用于光收发器件抗干扰的半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件，所述半导体器件包括：自下而上设置的背侧金属化层、p++承载晶圆层、P型外延层、隔离层以及金属层；背侧金属化层作为衬底，其上形成p++承载晶圆层，p++承载晶圆层上形成P型外延层，在P型外延层和隔离层上形成深硅通孔和N型重掺杂槽、P型重掺杂槽，金属层形成于隔离层之上；所述半导体器件包括至少两条N型重掺杂槽、两条P型重掺杂槽和数个深硅通孔，其中数个深硅通孔分成至少两排分布，N型重掺杂槽和P型重掺杂槽相间排列在深硅通孔的两侧。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光通信领域，具体涉及一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件。
技术介绍
在光学通信网络中，使用光学收发器在光纤上发射及接收光学信号。光学收发器产生表示数据的经振幅及/或相位及/或偏振调制的光学信号，接着在耦合到所述收发器的光纤上发射所述光学信号。每一收发器包含发射器侧及接收器侧。在所述发射器侧上，激光光源产生激光且光学耦合系统接收所述激光并将所述光光学耦合或成像到光纤的一端上。所述激光光源通常由产生特定波长或波长范围的光的一个或一个以上激光二极管制成。光学耦合系统通常包含一个或一个以上反射元件、一个或一个以上折射元件及/或一个或一个以上衍射元件。在所述接收器侧上，光电二极管检测在光纤上发射的光学数据信号并将所述光学数据信号转换成电信号，所述电信号接着由接收器侧的电路放大及处理以恢复数据。尽管各种收发器及光纤链路设计使得能够增加光纤链路的总体带宽或数据速率，但存在对当前可用技术可用于改进光纤链路的带宽的程度的限制。已展示，基于接收器的电子色散补偿(EDC)技术与特定调制格式的组合可用于增加光纤链路的带宽。还已知，多个光学链路可经组合以实现具有比形成所述组合的个别光学链路中的每本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件，所述半导体器件包括：自下而上设置的背侧金属化层、p++承载晶圆层、P型外延层、隔离层以及金属层；背侧金属化层作为衬底，其上形成p++承载晶圆层，p++承载晶圆层上形成P型外延层，在P型外延层和隔离层上形成深硅通孔和N型重掺杂槽、P型重掺杂槽，金属层形成于隔离层之上；所述半导体器件包括至少两条N型重掺杂槽、两条P型重掺杂槽和数个深硅通孔，其中数个深硅通孔分成至少两排分布，N型重掺杂槽和P型重掺杂槽相间排列在深硅通孔的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件，所述半导体器件包括：自下而上设置的背侧金属化层、p++承载晶圆层、P型外延层、隔离层以及金属层；背侧金属化层作为衬底，其上形成p++承载晶圆层，p++承载晶圆层上形成P型外延层，在P型外延层和隔离层上形成深硅通孔和N型重掺杂槽、P型重掺杂槽，金属层形成于隔离层之上；所述半导体器件包括至少两条N型重掺杂槽、两条P型重掺杂槽和数个深硅通孔，其中数个深硅通孔分成至少两排分布，N型重掺杂槽和P型重掺杂槽相间排列在深硅通孔的两侧。2.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述深硅通孔从P型外延层的底部延伸到隔离层的顶部。3.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述N型重掺杂槽和P型重掺杂槽形成于P型外延层的顶部，并延伸到隔离层的顶部。4.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述深硅通孔为两端开口为正方形的“V”形通孔，其深度范围为8μm-12μm。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：白昀，
申请(专利权)人：飞昂通讯科技南通有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32