加工装置以及加工方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够向工件的被加工面均匀地照射紫外线而生成均匀的氧化物并将工件加工为平滑的平面的加工装置。加工装置具备：使工件绕旋转轴旋转的旋转工作台；以与旋转工作台的旋转轴正交的轴进行旋转的辊形状构件；在旋转工作台的旋转轴的方向上进行驱动以使得辊形状构件与工件相互接触的垂直驱动部；向辊形状构件与工件之间照射紫外线的紫外线照射源；被供给至辊形状构件与工件之间的研磨材料；以及被供给至辊形状构件与工件之间且使来自紫外线照射源的紫外线散射的光散射体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用研磨材料来加工工件的加工装置。
技术介绍
近年来，作为用于加工半导体晶圆的器件形成面的加工装置，使用有兼具化学性作用和机械性作用的化学性机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing：CMP)装置。另一方面，近年来，作为下一代半导体基板而引人注目的由蓝宝石、SiC、GaN、金刚石等硬脆性材料构成的基板的化学性稳定，即便有效利用普通的化学性机械研磨方法，与Si相比，化学性作用非常小，研磨速率变小。对此，具有如下所述的方法(例如，参照专利文献1。)：将含氧的加工气氛的压力设定得比大气压高，在加工气氛之中，使用含有二氧化钛粒子的料浆，一边照射紫外线一边研磨被加工物。另外，提出有如下所述的方法(例如，参照专利文献2。)：使用由石英构成且在表面具有格子状的槽的研磨平台，向格子状的槽埋入固态光催化剂粒子，以高压将基板的被研磨面按压于研磨平台的表面，并且从研磨平台的背面透过研磨平台而向基板的被研磨面照射紫外线，通过红外线的照射来加热研磨平台的表面或者基板的被研磨面中的至少一方，同时使基板相对于研磨平台相对摆动而进行研磨。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加工装置，具备：旋转工作台，其使工件绕旋转轴旋转；辊形状构件，其以与所述旋转工作台的所述旋转轴正交的轴进行旋转；垂直驱动部，其在所述旋转工作台的旋转轴的方向上进行驱动，以使得所述辊形状构件与所述工件相互接触；紫外线照射源，其向所述辊形状构件与所述工件之间照射紫外线；研磨材料，其被供给至所述辊形状构件与所述工件之间；以及光散射体，其被供给至所述辊形状构件与所述工件之间，且使来自所述紫外线照射源的紫外线散射。

【技术特征摘要】
2015.06.29 JP 2015-130235;2016.02.01 JP 2016-017261.一种加工装置，具备：旋转工作台，其使工件绕旋转轴旋转；辊形状构件，其以与所述旋转工作台的所述旋转轴正交的轴进行旋转；垂直驱动部，其在所述旋转工作台的旋转轴的方向上进行驱动，以使得所述辊形状构件与所述工件相互接触；紫外线照射源，其向所述辊形状构件与所述工件之间照射紫外线；研磨材料，其被供给至所述辊形状构件与所述工件之间；以及光散射体，其被供给至所述辊形状构件与所述工件之间，且使来自所述紫外线照射源的紫外线散射。2.根据权利要求1所述的加工装置，其中，所述研磨材料的维氏硬度比所述工件高，所述光散射体的维氏硬度比所述工件低。3.根据权利要求1所述的加工装置，其中，所述研磨材料被配备于带上，所述带被供给至所述辊形状构件与工件之间的接触部。4.根据权利要求1所述的加工装置，其中，所述研磨材料以及所述光散射体均为粒子状，所述研磨材料的尺寸比所述光散射体的尺寸小。5.根据权利要求1所述的加工装置，其中，所述光散射体为具有四面体以上的面数的多面体形状或球状。6.根据权利要求1所述的加工装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹰巢良史，横山信之，田代功，上木原伸幸，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP