【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米结构生长领域，具体涉及一种催化剂辅助真空热蒸发生长微观形貌为纳米棒CdS的方法。
技术介绍
CdS属于II-VI族半导体材料，同该族其他半导体材料一样是直接能隙半导体，室温下的禁带宽度为2.42电子伏特，属可见光范畴。在光电子领域，它是非常重要的一种半导体材料，可被用于构建非线性光学器件和发光二极管。同时它也是很好的光活性波导和电致发光材料，可被广泛用于通讯、信息存储以及高集成的化学或生物传感器等领域。近年来，纳米材料的发展显示，纳米尺度的材料很可能有更优异的性质，可以制备出性能更好的器件。在纳米材料中，一维纳米材料，包括纳米棒、纳米线等都有重要的技术应用前景，是当前材料科学技术研究的热点之一。目前已有的众多生长一维纳米结构的方法中，热蒸发法和化学气相沉积法是操作相对简单、成本廉价的方法。美国华盛顿大学Younan Xia小组采用空气中热氧化法在Cu衬底表面氧化生成了具有均匀阵列密度的CuO纳米线阵列，参阅Nano Lett.第12期第2卷1334-1338页；中国中山大学N.S.Xu小组采用直接热蒸发法在(100)Si衬底上生成了高度与直径均...
【技术保护点】
一种催化剂辅助真空热蒸发生长ＣｄＳ纳米棒的方法，其特征在于通过以下工艺过程实现的：按摩尔比为１∶０．３５－１∶０．０１的比例将ＣｄＳ粉末与铋金属粉末均匀混合后置于以钼片为材料做成的电阻加热舟中，将衬底设置于蒸发源上方３毫米至３厘米处，当包含有电阻加热舟和衬底的真空蒸发炉腔体的真空度达到２×１０↑［－２］－２×１０↑［－３］Ｐａ后，优选在２×１０↑［－３］时，密闭腔体，通电流为１００－１８０Ａ热蒸发沉积５分钟－１５分钟，在衬底上形成黄色或黄褐色的沉积物，即为ＣｄＳ纳米棒。
【技术特征摘要】
1、一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdS纳米棒的方法，其特征在于通过以下工艺过程实现的：按摩尔比为1:0.35-1:0.01的比例将CdS粉末与铋金属粉末均匀混合后置于以钼片为材料做成的电阻加热舟中，将衬底设置于蒸发源上方3毫米至3厘米处，当包含有电阻加热舟和衬底的真空蒸发炉腔体的真空度达到2×10-2-2×10-3Pa后，优选在2×10-3时，密闭腔体，通电流为100-180A热蒸发沉积5分钟-15分钟，在衬底上形成黄色或黄褐色的沉积物，即为CdS纳米棒。2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所用生长装置是真空蒸发炉。3、如权利要求1所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：简基康，邹华，吴荣，孙言飞，郑毓峰，
申请(专利权)人：新疆大学，
类型：发明
国别省市：65[中国|新疆]
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