一种改善MgO薄膜表面性能的方法技术

一种改善ＭｇＯ薄膜表面性能的方法，首先，在制备有ＩＴＯ透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为４００－８００纳米的ＭｇＯ薄膜；其次，对ＭｇＯ薄膜注入氧离子、氮离子、氖离子或氩离子，注入的离子能量为５～６０ｋｅＶ，注入剂量为１．０×１０↑［１５］～２．２×１０↑［１８］ｉｏｎｓ／ｃｍ↑［２］；最后，对注入离子后的ＭｇＯ薄膜在２００～４００℃进行高温退火即可。由于本发明专利技术采用低能离子注入方法对ＭｇＯ薄膜进行表面改性，改性后的ＭｇＯ薄膜表面呈现〈１１１〉结晶面择优取向、薄膜致密性显著提高、薄膜的抗离子溅射性能明显增强且着火电压低，从而能有效地降低ＰＤＰ显示器件的能耗。

Method for improving surface property of MgO film

A method of improving the surface properties of MgO films first, in the preparation method of glass substrate for color plasma display screen ITO transparent electrode and silver electrode and the dielectric layer by using electron beam evaporation in oxygen enriched atmosphere on the dielectric layer thickness of MgO thin film deposited 400 to 800 nm; secondly, the MgO films oxygen ion implantation, nitrogen, neon or argon ion ion, ion implantation energy is 5 ~ 60keV, injected dose of 1 x 10 = 15 ~ 2.2 * 10 = 18 ions / cm = 2; finally, in the 200 to 400 DEG C high temperature annealing can be injected into the MgO film after the ion. The invention adopts low energy ion implantation on surface modification of MgO films by ion sputtering method, anti performance show \surface after the MgO film 111\ crystal plane orientation, film density was significantly improved and the films is significantly enhanced and the ignition voltage is low, so it can effectively reduce the energy consumption of the PDP display device.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于气体放电
，具体涉及一种改善等离子显示屏上基板MgO薄膜表面性能的方法。
技术介绍
目前，彩色等离子显示屏上基板介质保护薄膜一般为MgO薄膜，其通常的制备方法是在富氧气氛中利用电子束蒸发的方法制备。该方法制备的MgO薄膜表面粗糙，呈现多孔状，易于吸附CO、CO2、O2以及水蒸气等气体，从而劣化MgO薄膜的电气性能。离子注入诱导结晶以及离子注入薄膜表面改性是离子注入技术应用研究的热点内容。
技术实现思路
专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了，按此方法改性后的MgO薄膜表面呈现<111>结晶面择优取向、薄膜致密性显著提高、薄膜的抗离子溅射性能明显增强且着火电压显著降低，从而有效地降低了等离子显示器件的能耗。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为400-800纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氧离子、氮离子、氖离子或氩离子，注入的离子能量为5～60keV，注入剂量为1.0×1015～2.2×1018ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在200～400℃进行高温退火即可。由于本专利技术采用低能离子注入方法对MgO薄膜进行表面改性，改性后的MgO薄膜表面呈现<111>结晶面择优取向、薄膜致密性显著提高、薄膜的抗离子溅射性能明显增强。由于MgO薄膜表面性能的改善，等离子显示面板的着火电压得到了降低，从而能有效地降低PDP显示器件的能耗。具体实施例方式实施例1，首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为400纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氧离子，注入的离子能量为30keV，注入剂量为1.0×1015ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在200℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。实施例2，首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为600纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氮离子，注入的离子能量为45keV，注入剂量为1.1×1016ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在300℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。实施例3，首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为800纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氖离子，注入的离子能量为60keV，注入剂量为2.2×1018ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在400℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。实施例4，首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为500纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氩离子，注入的离子能量为20keV，注入剂量为1.6×1017ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在250℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。实施例5，首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为700纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氧离子，注入的离子能量为5keV，注入剂量为1.0×1016ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在350℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。实施例6，首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为400纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氩离子，注入的离子能量为16keV，注入剂量为2.0×1018ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在310℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。本专利技术采用低能离子注入的方法对等离子显示面板上基板MgO薄膜进行表面改性，通过低能离子注入进行离子束诱导结晶改性，可以改善MgO薄膜的结晶特性，诱导MgO薄膜<111>结晶面择优取向，从而可以降低PDP的着火电压，使MgO薄膜的致密性得到显著增强，改善了MgO薄膜的气体吸附特性，MgO薄膜的抗离子溅射性能得到增强，从而延长了PDP显示面板的寿命。权利要求1.，其特征在于1)首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为400-800纳米的MgO薄膜；2)其次，对MgO薄膜注入氧离子、氮离子、氖离子或氩离子，注入的离子能量为5～60keV，注入剂量为1.0×1015～2.2×1018ions/cm2；3)最后，对注入离子后的MgO薄膜在200～400℃进行高温退火即可。2.根据权利要求1所述的改善MgO薄膜表面性能的方法，其特征在于首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为400纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氧离子，注入的离子能量为30keV，注入剂量为1.0×1015ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在200℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。3.根据权利要求1所述的改善MgO薄膜表面性能的方法，其特征在于首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为600纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氮离子，注入的离子能量为45keV，注入剂量为1.1×1016ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在300℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。4.根据权利要求1所述的改善MgO薄膜表面性能的方法，其特征在于首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为800纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氖离子，注入的离子能量为60keV，注入剂量为2.2×1018ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在400℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。5.根据权利要求1所述的改善MgO薄膜表面性能的方法，其特征在于首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为500纳米的MgO薄膜；其次，对MgO薄膜注入氩离子，注入的离子能量为20keV，注入剂量为1.6×1017ions/cm2；最后，对注入离子后的MgO薄膜在250℃进行高温退火以消除材料内应力以及部分辐射损伤。6.根据权利要求1所述的改善MgO薄膜表面性能的方法，其特征在于首先，在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善ＭｇＯ薄膜表面性能的方法，其特征在于：１）首先，在制备有ＩＴＯ透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为４００－８００纳米的ＭｇＯ薄膜；２）其次，对Ｍｇ Ｏ薄膜注入氧离子、氮离子、氖离子或氩离子，注入的离子能量为５～６０ｋｅＶ，注入剂量为１．０×１０↑［１５］～２．２×１０↑［１８］ｉｏｎｓ／ｃｍ↑［２］；３）最后，对注入离子后的ＭｇＯ薄膜在２００～４００℃进行高温退火即可。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志刚，
申请(专利权)人：彩虹集团电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]