取向单层碳纳米管集合体及其制造方法技术

本发明专利技术涉及取向单层碳纳米管集合体、块状取向单层碳纳米管集合体、粉体状取向单层碳纳米管集合体、及其制造方法。本发明专利技术提供一种取向单层碳纳米管集合体，可以容易制造，比表面积大，一根一根的碳纳米管(CNT)取向于规则的方向，且松密度低，因此具有成型加工性。所述取向单层碳纳米管集合体具备：基板、设置于该基板上且个数密度为1×1010～5×1013个/cm2的催化剂微粒、从该催化剂微粒成长的多个单层CNT，其中，所述多个单层CNT，比表面积为600m2/g～2600m2/g，且重量密度为0.002g/cm3～0.2g/cm3，并且其取向度用特定的条件来定义。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2009年12月28日、申请号为200980153232.8、专利技术名称为“取向单层碳纳米管集合体、块状取向单层碳纳米管集合体、粉体状取向单层碳纳米管集合体、及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及包含块状及粉体状的取向单层碳纳米管集合体，涉及实现了形状加工性优异、以前所没有的高纯度化、高比表面积化、大尺寸化的取向单层碳纳米管集合体、块状取向单层碳纳米管集合体、粉体状取向单层碳纳米管集合体、及其制造方法。
技术介绍
近年来，正在期待碳纳米管(以下也称为CNT)向电子器件材料、光学元件材料、导电性材料、及生物体关联材料等功能性新原材料的发展，正在精力充沛地开展对其用途、品质、及批量生产性等的研究。在CNT中尤其是单层CNT，电特性(极高的电流密度)、热特性(与金刚石相匹敌的热传导度)、光学特性(光通信带波长范围的发光)、氢贮藏能力以及金属催化剂负载能力等各种特性优异，还具备半导体和金属的双方特性，因此，作为电子器件、蓄电器件的电极、MEMS部件、及功能性复合材料的填充物等材料备受注目。在这些用途中使用单层CNT的场合，通常用多根单层CNT聚集而成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种取向单层碳纳米管集合体，其是由多个单层碳纳米管取向而构成的取向单层碳纳米管集合体，其特征在于，所述取向单层碳纳米管集合体的比表面积为600m2/g～2500m2/g、使用荧光X射线测定得到的碳纯度为98质量％以上、用BJH法从液氮的77K的吸附等温线求出的细孔径分布极大值为5nm以上且100nm以下，且取向度用基于强度曲线而计算出的赫尔曼取向系数大于0.1且小于1的值来定义，所述强度曲线是从对扫描式电子显微镜图像或原子力显微镜图像进行高速傅立叶变换得到的图像而得到的。

【技术特征摘要】
2009.01.07 JP 2009-001586;2009.06.17 JP 2009-144711.一种取向单层碳纳米管集合体，其是由多个单层碳纳米管取向而构成的取向单层碳纳米管集合体，其特征在于，所述取向单层碳纳米管集合体的比表面积为600m2/g～2500m2/g、使用荧光X射线...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠贤治，D·N·弗塔巴，汤村守雄，
申请(专利权)人：独立行政法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP