生长碳纳米管的方法和制造场致发射器件的方法技术

提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。在所述的生长碳纳米管的方法中，以适于场致发射器件的发射器的密度，在低温下，以低成本生长碳纳米管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳纳米管的生长方法，以及制造采用所述碳纳米管的场致发射器件的方法，更具体而言，涉及生长碳纳米管的低成本方法，其中，可以在低温下以适合场致发射器件的发射器的密度生长碳纳米管，还涉及制造采用所述碳纳米管的场致发射器的低成本方法，由所述方法制造的场致发射器件具有良好的电子发射特性，并且能够在热处理工艺中降低对薄膜的损害。
技术介绍
碳纳米管作为电子发射源，即场致发射器件的发射器，引起了关注。形成碳纳米管的方法包括热化学气相淀积(CVD)、电弧放电、激光消融、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)等。在热CVD方法中，在形成于衬底之上的电极上形成催化剂金属层之后，将诸如CH4、C2H2、C2H4、C2H6、CO或CO2的含有碳的气体连同H2、N2或Ar气注入到温度维持在500到900℃的反应器中，从而在催化剂金属层的表面上生长碳纳米管。最近，随着场致发射器件变大，衬底也变得更大。由于易于形成大尺寸的玻璃，因此可以采用玻璃形成衬底。但是，典型的玻璃，即碱石灰玻璃，在大约480℃的温度下软化。因此，在要求以高于500℃的温度生长碳纳米管的现场(in-situ)工艺中难以采用玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生长碳纳米管的方法，其包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进所述碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被所述无定形碳层覆盖的所述催化剂金属层的表面生长所述碳纳米管 。

【技术特征摘要】
KR 2005-12-13 122426/051.一种生长碳纳米管的方法，其包括制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进所述碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被所述无定形碳层覆盖的所述催化剂金属层的表面生长所述碳纳米管。2.如权利要求1所述的方法，在制备所述衬底和形成所述催化剂金属层之间还包括形成硅层。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括玻璃。4.如权利要求1所述的方法，其中，采用热CVD法形成所述碳纳米管。5.如权利要求1所述的方法，其中，在所述催化剂金属层上形成的所述无定形碳层是通过碳化过程形成的。6.如权利要求5所述的方法，其中，在其中以预定成分混合CO和H2的气体混合物气氛下实施所述碳化过程。7.如权利要求5所述的方法，其中，在300到450℃的温度下实施5到60分钟的碳化过程。8.如权利要求5所述的方法，其中，恒温实施所述碳化过程和所述碳纳米管生长过程，并在N2气氛下实施处于所述碳化过程和所述碳纳米管生长过程之前和之后的升温和降温过程。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述碳纳米管在350到450℃的温度下生长5到60分钟。10.如权利要求1所述的方法，其中，由从下述集合中选出的材料形成所述催化剂金属层Ni、Fe、Co、Pt、Mo、W、Y、Au、Pd以及这些金属的合金。11.如权利要求1所述的方法，其中，通过磁控管溅射法或电子束蒸镀法形成所述催化剂金属层。12.一种制造场致发射器件的方法，其包括制备衬底，在所述衬底上形成负极、覆盖所述负极的栅电极绝缘层以及覆盖所述栅电极绝缘层的栅电极；形成穿过所述栅电极和所述栅电极绝缘层的井，以暴露所述负...

【专利技术属性】
技术研发人员：金夏辰，韩仁泽，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]