纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法技术

技术编号:1477254 阅读:160 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法,属于电子材料技术领域,特别涉及一种电容器陶瓷材料。本发明专利技术所制备的掺杂剂的尺寸达纳米级,成本低,均匀性好。本发明专利技术解决所述技术问题采用的技术方案是,提供一种纳米级陶瓷材料掺杂剂,其主成分为包含以下元素的复合氧化物:aSi+bA+cD+dR,其中,A代表受主元素,至少包括Mg、Mn之一;D代表V、Gd、Sm、Nd、Pr中的一种或多种:R代表稀土元素,包括Ho、Dy、Y、Yb、Er其中之一种或多种;其中,a、b、c、d是系数,以mole比计算,10%≤a≤70%,10%≤b≤40%,10%≤c≤40%,10%≤d≤40%。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

Nano scale ceramic material dopant, high dielectric reduction multilayer ceramic capacitor dielectric material and preparation method of the two

The invention relates to a nanometer grade ceramic material dopant, a high dielectric resistance reduction multilayer ceramic capacitor dielectric material and a preparation method of the two, belonging to the technical field of electronic materials, in particular to a capacitor ceramic material. The size of the dopant prepared by the invention reaches nanometer grade, and has low cost and good uniformity. The technical scheme of the invention to solve the technical problems is used, providing a nano ceramic dopant, composite oxide contains the following elements as its main components: aSi + bA + cD + dR, where A represents the acceptor elements including Mg, Mn, at least one; one or more D on behalf of V Gd, Sm, Nd, Pr, R rare earth elements, including Ho, Dy, Y, Yb, Er one or more; among them, a, B, C, D is the coefficient, with mole ratio calculation, 10% = a = 70%, 10% = b = 10% = C = 40%. 40%, 10% = D = 40%.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子材料
,特别涉及一种电容器陶瓷材料。
技术介绍
多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors)简称MLCC。它是将电极材料与陶瓷胚体以多层交替并联叠合起来,并同时烧成一个整体。根据国际电子工业协会(Electronic Industries Association,EIA)标准,Y5V型MLCC应满足在温度区间-30-85℃之间,容量温度变化率<-82%~22%,介电损耗(DF)≤4.0%。Y5V型MLCC按组成分为两大类一类由含铅的驰豫型铁电体组成,另一类以钛酸钡(BaTiO3)为非铅系的铁电体组成。而后者由于对环境无污染,并机械强度及可靠性高于前者,因此非铅系BaTiO3基Y5V型MLCC具有广阔的应用前景。为降低MLCC的生产成本,近年以来贱金属(Cu,Ni等)为内电极的MLCC的研究和生产得到了很大的发展。目前世界上生产的MLCC多数是贱金属内电极MLCC(Base-Metal-Electrode MLCC,BME-MLCC),在BME-MLCC的生产中,由于要使用贱金属Cu或Ni作为内电极,而这两种金属在空气中烧结时本文档来自技高网...

【技术保护点】
纳米级陶瓷材料掺杂剂,其特征在于:其主要成分为包含以下元素的复合氧化物,以下式表示:aSi+bA+cD+dR其中,A代表受主元素,至少包括Mg、Mn之一;D代表V、Gd、Sm、Nd、Pr中的一种或多种;R代表 稀土元素,包括Ho、Dy、Y、Yb、Er其中之一种或多种;其中,a、b、c、d是系数,以摩尔比计算,10%≤a≤70%,10%≤b≤40%,10%≤c≤40%,10%≤d≤40%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周晓华张树人钟朝位王升李波
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:90[中国|成都]

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