一种二硼化镁超导材料及其制备方法技术

一种二硼化镁（ＭｇＢ↓［２］）超导材料及其制备方法，涉及一种具有高临界电流密度的新型二硼化镁超导材料及其制备方法。其特征在于：在二硼化镁超导材料中掺杂有选自ＷＳｉ↓［２］、ＺｒＢ↓［２］、或ＺｒＳｉ↓［２］中的一种金属化合物Ｘ，其组成的摩尔比Ｍｇ∶Ｘ∶Ｂ＝（０．８－０．９５）∶（０．０５－０．２）∶２。本发明专利技术的制备方法是将Ｍｇ粉、Ｘ粉和Ｂ材料按摩尔比混合均匀，在常压氩气气氛中进行烧结。本发明专利技术的二硼化镁超导材料在４．２Ｋ以上的温度，具有高临界电流密度，而且磁场下的性能也非常优良。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

Two boride magnesium superconductive material and preparation method thereof

A two magnesium diboride (MgB: 2) superconducting material and preparation method thereof, and relates to a high critical current density of two new MgB2 superconducting material and preparation method thereof. Characterized in that: two MgB2 superconducting material doped with WSi selected from 2, down 2, down ZrB or ZrSi: 2 in a metal compound X, consisting of the molar ratio of Mg: X: B = (0.8 - 0.95): (0.05 - 0.2): 2. The preparation method of the invention is to Mg powder, X powder and B material molar mixing, sintering in argon atmosphere at atmospheric pressure. The two MgB2 superconductive material of the present invention has a high critical current density at temperatures above 4.2K, and the magnetic field is also excellent in performance.

【技术实现步骤摘要】

，特别涉及具有高临界电流密度的二硼化镁超导材料及其制备方法。
技术介绍
2001年1月，日本Akimitsu等人发现的临界转变温度为39K的二硼化镁超导体(Nature 410(2001)63)，引起了全世界的广泛关注，掀起了研究简单化合物超导电性的热潮。二硼化镁的结构十分简单，是由Mg和B层交替堆叠而成，在B层内，B-B以强共价键结合；在c轴方向，Mg-B以离子键结合，是典型的A1B2六方对称结构，有系数约为2的各向异性。二硼化镁的最大优势在于可以在更高的温度(20-30K)下应用，而低温超导体如Nb3Sn、NbTi等在这一温区无法工作。与高温氧化物超导体相比，二硼化镁在制备和成材方面具有不可比拟的优势，即二硼化镁超导线的性能价格比将高于氧化物高温超导体。总之，由于二硼化镁成材容易，成本低廉，因此它很有可能成为最具潜力的新型超导材料，使得制冷机的广泛应用成为可能。然而，目前与低温超导体相比，二硼化镁的临界电流密度还很低。通常制备二硼化镁的方法是通过氩气氛下固态烧结B和Mg的混合物，经过扩散反应形成二硼化镁，这种方法制备的二硼化镁的块材和带材通常比较疏松，造成晶粒间的连接性能比较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二硼化镁超导材料，其特征在于：在二硼化镁超导材料中掺杂有选自ＷＳｉ↓［２］、ＺｒＢ↓［２］、或ＺｒＳｉ↓［２］中的一种金属化合物Ｘ，其组成的摩尔比Ｍｇ∶Ｘ∶Ｂ＝（０．８－０．９５）∶（０．０５－０．２）∶２。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马衍伟，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]