本发明专利技术提供一种VOx/M/VOx三明治结构薄膜制备VO2的方法。可制备得到非制冷焦平面红外探测器用的高性能B相结构VO2薄膜和智能窗用的M相VO2薄膜。随着中间金属层溅射时间的增长，薄膜展现了B相到M相的相变，室温和80℃红外区域透过率的差值达到30%以上，并且TCR(负电阻温度系数)从-2%/K增加到了-5%/K,室温方块电阻从70kΩ/□减小到了10kΩ/□。制备的薄膜的性能可以满足非制冷焦平面和智能窗等不同领域的应用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术通过三明治结构制备氧化钒热敏薄膜的制备方法，属于红外探测器与成像器件领域和节能材料领域。
技术介绍
氧化钒薄膜因为具有很高的电阻温度系数(TCR),适当大小的电阻，并且在相变前后其红外区域的透过率的变化非常明显，所以成为目前最广泛使用的非制冷红外探测器和智能窗用的热敏薄膜材料。二氧化钒M相薄膜在68℃具有半导体到金属相的转变，热滞回线易使器件运行混乱，相变过程中还伴有很大的热量变化，因此，制备出在室温下具有较高TCR，合适的方块电阻的氧化钒热敏薄膜成为了研究人员的重点研究对象。氧化钒薄膜可以用很多方法沉积得到。([1]Monfort,O.Appl.Surf.Sci.2014,322,21?27.[2]Mathevula,L.Appl.Surf.Sci.2014,314,476?480.[3]Jiang,M.ThinSolidFilms2014,562,314?318.)而磁控溅射法因为其制得薄膜高度的均匀性和高纯度被广泛使用。目前溅射使用最多的靶材为V金属靶和V2O5陶瓷靶，但是因为薄膜的氧含量受很多条件的影响，例如溅射时腔室内的氧分压，管式炉中残留的氧气，其都不能很好地控制薄膜的化学计量比。还有，在用V2O5陶瓷靶制备薄膜过程中，需要H2退火还原或者高真空，高温来制备均匀的VO2薄膜([4]Wang,Y.L.Surf.Coat.Technol.2007,201,6772?6776.)。VO2薄膜的化学计量比将影响其在相变过程中的相结构，富氧环境容易形成B相然而缺氧环境容易形成M相VO2薄膜。本专利技术即是针对氧化钒薄膜的氧含量难以控制这一问题，提供了一种在恰当的溅射和退火条件下能通过控制中间金属层的含量自动调节相结构的三明治结构VOx/M/VOx多层膜制备VO2的方法。同时中间高价金属阳离子还可以起到掺杂的效果提高薄膜的电学性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种VOx/M/VOx三明治结构薄膜制备VO2的方法，其特征在于具有如下的制备过程和步骤：a.首先用磁控溅射法在衬底上沉积三层薄膜：底层VOX：金属靶V反应沉积或V2O5陶瓷靶无氧分压直接沉积；厚度为50nm～100nm；磁控溅射法的工作压力为0.5Pa～1Pa；沉积时间为5min～20min；直流溅射功率为50W～200W，优选100W；射频溅射的功率为100W～300W，优选200W；中间金属层M：中间金属为V,或高价金属阳离子W；沉积厚度为2nm~5nm。上层VOX：金属靶V反应沉积或V2O5陶瓷靶无氧分压直接沉积；厚度为50nm～100nm；磁控溅射法的工作压力为0.5Pa～1Pa，沉积时间为5min～20min；直流溅射功率为50W～200W，优选100W；射频溅射的功率为100W～300W，优选200W；所述的衬底为石英或单晶硅。所述的VOx/M/VOx三明治结构薄膜的厚度为100nm～200nm，优选100nm~150nm；b.薄膜的退火：薄膜需经过管式炉退火，退火温度为200℃～500℃，保温时间为10min~120min；先利用机械泵抽取本底真空至1Pa左右，停止抽真空，通氩气再升温至所需温度，保温一定时间后停止加热，自然冷却；最终得到VO2薄膜。2.所述VOx/M/VOx三明治结构薄膜制备的VO2的应用及用途a.用于非制冷焦平面探测器：制备的VO2薄膜晶型为B相或者M相；VO2薄膜的负电阻温度系数为-2%/K~-5%/K,方块电阻为10KΩ/□~70KΩ/□；b.用于智能窗：制备的VO2薄膜晶型为M相；其在室温和80℃的红外透过率的差值在30%以上。有关本专利技术的机理或者原理中间金属V可实现薄膜化学计量比和相结构的调控；高价金属阳离子W还可以进一步实现薄膜的掺杂效应。当对薄膜掺入杂质，掺杂离子将会取代VO2晶体中的钒离子或者氧离子，通过破坏V-V的同极结合来影响薄膜的相变温度。由于W和V的离子半径相近，容易掺杂进去VO2的晶格，形成V1-xWxO2无限固溶体。W6+进入VO2的晶格，代替V4+，由于电荷平衡的关系，W6+可以提供两个d轨道电子，将V4+–V4+变为V3+–W6+和V3+–V4+，减小了VO2的禁带宽度，半导体相变得不稳定，导致了电阻温度系数的增大，方块电阻降低，相变温度降低。