一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种晶向可控的PbPdO2材料及其制备方法：所述PbPdO2材料，其最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向。所述的制备方法，包括：称量含有Fe、含有Pb和含有Pd的化合物；将含有Fe、含有Pb的化合物与混合溶剂、络合剂混合，获得含有Fe和Pb的混合液；将含有Pd的化合物与强酸混合，获得含有强酸的混合液；将混合液混合，获得溶胶；将溶胶涂覆在基板上烘干和预烧，获得预烧薄膜；将预烧薄膜进行煅烧，获得的产物。有益效果：本发明专利技术在不依赖于高匹配度晶格常数基板的情况下，成功实现了诱导PbPdO2材料沿[400]晶向做择优取向生长，并形成纳米颗粒膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到零禁带半导体的
，尤其是涉及到PbPdO2半导体材料，为一种诱导PbPdO2材料沿[400]晶向择优取向生长的技术，具体为一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料及其制备方法。
技术介绍
近十多年来，PbPdO2作为一种层状过渡金属氧化物材料，由于其独特的结构和性质，研究人员对其进行了广泛的研究。T.C.Ozawa等人首先采用固相反应法合成了单相PbPdO2及Cu掺杂PbPdO2材料，提出了PbPdO2的晶体结构为体心正交结构，并研究了其热电性能，认为其存在一个金属-绝缘转变温度(TMI)。2008年，澳大利亚Wollongong大学的X.L.Wang理论计算发现PbPdO2材料具有零禁带能带结构，通过掺杂25at.％的Co元素可以在PbPdO2材料中实现自旋零禁带能带结构。这一发现使得研究者们陆续开展PbPdO2材料的制备及其性能研究。2009年，X.L.Wang等人采用脉冲激光沉积法制备出掺杂25at.％Co元素的PbPdO2薄膜，X射线衍射分析表明该薄膜主要沿着常规的[211]晶向生长，发现该材料具有电致电阻效应和巨磁电阻效应，但并未发现沿着[40本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料，其特征在于，该PbPdO2材料最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向。

【技术特征摘要】
1.一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料，其特征在于，该PbPdO2材料最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向。2.根据权利要求1所述的一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料，其特征在于，所述PbPdO2材料为掺杂Fe元素的薄膜材料；且当Fe的掺杂比例在5at.％～25at.％时，PbPdO2材料最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向；更进一步说，当随Fe的掺杂比例由5at.％上升至25at.％，PbPdO2材料沿[400]晶向择优生长的取向度线性增加。3.根据权利要求2所述的一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料，其特征在于，在掺杂Fe元素的PbPdO2薄膜材料中，Pb元素、Pd元素、Fe元素三者间的原子比为4.21:(0.75-0.95):(0.05-0.25)。4.根据权利要求1所述的一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料，其特征在于，PbPdO2材料的纳米尺度的形貌为片状颗粒和柱状颗粒。5.权利要求1至4所述的一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：称量含有Fe的化合物、含有Pb的化合物和含有Pd的化合物；将含有Fe的化合物、含有Pb的化合物与混合溶剂、络合剂混合，获得含有Fe和Pb的混合液；将含有Pd的化合物与强酸混合，获得含有强酸的混合液；将含有Fe和Pb的混合液与含有强酸的混合液混合，获得溶胶；将溶胶涂覆在基板上烘干和预烧，获得预烧薄膜；将预烧薄膜进行煅烧，获得的产物即为最强衍射峰对应的晶粒沿[400]晶向取向生长的Fe:PbPdO2材料薄膜。6.根据权利要求5所述的一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料的制备方法，其特征在于，基板是晶面指数为或(0001)的单晶蓝宝石。7.根据权利要求5所述的一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料的制备方法，其特征在于，煅烧的温度介于700℃到750℃之间。8.根据权利要求5所述的一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料的制备方法，其特征在于，含有Fe...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏海林，刘俊，梅超，吴玉程，黄荣俊，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34