多点分支总线上的存储器电路配置制造技术

技术编号:15190804 阅读:65 留言:0更新日期:2017-04-19 23:51
公开了多点分支总线上的存储器电路配置方案。在本文所公开的诸方面,在存储器电路中提供了管芯上映射逻辑。存储器控制器在多点分支总线上与管芯上映射逻辑通信。管芯上映射逻辑被配置成在被访问之前从该存储器控制器接收预定的管芯上终接(ODT)值。响应于接收到预定ODT值,存储器电路将管芯上终接设置为该预定ODT值并且指令管芯上参考信号发生器生成与该预定ODT值相关联的预定参考信号。预定参考信号提供最优参考电压以用于在存储器电路处实现期望的均衡设置,由此辅助保持信号完整性。这种改善的信号完整性减少访问存储器电路时的错误,由此导致多点分支总线上的改进的效率和数据吞吐量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】优先权要求本申请要求于2014年8月11日提交的题为“MEMORYCIRCUITCONFIGURATIONSCHEMESONMULTI-DROPBUSES(多点分支总线上的存储器电路配置)”的美国专利申请序列号14/456,216的优先权,其通过援引整体纳入于此。背景I.公开领域本公开的技术一般涉及在多点分支(multi-drop)总线上访问电路。II.
技术介绍
现代电子设备(例如,计算机、膝上型设备、智能电话等)均要求大量用于应用处理和数据存储需求的板载存储器。一种类型的板载存储器被称为同步动态随机存取存储器(SDRAM)。SDRAM技术的进步已经导致一类高密度、高吞吐量双数据率(DDR)SDRAM。DDRSDRAM的最新近版本包括个人计算机(PC)DDR-3、低功率(LP)DDR-3、PCDDR-4、以及LPDDR-4。DDRSDRAM集成电路(IC)往往被封装成集成存储器模块(通常被称为双列直插式存储器模块(DIMM))。通常需要多个DIMM以提供消耗存储器的电子设备所需的大量板载存储器。通过设计,多点分支存储器总线被配置成提供到多个DIMM的连接。具体而言,存储器控制器在存储器总线上与每个DIMM通信,其中DIMM与多点分支存储器总线上的每个分支相关联。取决于总线拓扑,在目标DIMM处所经历的电气特性可取决于哪个DIMM是目标DIMM而显著变化。即,由不同的几何形状创建的阻抗变化、与总线上的桩相关联的反射、以及其他不协调均可对在发信号通知第一DIMM时具有第一信号简档和在发信号通知第二DIMM时具有第二信号简档的总线作出贡献。虽然最新近版本的DDRSDRAM提供动态管芯上终接,这允许存储器控制器取决于存储器控制器当前正在向哪个设备写入而独立地重新配置存储器终接,但是经验证据建议均衡方法遭受对于所有潜在连接的协同优化的要求,从而导致受损害的解决方案,该解决方案尽管一般对于所有连接而言是可接受的,但是对于任何特定连接而言是次优的。公开概述详细描述所公开的诸方面包括多点分支总线上的存储器电路配置方案。在本文所公开的诸方面,在存储器电路中提供了管芯上映射逻辑。存储器控制器在多点分支总线上与管芯上映射逻辑通信。管芯上映射逻辑被配置成从存储器控制器接收预定的管芯上终接(ODT)值。预定的ODT值将常常以多比特数字的格式从存储器控制器得到,作为并行比特或顺序比特。该预定的ODT值是在从存储器电路的存储器列(rank)进行读取或者向存储器电路的存储器列进行写入之前被提供的。响应于接收到预定的ODT值,存储器电路将管芯上终接设置为该预定的ODT值。管芯上映射逻辑被进一步配置成指令管芯上参考信号发生器生成与从存储器控制器接收到的预定的ODT值相关联的预定参考信号。预定参考信号提供最优参考电压以用于在存储器电路处实现期望的均衡设置。通过动态地调节管芯上终接和预定参考信号,本公开的诸方面辅助保持信号完整性。这种改善的信号完整性减少了向存储器写入信号时或从存储器电路读取数据时的错误,由此导致多点分支总线上的改进的效率和数据吞吐量。鉴于此,在一个方面,公开了一种存储器电路。该存储器电路包括管芯上参考信号发生器。