超级结半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种超级结半导体器件及其形成方法。该超级结半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的埋层，埋层包括交替排列的、沿第一方向延伸的多个P型条状埋区和多个N型条状埋区；位于埋层之上的超级结器件层，超级结器件层底部包括交替排列的、沿第二方向延伸的多个P型条状掺杂区和多个N型条状掺杂区，其中第一方向与第二方向相交。本发明专利技术的超级结半导体器件具有耐压性能好、结构简单、制造成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造
，具体涉及一种超级结半导体器件及其形成方法。
技术介绍
VDMOS(verticaldouble-diffusionmetal-oxide-semiconductor,垂直双扩散金属氧化物半导体结构)器件是新一代功率半导体器件，在电力电子领域得到了广泛的应用。图1为传统的功率VDMOS器件的元胞示意图，其中：N型外延层通过背面电极引出，作为漏电极(Drain)；P型阱区(P-body)通过表面P+、N+引出，作为源电极(Source)；P型阱区之间的外延层上设有栅电极，与N型外延层间有绝缘介质间隔。器件工作截止态时，源极接地，漏极加正电压，所加电压主要由P-body和N外延层形成的PN结承担；随着所加电压的增大，电场随之升高；当电场最高点达到击穿电压Ec时，器件就发生击穿。图2为图1所示器件击穿时沿a-c处的电场分布。由半导体物理可知，电压为电场的积分，因此，图2中的阴影部分的面积就是击穿电压的值。为了提高功率VDMOS器件的耐压性能，技术人员提出了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超级结半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的埋层，所述埋层包括交替排列的、沿第一方向延伸的多个P型条状埋区和多个N型条状埋区；位于所述埋层之上的超级结器件层，所述超级结器件层底部包括交替排列的、沿第二方向延伸的多个P型条状掺杂区和多个N型条状掺杂区，其中所述第一方向与所述第二方向相交。

【技术特征摘要】
1.一种超级结半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底之上的埋层，所述埋层包括交替排列的、沿第一方向延伸的多个
P型条状埋区和多个N型条状埋区；
位于所述埋层之上的超级结器件层，所述超级结器件层底部包括交替排列的、沿第二
方向延伸的多个P型条状掺杂区和多个N型条状掺杂区，其中所述第一方向与所述第二方
向相交。
2.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其特征在于，所述第一方向与所述第二
方向垂直。
3.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其特征在于，所述P型条状埋区或所述N
型条状埋区的深度与宽度的比值不超过10。
4.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其特征在于，所述多个P型条状埋区的
厚度、所述多个N型条状埋区的厚度均与所述埋层厚度相等。
5.一种超级结半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底之上形成第一导电类型的外延层，然后在所述外延层中刻蚀相互平
行的、沿第一方向延伸的多个沟槽，然后沉积第二导电类型材料填满所述多个沟槽，从而
在所述半导体衬底之上形成交替排列的、沿第一方向延伸的多个P型条状埋区和多个N型
条状埋区；
形成超级结器件层，所述超级结器件层底部包括交替排列的、沿第二方向延伸的多个
P型条状掺杂区和多个N型条状掺杂区，其中所述第一方向与所述第二方向相交。
6.根据权利要求5所述的超级结半导体器件的形成方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱超群，陈宇，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44