一种PECVD沉积槽制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PECVD沉积槽；其包括底板，底板的两侧均设置有侧板，侧板的上端向外延伸有上边沿，底板设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔，底板在第一气孔的两侧均设置有第一挡板，上边沿设置有若干个与硅烷特气管路相连接的第二气孔，上边沿在第二气孔的内侧设置有第二挡板；第一挡板和第二挡板的设置，使得氨气通过第一气孔后、硅烷通过第二气孔后气流直接往上运动，减少气体向四周扩散，避免了因沉积槽与特气管路之间沉积太多氮化硅而引起的堵塞，本实用新型专利技术的PECVD沉积槽不仅结构简单，而且延长了设备的更换周期，减少了维护时间。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能光伏电池制造
，尤其涉及一种PECVD沉积槽。
技术介绍
PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD设备镀膜都是气体通过一定的孔均匀的分散，使得镀膜均匀性非常好，没有色差，特气管道上的特气孔的大小一致性直接影响镀膜工艺，而与特气孔相配的有一个沉积槽，沉积槽主要保护特气管道和其下面冷却水管，防止沉积太多氮化硅，影响特气管道均匀性和水冷效果。现有技术中的沉积槽的两侧和底部分布均匀的孔，其孔与特气管道上的特气孔相对应，直径6～8mm，在正常使用时，特气管道上的特气孔与沉积槽之间沉积氮化硅，容易堵住特气孔，气体不能均匀分散，镀膜质量下降，产生色差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种PECVD沉积槽，其不仅结构简单，而且延长了设备的更换周期，减少了维护时间。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种PECVD沉积槽，包括底板，底板的两侧均设置有侧板，侧板的上端向外延伸有上边沿，底板设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔，底板在第一气孔的两侧均设置有第一挡板，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PECVD沉积槽，包括底板(1)，其特征在于，所述底板(1)的两侧均设置有侧板(2)，所述侧板(2)的上端向外延伸有上边沿(3)，所述底板(1)设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔(11)，所述底板(1)在所述第一气孔(11)的两侧均设置有第一挡板(4)，所述上边沿(3)设置有若干个与硅烷特气管路相连接的第二气孔(31)，所述上边沿(3)在所述第二气孔(31)的内侧设置有第二挡板(5)。

【技术特征摘要】
1.一种PECVD沉积槽，包括底板(1)，其特征在于，所述底板(1)的两侧均设置有侧板(2)，所述侧板(2)的上端向外延伸有上边沿(3)，所述底板(1)设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔(11)，所述底板(1)在所述第一气孔(11)的两侧均设置有第一挡板(4)，所述上边沿(3)设置有若干个与硅烷特气管路相连接的第二气孔(31)，所述上边沿(3)在所述第二气孔(31)的内侧设置有第二挡板(5)。2.根据权利要求1所述的PECVD沉积槽，其特征在于，若干个所述第一气孔(11)沿所述底板(1)的长度方向均匀设置，若干个所述第二气孔(31)沿所述上边沿(3)的长度方向均匀设置。3.根据权利要求1所述的PECVD沉积槽，其特征在于，所述第一气孔(11)和所述第二气孔(31)的直径均为8.1～16mm。4.根据权利要求1所述的PECVD沉积槽，其特征在于，所述第一挡板(4)的长度与所述底板(1)的长度相等，所述第一挡板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：张春华，陈佳男，衡阳，郑旭然，李栋，邢国强，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32