一种垂直型半导体器件的双面终端结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件；所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本实用新型专利技术提供的垂直型半导体器件的双面终端结构，在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构，形成了双面终端结构，在不增加终端面积的前提下，提高了终端的整体耐压能力，提高了终端结构的效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，具体涉及一种垂直型半导体器件的双面终端结构。
技术介绍
终端结构的设计是半导体器件的关键技术之一，与器件的击穿电压密切相关。在半导体器件反偏耐压时，器件内部的pn结扩展延伸致表面，使表面的峰值电场高于体内，导致击穿发生在表面，同时，当碰撞电离在表面发生时，电离过程产生的热载流子易进入钝化层，在钝化层内部形成固定电荷，改变电场分布，使器件性能不稳定，可靠性下降。终端技术是降低表面电场、提高终端耐压的直接方法，目前，对于垂直型半导体器件来讲，终端区的结构设计主要集中在芯片的正面，芯片的背面整体为同电位的阳极，而终端的耐压主要指阳极和阴极之间的电位差，由于垂直型器件芯片边缘通常不完全耗尽，因此，在芯片正表面的边缘与底部阳极同电位，随着耐压等级的提高，终端的尺寸逐渐增大，在芯片总面积一定的情况下，芯片通流区的面积随之减小。并且，传统的晶闸管器件仅仅在硅晶圆的最外环设计终端结构，其整体的面积占比非常小，而新型功率器件如IGBT器件通常采用多芯片并联形式，每个芯片都包含元胞区和终端区，如一个6英寸硅片上通常制作60个左右的IGBT芯片，其终端区占有的面积较高，直接影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直型半导体器件的双面终端结构，其特征在于，所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。

【技术特征摘要】
1.一种垂直型半导体器件的双面终端结构，其特征在于，所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。2.根据权利要求1所述的垂直型半导体器件的双面终端结构，其特征在于，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件。3.根据权利要求2所述的垂直型半导体器件的双面终端结构，其特征在于，所述双极型晶体管和晶闸管的门极与半导体直接接触，经退火处理后形成欧姆接触电极。4.根据权利要求3所述的垂直型半导体器件的双面终端结构，其特征在于，所述门极采用金属-氧化层-半导体结构。5.根据权利要求1所述的垂直型半导体器件的双面终端结构，其特征在于，所述阴极和门极交替排列；所述阴极和阳极分别经退火处理后形成欧姆接触电极。6.根据权利要求1所述的垂直型半导体器件的双面终端结...

【专利技术属性】
技术研发人员：温家良，崔磊，徐哲，金锐，王耀华，赵哿，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，国家电网公司，国网浙江省电力公司，
类型：新型
国别省市：北京;11