光刻工艺中光学临近修正方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻工艺中光学临近修正方法,本方法只需插入一对校正线即可改善小尺寸线宽的光刻工艺能力。该方法包含：步骤1，选定一块稀疏区线宽区域；步骤2，选择一条线为基准线，其线宽为A，在其两侧各增加一根校正线，线宽为C，线宽C的校正线与基准线间距为B；步骤3，预先设定校正线的线宽C1，然后不断调节间距B，使基准线得到一个最大光刻能力的间距值B1；步骤4，确定上述的最佳的间距值B1，再调节线宽C1，使基准线得到一个最大光刻能力的最佳的线宽值C2；步骤5，确定了线宽C2的值，再调节间距值B1，使线宽为A的基准线得到一个最大光刻能力，进一步得到间距值B2；步骤6，记录此时校正线的线宽值C2及间距值B2，即是校正线的最佳设计值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种光刻工艺中光学临近修正方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造过程中，一些小尺寸线宽的光刻工艺层，由于受限于光刻机设备本身的能力问题，需要在此基础上做光学临近修正(OPC)来满足光刻的工艺能力。比如在90nm的工艺中，小尺寸栅极层(GATEPOLY)的线宽工艺，需要保障各个位置的线宽大小的均一性和稳定性的工艺要求，即无论图形的密集区(称之为Densepattern)还是稀疏区(称之为ISOpattern)。可是实际上，在通过光学临近修正后，并在最佳的光刻曝光条件下，可以满足各个位置的线宽大小的均一性，但相比Densepattern的光刻工艺能力，ISOpattern的光刻工艺能力还是有所不足，即该位置的工艺稳定性较差，以致影响了该层的光刻工艺能力。现有的对ISOpattern光刻工艺的改善方法，是通过一种特殊的光学临近修正的方法，在该ISOpattern的周围插入大小不等、距离不等的更小尺寸的几对校正线(以下简称：scalingbar)，来改善该ISOpattern的工艺能力。如图1中，A对应的是工艺中的小尺寸线宽，Ca、Cb、Cc为scalingbar的线宽,Ba、Bb、Bc为线与线的间距，图1所示采用了3对scalingbar的示例，实际还有可能采用更多的scalingbar。这种特殊的光学临近修正的方法，需要大量的实验数据来佐证，故而开发极其缓慢和困难。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种光刻工艺中光学临近修正方法，改善ISOpattern光刻工艺能力的不足，以进一步提高该层的光刻工艺能力。为解决上述问题，本专利技术所述的光刻工艺中光学临近修正方法，包含的步骤为：步骤1，选定一块栅极多晶硅层光刻工艺的稀疏区线宽区域；步骤2，选择一条线为基准线，其线宽为A，在其两侧各增加一根校正线，其线宽为c，线宽为c的校正线与基准线间距为b；步骤3，预先设定校正线的线宽C1，然后不断调节间距B，使基准线得到一个最大光刻能力的间距值B1；步骤4，确定上述的最佳的间距值B1，然后不断调节校正线的线宽C1，使基准线得到一个最大光刻能力的最佳的线宽C2的值；步骤5，确定了线宽C2的值，再调节间距B1的值，使线宽为A的基准线得到一个最大光刻能力，此时得到间距B2的值；步骤6，记录此时校正线的线宽C2及其间距B2的值，即是校正线的最佳设计值。进一步地，所述方法适用于工艺节点不大于0.13μm的产品，是指光刻工艺层中，稀疏区图形的工艺能力较密集区的工艺能力差的光刻工艺层。进一步地，所述步骤1中稀疏区是指线宽类图形其线宽及其间隙之和不小于0.5μm。进一步地，所述步骤2中的校正线是指中心对称分布在稀疏区图形两侧的线段，其作用是增强稀疏区图形的光刻工艺能力，不能显示出光刻图形。进一步地，通过重复实施步骤4～5几次，能得到更精确的校正线的线宽及间距。本专利技术所述的光刻工艺中光学临近修正方法，优化小尺寸线宽光刻工艺的光学临近修正的方法，针对小尺寸线宽的ISOPattern，只需要在其周围插入一对scalingbar的OPC方法，就可进一步改善ISOPattern的光刻工艺能力，从而有效优化小尺寸线宽的工艺要求。附图说明图1是光刻工艺中光学临近修正的结构图。图2A～2C是不同对数的校正线的示意图。