显示基板及其驱动方法和制备方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示基板及其驱动方法和制备方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的通过增加驱动电压来提高TFT的导通电流Ion会导致功耗增加的问题。本发明专利技术的显示基板，包括衬底基板、黑矩阵层和薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极；所述黑矩阵层位于所述衬底基板之上，所述有源层、源极和漏极均位于所述黑矩阵层的上方，所述源极和漏极分别与所述有源层连接，所述栅极位于所述有源层的上方；其中，所述黑矩阵层包括镂空图案，所述镂空图案与至少部分所述有源层对应设置，所述镂空图案内设置有电致变色材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，具体涉及一种显示基板及其驱动方法和制备方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
现有显示技术中，薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，简称TFT)是显示装置中的核心部件。理想的TFT需要满足以下条件，即开启时导通电流Ion最大，而关闭时闭合电流Ioff尽可能小。为实现这一目的，现有的TFT设计仅可通过不同的沟道的宽长比或驱动电压来调整其性能。但现有技术中至少存在如下问题：通过不同的沟道的宽长比控制电流，实际上在制备TFT的过程中，需要使用固定的掩膜板，因此，TFT的沟道的宽长比实际上是固定的，故导通电流Ion和闭合电流Ioff也是固定的，根本无法实现调整导通电流Ion和闭合电流Ioff的目的；而通过驱动电压控制电流，由于不同的驱动电压对应的电流是固定的(如图1所示)，若想要提高电流，则必须升高驱动电压，但驱动电压升高，会导致功耗增加。因此，如何在固定的沟道宽长比和驱动电压下提高TFT的导通电流Ion是亟须解决的问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够提高TFT的导通电流Ion的显示基板及其驱动方法和制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板、黑矩阵层和薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极；所述黑矩阵层位于所述衬底基板之上，所述有源层、源极和漏极均位于所述黑矩阵层的上方，所述源极和漏极分别与所述有源层连接，所述栅极位于所述有源层的上方；其中，所述黑矩阵层包括镂空图案，所述镂空图案与至少部分所述有源层对应设置，所述镂空图案内设置有电致变色材料。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板、黑矩阵层和薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极；所述黑矩阵层位于所述衬底基板之上，所述有源层、源极和漏极均位于所述黑矩阵层的上方，所述源极和漏极分别与所述有源层连接，所述栅极位于所述有源层的上方；其中，所述黑矩阵层包括镂空图案，所述镂空图案与至少部分所述有源层对应设置，所述镂空图案内设置有电致变色材料。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在每个所述薄膜晶体管的所述有源层对应的位置设置有至少一个所述镂空图案，且所述有源层的正投影与所述镂空图案的正投影部分重合。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在每个所述薄膜晶体管的所述有源层对应的位置设置有一个所述镂空图案，所述有源层的正投影与所述镂空图案的正投影重合。4.一种显示基板的驱动方法，其特征在于，所述显示基板为权利要求1至3任意一项所述的显示基板，所述驱动方法包括：向所述栅极施加第一电平，以使所述薄膜晶体管开启以及使所述电致变色材料呈透光态；向所述栅极施加第二电平，以使所述薄膜晶体管关闭...

【专利技术属性】
技术研发人员：董殿正，王俊伟，张斌，张强，解宇，王光兴，张衎，陈鹏名，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11