该存储器电路还包括管芯上映射逻辑。管芯上映射逻辑被配置成在第一通信信道上接收ODT值。管芯上映射逻辑还被配置成指令管芯上参考信号发生器产生与该ODT值相关联的预定参考信号。存储器电路还包括配置成基于该预定参考信号来均衡在第二通信信道上接收到的数据信号的接收机。在另一个方面,公开了一种存储器电路装置。该存储器电路装置包括用于管芯上参考信号生成的装置。该存储器电路装置还包括用于管芯上映射的装置。用于管芯上映射的装置被配置成在第一通信信道上接收ODT值。用于管芯上映射的装置还被配置成指令用于管芯上参考信号生成的装置产生与该ODT值相关联的预定参考信号。存储器电路装置还包括用于接收的装置,其被配置成基于该预定参考信号来均衡在第二通信信道上接收到的数据信号。在另一方面,公开了一种用于在访问经校准的存储器电路之前在多点分支总线上配置该经校准的存储器电路的方法。该方法包括由经校准的存储器电路中的管芯上映射逻辑来接收预定ODT值。该方法还包括基于该预定ODT值来从查找表中检索预定参考信号值。该方法还包括指令管芯上信号发生器基于该预定参考信号值来生成预定参考信号。在另一方面,公开了一种多点分支存储器系统。该多点分支存储器系统包括多点分支总线,其包括命令总线和数据总线。该多点分支存储器系统还包括连接至该多点分支总线的存储器控制器。该多点分支存储器系统还包括连接至该多点分支总线的至少一个存储器电路。该至少一个存储器电路包括管芯上映射逻辑,其被配置成在命令总线上从存储器控制器接收控制信号,并且生成指令信号。该至少一个存储器电路还包括管芯上参考信号发生器,其被配置成接收该指令信号并且生成预定参考信号。该至少一个存储器电路还包括接收机,其被配置成接收该预定参考信号以及在数据总线上接收从存储器控制器接收到的数据信号。附图简述图1是包括一对双列直插式存储器模块(DIMM)的示例性多点分支存储器系统的示意图;图2是解说包括存储器控制器和存储器电路的示例性多点分支存储器系统的示意图,该存储器电路被配置成基于预定的管芯上终接(ODT)值来动态地调节参考信号以提供对所接收到的数据信号的合适均衡;图3是解说配置成将预定ODT值映射为预定参考信号值的示例性查找表的数据结构;图4是解说用于校准和配置图1中的DIMM以供读取和写入操作的校准和预访问配置过程的流程图;图5是解说用于校准和配置图2中的存储器电路以供读取和写入操作的示例性校准和预访问配置过程的流程图;图6A是解说在最优参考信号(V参考)被提供给DIMM处的预定均衡(EQ)设置时的最优数据眼图的示例性标绘图;图6B是解说图2中的存储器电路中所采用的动态管芯上参考信号调节方案可如何辅助恢复因非最优参考信号(V参考)而导致的经降级数据眼图的示例性标绘图;以及图7是可包括图2的存储器电路的示例性的基于处理器的系统的框图。详细描述现在参照附图,描述了本公开的若干示例性方面。措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何方面不必被解释为优于或胜过其他方面。详细描述所公开的诸方面包括多点分支总线上的存储器电路配置方案。在本文所公开的诸方面,在存储器电路中提供了管芯上映射逻辑。存储器控制器在多点分支总线上与管芯上映射逻辑通信。管芯上映射逻辑被配置成从存储器控制器接收预定的管芯上终接(ODT)值。该预定ODT值将常常以多比特数字的格式从存储器控制器得到,作为并行比特或顺序比特。该预定ODT值是在从存储器电路的存储器列(rank)读取或者向存储器电路的存储器列写入之前被提供的。响应于接收到该预定ODT值,存储器电路将管芯上终接设置为预定ODT值。管芯上映射逻辑被进一步配置成指令管芯上参考信号发生器生成与从存储器控制器接收到的预定ODT值相关联的预定参考信号。预定参考信号提供最优参考电压以用于在存储器电路处实现期望的均衡设置。通过动态地调节管芯上终接和预定参考信号,本公开的诸方面辅助保持信号完整性。这种改善的信号完整性减少向存储器写入信号时或从存储器电路读取数据时的错误本文档来自技高网...
