采用超导材料的电子器件制造技术

叙述了一种新型的超导电子器件。在介绍中，根据本发明专利技术制造一种场效应半导体器件。在该半导体器件的源区和漏区上淀积上超导陶瓷材料，其间夹有绝缘膜，起隧道电流膜的作用。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种采用超导材料的电子器件。迄今人们都在试图制造采用象Nb-Ge系列金属化合物之类的超导材料的固体电子器件，在超导状态下能按隧道效应工作的约瑟夫森器件是其中一个具有代表性的例子。这种超导器件是一种二端开关器件。但由于约瑟夫森器件是个二端开关器件，输入信号和输出信号不能独立加以处理，因而没有放大功能可加以利用。因此尽管这种超导器件能在极高的频率下工作，但其设计极为复杂。此外还有这样另外一个缺点，即要采用一般目前已在半导体工业中高度发展的设计程序来设计这种超导器件，既不方便又有困难。再有，将陶瓷超导体应用到半导体集成电路上时，集成电路经过长期使用之后，与陶瓷超导体接触的硅半导体表面往往会被氧化。这个氧化使半导体与超导体之间的界面不导电，从而使电流不能通过该界面。因此本专利技术的一个目的是提供一种基于一种新的工作原理的超导器件。本专利技术的另一个目的是提供一种频率特性优异的超导器件。本专利技术的又一个目的是提供一种新型的在超导体与半导体表面之间的结。为实现本专利技术的上述和其它目的，将一种超导体膜耦合到超导器件半导体区的表面部分，在两者之间夹上一绝缘膜。绝缘膜的作用是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超导器件，其特征在于，该器件包括：一半导体基片；一在所述基片内形成的半导体器件；和一超导膜，在所述半导体基片上形成，且与所述器件的一部分相连接，其间有一势垒膜。

【技术特征摘要】
JP 1987-8-24 210862/87;JP 1987-8-24 210863/871.一种超导器件，其特征在于，该器件包括一半导体基片；一在所述基片内形成的半导体器件；和一超导膜，在所述半导体基片上形成，且与所述器件的一部分相连接，其间有一势垒膜。2.权利要求1的器件，其特征在于，所述势垒膜的厚度系选取得使隧道电流可以通过。3.权利要求1的器件，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]