图3是不同数量的校正线的效果对比曲线图。图4A～4C是校正线不同间距值及线宽值的效果示意图。附图标记说明A是线宽，B是间距，C是线宽。具体实施方式本专利技术进一步优化小尺寸线宽光刻工艺的光学临近修正的方法，特别是改善了ISOPattern的光刻工艺能力。图2A、2B、2C和图1所示分别是：图2A是ISOPattern没有插入scalingbar,图2B是插入一对scalingbar，图2C是插入两对scalingbar，图1是插入三对scalingbar的示意图。各图中，A对应的是工艺中的小尺寸线宽，其它分别为scalingbars的线宽Ca～Cc及其之间的距离Ba～Bc。在相同的光刻条件下，它们的所能达到的工艺能力是不同的。从光刻的工艺能力对比的图3中可以明显的看到，图2A是ISOPattern没有插入scalingbar的工艺能力最差(对应于图3中纵坐标无scalingbar)；图2C以及图1所示是插入两对及插入三对scalingbar的工艺能力最高且极其接近；图2B插入一对scalingbar的工艺能力虽然较后者稍差，但比起没有插入scalingbar的图2A工艺能力已经有很大的改善了。本专利技术所述的光刻工艺中光学临近修正方法，仅需采用一对scalingbar，其示意图参考图2B，包含的步骤为：步骤1，选定一块栅极多晶硅层光刻工艺的稀疏区线宽区域。步骤2，选择一条线为基准线，其线宽为A，在其两侧各增加一根scalingbar，即一对，其线宽分别为C，两根线宽C的scalingbar与基准线间距均为B相对于基准线对称。步骤3，预先设定校正线的线宽C的值为C1，然后不断调节间距B，使基准线得到一个最大光刻能力的间距值B1。步骤4，确定上述的最佳的间距值B1，然后再进一步地调节刚刚得到的校正线的线宽C1，使基准线得到一个最大光刻能力的最佳的线宽C的值，记录为C2。步骤5，确定了更进一步精确的线宽的值C2，再进一步调节间距B的值B1，使线宽为A的基准线得到一个最大光刻能力，此时得到间距B的值B2。步骤6，记录此时校正线的线宽的值C2及间距B的值B2，即是校正线的最佳设计值。为了取得最佳的设计值，可重复实施步骤4～5，重复实施的次数越多，越能得到更为优化的设计值，如图4A～4C所示，不断地细调间距B及线宽C的值，能得到更精确更优化的设计值。以上仅为本专利技术的优选实施例，并不用于限定本专利技术。对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻工艺中光学临近修正方法，其特征在于：包含如下的步骤：步骤1，选定一块栅极多晶硅层光刻工艺的稀疏区线宽区域；步骤2，选择一条线为基准线，其线宽为A，在其两侧各增加一根校正线，其线宽为C，线宽C的校正线与基准线之间的间距为B；步骤3，预先设定一个校正线的线宽C的值为C1，然后不断调节间距B，使基准线得到一个最大光刻能力的间距值，记载为B1；步骤4，确定上述的最佳的间距值B1，然后再不断调节校正线的线宽值C1，使基准线得到一个最大光刻能力的最佳的线宽C的值，记载为C2；步骤5，确定了线宽C的进一步取值C2，再调节上述得到的间距B的值B1，使线宽为A的基准线得到一个最大光刻能力，此时得到最佳间距B的值，记载为B2；步骤6，记录此时校正线的线宽C的值C2及间距B的值B2，即得到校正线的最佳设计值。

【技术特征摘要】
1.一种光刻工艺中光学临近修正方法，其特征在于：包含如下的步骤：步骤1，选定一块栅极多晶硅层光刻工艺的稀疏区线宽区域；步骤2，选择一条线为基准线，其线宽为A，在其两侧各增加一根校正线，其线宽为C，线宽C的校正线与基准线之间的间距为B；步骤3，预先设定一个校正线的线宽C的值为C1，然后不断调节间距B，使基准线得到一个最大光刻能力的间距值，记载为B1；步骤4，确定上述的最佳的间距值B1，然后再不断调节校正线的线宽值C1，使基准线得到一个最大光刻能力的最佳的线宽C的值，记载为C2；步骤5，确定了线宽C的进一步取值C2，再调节上述得到的间距B的值B1，使线宽为A的基准线得到一个最大光刻能力，此时得到最佳间距B的值，记载为B2；步骤6，记录此时校正线的线宽C的值C...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟峰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31