多点分支总线上的存储器电路配置

【技术保护点】
一种存储器电路,包括:管芯上参考信号发生器;管芯上映射逻辑,配置成:在第一通信信道上接收管芯上终接(ODT)值;以及指令所述管芯上参考信号生成器产生与所述ODT值相关联的预定参考信号;以及配置成基于所述预定参考信号来均衡在第二通信信道上接收到的数据信号的接收机。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.11 US 14/456,2161.一种存储器电路,包括:管芯上参考信号发生器;管芯上映射逻辑,配置成:在第一通信信道上接收管芯上终接(ODT)值;以及指令所述管芯上参考信号生成器产生与所述ODT值相关联的预定参考信号;以及配置成基于所述预定参考信号来均衡在第二通信信道上接收到的数据信号的接收机。2.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,所述第一通信信道是多点分支总线中的命令总线。3.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,所述第二通信信道是多点分支总线中的数据总线。4.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,进一步包括配置成将至少一个ODT值映射为至少一个预定参考信号值的查找表。5.如权利要求4所述的存储器电路,其特征在于,所述查找表被包括在所述管芯上映射逻辑中。6.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,所述预定参考信号是电压参考信号(V参考)。7.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,所述存储器电路是双列直插式存储器模块(DIMM)。8.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,所述存储器电路是选自由以下各项构成的组中的双倍数据率(DDR)同步动态随机存取存储器(SDRAM):个人计算机(PC)DDR-3;低功率(LP)DDR-3;PCDDR-4;以及LPDDR-4。9.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,所述存储器电路被集成到选自由以下各项构成的组中的设备中:机顶盒;娱乐单元;导航设备;通信设备;固定位置数据单元;移动位置数据单元;移动电话;蜂窝电话;计算机;便携式计算机;台式计算机;个人数字助理(PDA);监视器;计算机监视器;电视机;调谐器;无线电;卫星无线电;音乐播放器;数字音乐播放器;便携式音乐播放器;数字视频播放器;视频播放器;数字视频碟(DVD)播放器;以及便携式数字视频播放器。10.一种电路,包括:管芯上参考信号发生器;管芯上映射逻辑,配置成:在第一通信信道上接收管芯上终接(ODT)值;以及指令所述管芯上参考信号生成器产生与所述ODT值相关联的预定参考信号;以及配置成基于所述预定参考信号来均衡在第二通信信道上接收到的数据信号的接收机。11.一种用于在访问经校准的存储器电路之前在多点分支总线上配置所述经校准的存储器电路的方法,所述方法包括:由经校准的存储器电路中的管芯上映射逻辑来接收预定管芯上终接(ODT)值;基于所述预定ODT值来从查找表中检索预定参考信号值;以及指令管芯上参考信号发生器基于所述预定参考信号值来生成预定参考信号。12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括应用所述预定ODT值以提供管芯上终接。13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括基于从所述管芯上参考信号发生器接收到的所述预定参考信号来均衡在所述多点分支总线上接收到的数据信号。14.一种多点分支存储器系统,包括:包括命令总线和数据总线的多点分支总线;连接至所述多点分支总...

【专利技术属性】
技术研发人员:T·M·霍利斯
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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