一种深紫外LED封装支架制造技术

本发明专利技术提供一种深紫外LED封装支架，包括底座及围坝，围坝中空且围坝底部与底座相接，LED置于底座上部及围坝中心，围坝外缘与底座外缘齐平，其中，所述围坝表面镀镜面铝，且围坝材料中掺有紫外线吸收剂成分。本发明专利技术提供的深紫外LED封装支架能够反射大部分深紫外LED光线，同时降低围坝的紫外老化程度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于深紫外LED
，具体涉及一种深紫外LED封装支架。
技术介绍
目前深紫外LED电光转化效率很低，基本上99％转化为热，所以需要散热性能良好的支架。此外，深紫外线具有穿透破坏性，对材料的要求很高，一般的有机材料在紫外线照射下很快发生老化。同时，深紫外LED封装成本居高不下，支架的成本是主要原因，约占50％成本。鉴于上述原因，需要设计一种深紫外LED封装支架，以解决现有技术中存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种深紫外LED封装支架，包括底座及围坝，围坝中空且围坝底部与底座相接，LED置于底座上部及围坝中心，围坝外缘与底座外缘齐平，其中，所述围坝表面镀镜面铝，且围坝材料中掺有紫外线吸收剂成分。优选的，围坝材料的热膨胀系数远大于底座材料的热膨胀系数。优选的，所述紫外线吸收剂包括紫外线吸收剂UV-O、紫外线吸收剂UVP-327和/或紫外线吸收剂UV-531。优选的，各紫外线吸收剂成分在围坝材料中配比如下：紫外线吸收剂UV-O为0.1％-0.5％，紫外线吸收剂UVP-327为1％～2％，紫外线吸收剂UV-531为0.1％-0.4％。优选的，镜面铝镀在围坝的内表面、上表面及外表面。优选的，所述镜面铝与围坝之间涂有弹性体涂层。优选的，所述弹性体涂层材料包括透明聚氨酯弹性体。优选的，所述底座的制作材料包括氮化铝陶瓷，所述围坝的制作材质包括有机塑料PPA和/或耐高温树脂材料。优选的，围坝底部设有若干卡脚，底座上设有与所述卡脚相适配的卡槽，且卡槽侧壁设有用于卡住所述卡脚的卡沟。优选的，卡脚外径尺寸与卡槽内径尺寸在10℃时大小相等。本专利技术提供的深紫外LED封装支架，具有如下有益效果：围坝表面镀镜面铝，能够反射大部分深紫外LED光线，降低围坝的紫外老化程度；同时，围坝材料中掺有紫外线吸收剂成分，能够进一步降低紫外线对弹性体围坝的老化损伤；镜面铝膜表面的弹性体涂层，可以使得围坝在高温膨胀时不至使得镜面铝膜开裂或脱落；其底座采用氮化铝陶瓷制成，具有高导热特性。附图说明图1为本专利技术较佳实施例提供的深紫外LED封装支架俯视图；图2a为本专利技术较佳实施例提供的深紫外LED封装支架拆解图；图2b为本专利技术较佳实施例提供的深紫外LED封装支架低温组装示意图；图2c为本专利技术较佳实施例提供的深紫外LED封装支架常温围坝膨胀示意图；图3为本专利技术又一较佳实施例提供的深紫外LED封装支架拆解图。图中：1-围坝；11-卡脚；2-底座；21、21’-卡沟；22-卡槽；D-LED位置。具体实施方式以下结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。实施例1请参见图1及图2a，本专利技术较佳实施例提供的深紫外LED封装支架包括围坝1及底座2，围坝1中空且围坝1底部与底座2相接，LED置于底座2上部及围坝1中心，即图1中D位置处。围坝1外缘与底座2外缘齐平，且围坝1材料中掺有紫外线吸收剂成分。围坝1底部设有若干卡脚11，底座2上设有与卡脚11相适配的卡槽22，且卡槽22侧壁设有用于卡住卡脚的卡沟21。于此，围坝1表面镀镜面铝，此处表面是指镜面铝镀在围坝1的内表面、上表面及外表面，其下表面，即底面及卡脚不设置上述铝镀层。