径小于1μm。该情况下，平均晶体粒径为200μm以下，因此在溅射面因溅射而被消耗时，能够缩小由晶体取向引起的溅射速率的差异而产生的凹凸，且能够抑制异常放电的产生。此外，由Cu、Sn或它们的金属间化合物构成的偏析部的粒径小于1μm，因此能够使长时间溅射时的溅射速率及成膜后的Ag合金膜中的成分组分稳定。另外，进一步优选组织中不存在该偏析部。并且，本专利技术的第一方式所涉及的Ag合金溅射靶中，优选还含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Ti。该情况下，添加有0.1原子％以上的Ti，因此能够大幅提高对于成膜后的Ag合金膜的耐化学性。并且，Ti的添加量限制在3.0原子％以下，因此能够抑制成膜后的Ag合金膜的光学特性及电特性的变差。本专利技术的第二方式所涉及的Ag合金溅射靶的制造方法的特征在于，该Ag合金溅射靶的制造方法为上述Ag合金溅射靶(具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成，溅射面上的平均晶体粒径为200μm以下，此外由Cu、Sn或它们的金属间化合物构成的偏析部的粒径小于1μm的Ag合金溅射靶)的制造方法，具有：熔化铸造工序，制作Ag合金铸锭；轧制工序，对所得到的Ag合金铸锭进行轧制；及热处理工序，轧制之后进行热处理，所述热处理工序中热处理温度在650℃以上且750℃以下的范围内。根据该结构的Ag合金溅射靶的制造方法，所述热处理工序中热处理温度为650℃以上，因此能够使Cu、Sn扩散并消除偏析，且能够缩小由Cu、Sn或它们的金属间化合物构成的偏析部。并且，所述热处理工序中热处理温度为750℃以下，因此能够抑制晶粒的粗化。本专利技术的第三方式所涉及的Ag合金膜的特征在于，具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。根据该结构的Ag合金膜，具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成，因此电特性、耐环境性及光学特性优异，由此作为透明导电膜或光学功能膜的金属薄膜等尤为合适。本专利技术的第三方式所涉及的Ag合金膜中，优选视觉透过率为70％以上，视觉吸收率为10％以下。该情况下，视认性优异，由此能够适宜用作各种显示器和触控面板的透明导电膜或光学薄膜的金属薄膜。本专利技术的第三方式所涉及的Ag合金膜中，优选薄膜电阻值为40Ω/□以下。该情况下，作为导电性优异的透明导电膜，能够应用于各种显示器或触控面板的电极膜和配线膜中。本专利技术的第三方式所涉及的Ag合金膜中，优选膜厚在4nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ag合金溅射靶，其特征在于，具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.18 JP 2014-190278;2015.09.07 JP 2015-175721.一种Ag合金溅射靶，其特征在于，具有如下组分：含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。2.根据权利要求1所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，所述不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr、Fe、Co的总含量为100质量ppm以下。3.根据权利要求1或2所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，所述不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr、Fe、Co各元素的含量为30质量ppm以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，溅射面上的平均晶体粒径为200μm以下，此外，由Cu、Sn或它们的金属间化合物构成的偏析部的粒径小于1μm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，该Ag合金溅射...

【专利技术属性】
技术研发人员：岁森悠人，野中荘平，松崎秀治，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP