一种用于MOCVD反应室的清洁系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种用于MOCVD反应室的清洁系统，包括具有温度控制功能的气体管路、具有温度控制功能的过滤装置、具有温度控制功能的冷阱；其中，所述MOCVD反应室的出口连接至气体管路的入口，所述气体管路的出口连接至过滤装置，所述冷阱设置在过滤装置的下游，且在该冷阱下游还连接有一个节流阀和真空泵，通过所述节流阀使压力在反应室可调节，同时为了能够调整低于大气压下的特定压力范围，所述真空泵位于节流阀后面；清洁时，主要将含有氯化物或卤化物的气体通入MOCVD反应室内部以对沉积物进行原位去除。采用该清洁系统无需打开MOCVD反应腔室，可重复性好、清洁效率高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及MOCVD反应室清洁的
，尤其是指一种用于MOCVD反应室的清洁系统。
技术介绍
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。反应室中的反应是很复杂的，每个反应步骤之后都会形成多余的气态和非气态副产物，非气态沉积物会沉积在反应室内部(如内壁等处)，造成设备工艺参数误差、反应室性能下降，并且容易在制备半导体化合物的过程中在基片表面形成颗粒等杂质，这些杂质会影响半导体性能。因此，在使用过程中需要对反应室进行清洁。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足与缺点，提供一种结构简单可靠的MOCVD反应室用的清洁系统，采用该清洁系统无需打开MOCVD反应腔室，可重复性好、清洁效率高。为实现上述目的，本技术所提供的技术方案为：一种用于MOCVD反应室的清洁系统，包括具有温度控制功能的气体管路、具有温度控制功能的过滤装置、具有温度控制功能的冷阱；其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于MOCVD反应室的清洁系统，其特征在于：包括具有温度控制功能的气体管路、具有温度控制功能的过滤装置、具有温度控制功能的冷阱；其中，所述MOCVD反应室的出口连接至气体管路的入口，所述气体管路的出口连接至过滤装置，所述冷阱设置在过滤装置的下游，且在该冷阱下游还连接有一个节流阀和真空泵，通过所述节流阀使压力在反应室可调节，同时为了能够调整低于大气压下的特定压力范围，所述真空泵位于节流阀后面；清洁时，主要将含有氯化物或卤化物的气体通入MOCVD反应室内部以对沉积物进行原位去除。

【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD反应室的清洁系统，其特征在于：包括具有温度控制功能的气体管路、具有温度控制功能的过滤装置、具有温度控制功能的冷阱；其中，所述MOCVD反应室的出口连接至气体管路的入口，所述气体管路的出口连接至过滤装置，所述冷阱设置在过滤装置的下游，且在该冷阱下游还连接有一个节流阀和真空泵，通过所述节流阀使压力在反应室可...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯钊俊，方聪，靳恺，刘向平，张露，王雷，
申请(专利权)人：中山德华芯片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44