具体而言，围坝1材料的热膨胀系数远大于底座2材料的热膨胀系数，举例而言，各材料的热膨胀系数如下：氮化铝陶瓷4～6*10-6；Ppa塑料30～60*10-6。基于上述限定，卡脚11外径尺寸与卡槽22内径尺寸在10℃时大小相等。此种设置方式，可达到如下效果：低温时(低于10℃)，卡脚11收缩，其略小于卡槽22尺寸，支架易装配；恢复至常温或者随LED加热温度升高时(高于10℃)，卡脚11膨胀程度高于卡槽22，能够保证卡脚11与卡槽22之间气密性。本实施例中，底座2由氮化铝陶瓷材料制成，围坝1为有机塑料PPA或者耐高温树脂材料、或者两者掺杂制成。参照图2b及图2c，基于热胀冷缩原理：在低温状态下，卡脚11尺寸缩小，略小于与其适配的卡槽22，此时可轻易将卡脚11放入卡槽22内；当恢复常温或者到达高温时，卡脚11膨胀，其底部卡接在卡沟21内，防止围坝1松脱。此过程中，热膨胀系数较小的底座2尺寸几乎不变。本实施例中，卡沟21是在卡槽22底部一周内凹形成，其它实施例中还将有不同实现方式。实施例2为降低围坝1的老化速度，本实施例在其制作材料中掺杂了紫外线吸收剂，混合后挤压成型为围坝1。具体地，包括紫外线吸收剂UV-O、紫外线吸收剂UVP-327和/或紫外线吸收剂UV-531。各紫外线吸收剂成分在围坝1材料中配比如下：紫外线吸收剂UV-O为0.1％-0.5％，紫外线吸收剂UVP-327为1％～2％，紫外线吸收剂UV-531为0.1％-0.4％。各紫外线吸收剂具体比例可根据三者在围坝1的实际使用量在各自对应的配比范围内相应调整。此外，围坝1表面镀镜面铝，为防止镜面铝在围坝1膨胀过程中爆裂甚至脱落，在镜面铝与围坝1表面之间涂有弹性体涂层。于此，弹性体涂层材料包括透明聚氨酯弹性体，实际操作中，还可根据需要将透明聚氨酯弹性体替换为其它材质，对此本专利技术并不作限定。实施例3请参见图3，卡沟21还可设置为倒刺形状。如前所述，当卡脚11膨胀后，倒刺状的卡沟21可对围坝1进行固定。于此，卡脚11及与其适配的卡槽22个数均大于等于3，本实施例中为4个。于其它实施例中，卡沟21还可替换为凹凸花纹，以增加底座2与卡脚11的摩擦力。以上所述仅是本专利技术的优选实施例，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深紫外LED封装支架，其特征在于，包括底座及围坝，围坝中空且围坝底部与底座相接，LED置于底座上部及围坝中心，围坝外缘与底座外缘齐平，其中，所述围坝表面镀镜面铝，且围坝材料中掺有紫外线吸收剂成分。

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED封装支架，其特征在于，包括底座及围坝，围坝中空且围坝底部与底座相接，LED置于底座上部及围坝中心，围坝外缘与底座外缘齐平，其中，所述围坝表面镀镜面铝，且围坝材料中掺有紫外线吸收剂成分。2.根据权利要求1所述的深紫外LED封装支架，其特征在于，围坝材料的热膨胀系数大于底座材料的热膨胀系数。3.根据权利要求1所述的深紫外LED封装支架，其特征在于，所述紫外线吸收剂包括紫外线吸收剂UV-O、紫外线吸收剂UVP-327和/或紫外线吸收剂UV-531。4.根据权利要求3所述的深紫外LED封装支架，其特征在于，各紫外线吸收剂成分在围坝材料中配比如下：紫外线吸收剂UV-O为0.1％-0.5％，紫外线吸收剂UVP-327为1％～2％，紫外线吸收剂UV-531为0.1％-0.4％。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：白生茂，曲丞世，张晓裴，王洁，武帅，周德保，梁旭东，
申请(专利权)人：青岛杰生电气有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37