半导体器件及其操作方法技术

公开了一种半导体器件及其操作方法。半导体器件包括具有编程页和未编程页的存储块；外围电路，配置为执行存储块的读取操作；以及控制电路，配置为控制外围电路使得读取被施加至耦接到用于读取操作的页之中的选定页的字线，第一通过电压被施加至耦接到未选定用于读取操作的页之中的编程页的字线，以及比第一通过电压低的第二通过电压被施加到耦接到未选定用于读取操作的页之中的未编程页的字线。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年7月3日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0095405的韩国专利申请的优先权，其全部公开通过引用整体地并入本文。
本公开总的来说涉及半导体器件及其操作方法，更具体地说，涉及半导体器件的读取操作。
技术介绍
半导体存储器件是用于暂时或者永久地储存数据或者对数据编程供在计算机或者电子装置中使用的器件。半导体存储器件包括用于储存数据的存储单元阵列。存储单元阵列可以包括多个存储块。例如，NAND闪速阵列被集合成一系列的存储块，并且构成存储块的存储单元以多个单元串方式布置。单元串中的每一串可以包括源极选择晶体管、存储单元以及漏极选择晶体管。通常，构成存储块的每一单元串共享字线、源极选择线以及漏极选择线。包括在不同串内的源极选择晶体管的栅极可以连接到源极选择线，包括在不同串内的存储单元的栅极可以连接到字线，以及包括在不同串内的漏极选择晶体管的栅极可以连接到漏极选择线。在包括在不同单元串内的存储单元之中的连接到相同字线的一组存储单元可以称为页，并且编程和读取操作可以基于页来执行。
技术实现思路
本公开已经致力于提供能够提高读取操作和操作方法的可靠性的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：存储块，包括编程页和未编程页；外围电路，配置为在存储块的读取操作期间提供读取电压、第一通过电压以及第二通过电压；以及控制电路，配置为控制外围电路使得读取电压被施加至耦接到用于读取操作的页之中的选定页的字线，第一通过电压被施加至耦接到未选定用于读取操作的页之中的编程页的字线，以及比第一通过电压低的第二通过电压被施加到耦接到未选定用于读取操作的页之中的未编程页的字线。

【技术特征摘要】
2015.07.03 KR 10-2015-00954051.一种半导体器件，包括：存储块，包括编程页和未编程页；外围电路，配置为在存储块的读取操作期间提供读取电压、第一通过电压以及第二通过电压；以及控制电路，配置为控制外围电路使得读取电压被施加至耦接到用于读取操作的页之中的选定页的字线，第一通过电压被施加至耦接到未选定用于读取操作的页之中的编程页的字线，以及比第一通过电压低的第二通过电压被施加到耦接到未选定用于读取操作的页之中的未编程页的字线。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，外围电路包括：电压生成电路，配置为生成读取电压、第一通过电压以及第二通过电压，并且响应于读取操作信号和页地址而将所生成的电压发送至全局字线；行解码器，配置为根据行地址将通过全局字线所接收的电压发送至存储块的字线；页缓冲器，配置为响应于页缓冲器控制信号而对耦接到存储块的位线预充电并且通过位线发送/接收数据；列解码器，配置为根据列地址而用页缓冲器发送/接收数据；以及输入/输出电路，配置为接收命令和地址，并且用输入/输出电路发送/接收数据。3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，电压生成电路包括：电压生成单元，配置为响应于读取操作信号而生成读取电压、第一通过电压以及第二通过电压；以及电压发送单元，配置为根据页地址而向全局字线发送读取电压、第一通过电压以及第二通过电压。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，电压生成单元生成具有比第一通过电压低的正电压的第二通过电压。5.如权利要求3所述的半导体器件，其中，电压发送单元根据页地址而将读取电压发送至与选定页对应的全局字线、将第一通过电压发送至与编程页对应的全局字线、以及将第二通过电压发送至与未编程页对应的全局字线。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，控制电路包括：命令转换单元，配置为响应于从半导体器件外部接收到的命令而输出读取操作信号；

【专利技术属性】
技术研发人员：金成镐，朴玟相，李庚泽，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR