紫外LED封装方法技术

本发明专利技术公开了一种紫外LED封装方法，包括以下步骤：（11）、固晶步骤，将紫外LED芯片固设在基板腔体内的固晶区内；（12）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；（13）、等离子镀膜步骤，将固定有紫外LED芯片的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向紫外LED芯片表面及基板腔体内进行等离子镀膜；（14）、封盖板步骤，将透紫外光的盖板密封在基板腔体的口部。本发明专利技术的紫外LED封装方法，能够为紫外LED芯片再次增加一层保护薄膜，可以延缓盖板的老化，延长盖板的密封时间。采用透紫外光的盖板将基板腔体的口部密封，避免了环氧树脂或者硅胶耐紫外光性能较差出光效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体封装
，具体地说，涉及一种紫外LED封装方法。
技术介绍
紫外LED裸芯片封装技术主要有两种形式：一种是板上芯片(ChipOnBoard,COB)技术，另一种是倒装片技术。就COB工艺而言，半导体芯片是通过固晶程序将晶片交接贴装在基板上，再进行打线将芯片与基板间进行电连接，最后用树脂滴灌在芯片上，当树脂以流体方式完全在芯片及支架表面覆盖后进行固化，完成封装，目前常用的环氧树脂或者硅胶与LED芯片或者基板的连接处长时间使用由于老化等原因容易裂开，导致密封性能丧失，外界空气直接与芯片接触，影响芯片的性能。此外，就目前的树脂封装工艺来说，例如常用的环氧树脂或者硅胶，但紫外光对材料的老化影响较大，使其工作过程中出现黑斑，影响LED器件的性能，缩短LED器件的寿命。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有紫外LED封装方法所采用的材质易老化，密封性能丧失后直接影响到芯片性能的技术问题，提出了一种紫外LED封装方法，可以解决上述问题。为了解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案予以实现：一种紫外LED封装方法，包括以下步骤：（11）、固晶步骤，将紫外LED芯片固设在基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外LED封装方法，其特征在于，包括以下步骤：（11）、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；（12）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；（13）、等离子镀膜步骤，将固定有紫外LED芯片的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂喷涂剂进行等离子体镀膜，在紫外LED 芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜，所述保护薄膜的成分为碳氟类化合物；（14）、封盖板步骤，将透明的盖板密封在基板腔体的口部。

【技术特征摘要】
1.一种紫外LED封装方法，其特征在于，包括以下步骤：（11）、固晶步骤，将紫外LED芯片固设在基板腔体内的固晶区内；（12）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；（13）、等离子镀膜步骤，将固定有紫外LED芯片的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向紫外LED芯片表面及基板腔体内喷涂喷涂剂进行等离子体镀膜，在紫外LED芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜，所述保护薄膜的成分为碳氟类化合物；（14）、封盖板步骤，将透明的盖板密封在基板腔体的口部。2.根据权利要求1所述的紫外LED封装方法，其特征在于，所述喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯的至少一种。3.根据权利要求1所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中向紫外LED芯片表面及基板腔体内喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。4.根据权利要求1-3任一项所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中，将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生聚合反应，产生的聚合物均匀的沉积在紫外LED芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜。5.根据权利要求4所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，使得涂层的厚度为30-70nm。6.一种紫外LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：白生茂，曲丞世，张晓裴，潘娜，王洁，武帅，周德保，梁旭东，
申请(专利权)人：青岛杰生电气有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37