有关本专利技术样品的表征与评价薄膜物相的表征：本专利技术制得的薄膜通过X射线衍射仪(PhilipsX'Pertdiffractometer)分析薄膜的物相。透光性能的表征：本专利技术制得的薄膜通过紫外可见近红外分光光度计(UH4150)进行透过率的表征。电学性能的表征：本专利技术制得的薄膜通过变温四探针来测量薄膜方块电阻及方块电阻与温度变化的关系。附图说明图1为VOx/M/VOx三明治结构薄膜制备的VO2的衍射图谱。其中曲线a~d表示中间金属层V的溅射时间分别为0s,3s,6s,9s时的薄膜的衍射图谱。曲线e~h表示中间金属层W的溅射时间分别为0s,3s,6s,9s时的薄膜的衍射图谱。图2为VOx/M/VOx三明治结构薄膜制备的VO2的透过图谱。其中曲线a~d表示中间金属层V的溅射时间分别为0s,3s,6s,9s时的薄膜的透过图谱。曲线e~h表示中间金属层W的溅射时间分别为0s,3s,6s,9s时的薄膜的透过图谱。图3为VOx/M/VOx三明治结构薄膜制备的VO2的电阻随温度变化的图谱。其中曲线a~d表示中间金属层V的溅射时间分别为0s,3s,6s,9s时的薄膜的电阻随温度变化的图谱。曲线e~h表示中间金属层W的溅射时间分别为0s,3s,6s,9s时的薄膜的电阻随温度变化的图谱。现将本专利技术的实验测试述于后。对比例1本对比例中没有中间金属层M和上层VOx,其步骤如下：a.首先用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜底层VOX：用V2O5陶瓷靶无氧分压直接沉积。磁控溅射法的工作压力为1Pa,沉积时间为450s。射频溅射的功率为200W。所述衬底为石英。b.薄膜的退火：管式炉退火，退火温度为450℃，保温时间为120min。先利用机械泵抽取本底真空至1Pa左右，停止抽真空，通氩气再升温至所需温度，保温一定时间后停止加热，自然冷却。如图1aXRD所示，得到了纯的B相VO2薄膜。其在室温和80℃的透过率的差值几乎为0，如图2a所示，表明薄膜为比较纯净的B相结构。如图3a所示，其室温方块电阻为70kΩ/□,室温TCR为-1.84%/K。实施例1a.首先用磁控溅射法在衬底上沉积三层本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种VOx/M/VOx三明治结构薄膜的制备方法，其特征在于具有如下的制备过程和步骤：a.首先用磁控溅射法在衬底上沉积三层薄膜：底层VOX：金属靶V反应沉积或V2O5陶瓷靶无氧分压直接沉积；厚度为50 nm～100 nm；磁控溅射法的工作压力为0.5 Pa～1 Pa；沉积时间为5 min～20 min；直流溅射功率为50 W～200 W，优选100 W；射频溅射的功率为100 W～300 W，优选200 W；中间金属层M：中间金属为V,或高价金属阳离子W；沉积厚度为2 nm ~5 nm；上层VOX：金属靶V反应沉积或V2O5陶瓷靶无氧分压直接沉积；厚度为50 nm～100 nm；磁控溅射法的工作压力为0.5 Pa～1 Pa，沉积时间为5 min～20 min；直流溅射功率为50 W～200 W，优选100 W；射频溅射的功率为100 W～300 W，优选200 W；所述的衬底为石英或单晶硅；所述的VOx/M/VOx三明治结构薄膜的厚度为100 nm～200 nm，优选100 nm~150 nm；b.薄膜的退火：薄膜需经过管式炉退火，退火温度为200 ℃～500 ℃，保温时间为10 min~120 min；先利用机械泵抽取本底真空至1 Pa左右，停止抽真空，通氩气再升温至所需温度，保温一定时间后停止加热，自然冷却；最终得到VO2薄膜。...
【技术特征摘要】
1.一种VOx/M/VOx三明治结构薄膜的制备方法，其特征在于具有如下的制备过程和步
骤：
a.首先用磁控溅射法在衬底上沉积三层薄膜：
底层VOX：金属靶V反应沉积或V2O5陶瓷靶无氧分压直接沉积；厚度为50nm～100nm；磁
控溅射法的工作压力为0.5Pa～1Pa；沉积时间为5min～20min；直流溅射功率为50W～
200W，优选100W；射频溅射的功率为100W～300W，优选200W；
中间金属层M：中间金属为V,或高价金属阳离子W；沉积厚度为2nm~5nm；
上层VOX：金属靶V反应沉积或V2O5陶瓷靶无氧分压直接沉积；厚度为50nm～100nm；磁
控溅射法的工作压力为0.5Pa～1Pa，沉积时间为5min～20min；直流溅射功率为50W～
200W，优选100W；射频溅射的功率为100W～300W...
【专利技术属性】
技术研发人员：高彦峰，万冬云，刘恒武，石翔，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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