碳纳米管阵列的制备方法和碳纳米管膜的制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种碳纳米管阵列的制备方法和碳纳米管膜的制备方法。
技术介绍
碳纳米管是一种由石墨烯片卷成的中空管状物，其具有优异的力学、热学及电学性质，因此具有广阔的应用领域。由于单根碳纳米管的尺寸为纳米级，难于加以利用，人们尝试将多个碳纳米管作为原材料，制成具有较大尺寸的宏观碳纳米管膜。例如由多个碳纳米管形成的宏观膜状结构，如碳纳米管膜。公告号为CN101458975B的中国专利技术专利中揭露了一种从碳纳米管阵列中直接拉取获得的碳纳米管膜，这种碳纳米管膜具有较好的透明度，且具有宏观尺度并能够自支撑，其包括多个在范德华力作用下首尾相连的碳纳米管。由于这种直接从阵列中拉取获得的碳纳米管膜中碳纳米管基本沿同一方向延伸，因此能够较好的发挥碳纳米管轴向具有的导电及导热等各种优异性质，具有极为广泛的产业前景，例如可以应用于触摸屏（如中国专利CN101419518B）、液晶显示器（如中国专利CN101498865B）、扬声器（如中国专利CN101605289B）、加热装置（如中国专利CN101868066B）、薄膜晶体管（如中国专利CN1015824...
【技术保护点】
一种碳纳米管拼接阵列的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一代替基底及多个碳纳米管阵列，该多个碳纳米管阵列分别设置在多个生长基底的表面，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得碳纳米管膜从该碳纳米管阵列中连续地拉出；S2，将该多个碳纳米管阵列的第二表面设置在该代替基底的同一表面，并使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质；S3，使位于该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质固化变为固态介质；S4，通过移动该代替基底与该多个生长基底中的至少一方，使该代替基底与该多个生长基底相远离，...
【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管拼接阵列的制备方法，包括以下步骤：
S1，提供一代替基底及多个碳纳米管阵列，该多个碳纳米管阵列分别设置在多个生长基底的表面，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得碳纳米管膜从该碳纳米管阵列中连续地拉出；
S2，将该多个碳纳米管阵列的第二表面设置在该代替基底的同一表面，并使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质；
S3，使位于该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质固化变为固态介质；
S4，通过移动该代替基底与该多个生长基底中的至少一方，使该代替基底与该多个生长基底相远离，从而使该多个碳纳米管阵列与该多个生长基底分离，并转移至该代替基底；
S5，通过升温使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间再次形成一液态介质；以及
S6，将该多个碳纳米管阵列在该代替基底表面滑动，使该多个碳纳米管阵列的侧面相互接触，通过范德华力结合，形成一拼接阵列，该拼接阵列的形态能够使得碳纳米管膜从该拼接阵列的中连续地拉出。
2.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该碳纳米管膜包括多个首尾相连的碳纳米管。
3.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S2包括：
在该碳纳米管阵列的第二表面形成一层液态介质；以及
将该代替基底的表面接触该具有液态介质的第二表面。
4.如权利要求3所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S3包括以具有凝固点以下温度的代替基底接触该具有液态介质的第二表面。
5.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S2包括：
在该代替基底的表面形成一层液态介质；以及
将该代替基底具有液态介质的表面接触该碳纳米管阵列的第二表面。
6.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该液态介质为液滴或液膜，该液滴的直径以及液膜的厚度分别为10纳米~300微米。
7.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S3包括将该代替基底、液态介质、碳纳米...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏洋，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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