一种基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘制造技术

本发明专利技术公开了一种基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘，提升边缘抛光效果。其技术方案为：基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘的半径大于晶圆的半径，卡盘超出晶圆的部分设置一圆环，卡盘中间形成晶圆片槽用于吸附晶圆，位于卡盘下方设有电源、阴极喷头和阳极喷头，其中阳极喷头的位置相对于晶圆是固定的，阳极喷头所喷射的抛光液的投影位于圆环内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种无应力抛光中的晶圆旋转卡盘，尤其涉及可提高边缘抛光效果的晶圆旋转卡盘。
技术介绍
现有SFP(无应力抛光)技术当中，晶圆旋转卡盘11的结构如图1所示，电源12的正负极与晶圆13的连接都是通过抛光液接头实现的，两级连接的抛光液分别由阴极喷头14和阳极喷头15喷射出，其中阳极喷头15的位置对边缘的抛光效果影响较大。阳极喷头15所处的位置如图1所示，其喷射的抛光液投影面积就在晶圆13的面积范围内。因为抛光液中含有一定量的铜离子，抛光过程中，阳极喷头15会在晶圆上形成一定的镀铜效果。虽然阴极喷头14会使最终得到的还是去除铜层后的结果，但是去除率会较中心区域偏低。抛光液在外围的膜层较厚，分流效果较大，导致实际有效的抛光电流相对较小。
技术实现思路
以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。本专利技术的目的在于解决上述问题，提供了一种基于阳极喷头位置进行优化的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘，其特征在于，卡盘的半径大于晶圆的半径，卡盘超出晶圆的部分设置一圆环，卡盘中间形成晶圆片槽用于吸附晶圆，位于卡盘下方设有电源、阴极喷头和阳极喷头，其中阳极喷头的位置相对于晶圆是固定的，阳极喷头所喷射的抛光液的投影位于圆环内。

【技术特征摘要】
1.一种基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘，其特征在于，卡盘的半径大于晶圆的半径，卡盘超出晶圆的部分设置一圆环，卡盘中间形成晶圆片槽用于吸附晶圆，位于卡盘下方设有电源、阴极喷头和阳极喷头，其中阳极喷头的位置相对于晶圆是固定的，阳极喷头所喷射的抛光液的投影位于圆环内。2.根据权利要求1所述的基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘，其特征在于，圆环是绝缘材料制成的圆环。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：代迎伟，金一诺，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31