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叙述了一种新型的超导电子器件。在介绍中，根据本发明制造一种场效应半导体器件。在该半导体器件的源区和漏区上淀积上超导陶瓷材料，其间夹有绝缘膜，起隧道电流膜的作用。...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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