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一种二硼化镁（ＭｇＢ↓［２］）超导材料及其制备方法，涉及一种具有高临界电流密度的新型二硼化镁超导材料及其制备方法。其特征在于：在二硼化镁超导材料中掺杂有选自ＷＳｉ↓［２］、ＺｒＢ↓［２］、或ＺｒＳｉ↓［２］中的一种金属化合物Ｘ，其组成的摩尔...
该专利属于中国科学院电工研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院电工研究所授权不得商用。

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