一种电容屏点位识别与跟踪的方法及其装置制造方法及图纸

技术编号:14290792 阅读:100 留言:0更新日期:2016-12-25 21:26
本发明专利技术提供一种电容屏点位的识别与跟踪的方法及其装置,所述方法包括:获取电容屏各个点位的电容值;阈值判断,基于各个点位的电容值判断出疑似触摸点位;联通区域判定,将疑似触摸点位形成的不同触摸区域分别进行标记;局部最大值识别,将不同触摸区域内点位电容值分别以动态链表的形式进行存储,并对动态链表按照电容值的大小进行排序;精确点位计算,根据动链表排序后电容值结果,确定最大电容值所在的点位;点位跟踪,根据点位计算结果,确定最大电容值所在点位在不同帧之间的变化轨迹。因此,可以用动态链表对联通区域内的点位进行记录并排序,降低查找最大值的复杂度,并且可以提高存储空间利用率,可识别的点数也可以灵活地配置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电容屏点位的识别与跟踪的方法及其装置,尤其涉及一种电容屏多点识别与跟踪的方法及其装置。
技术介绍
随着科学技术的进步,计算机系统已经成为人们生活的一部分,而且计算机系统越来越小型化,给人们生活带来极大的便利性。作为计算机系统常见的输入装置包括:鼠标、键盘、触摸屏以及类似的装置。这些输入装置中,触摸屏凭借着操作简单、功能多样化等优势,深受人们的青睐,触摸屏技术在人们追捧的过程中,也得到了很好的发展、完善。触摸屏一般包括一个触摸面板、一个控制器和一个软件驱动器,用户或者触笔通过在触摸面板上简单的选择或者移动光标,该触摸动作就可以被触摸面板内的传感器检测,然后通过控制器、软件驱动器反馈至计算机系统;随后基于上述触摸动作执行计算机系统预设的操作。但是随着智能设备的迅猛发展,对触控技术提出了越来越高的要求,从硬件来看,触摸屏开始从自电容屏发展到互电容屏,从多层ITO(IndiumTinOxide,掺锡氧化铟)演变为单程ITO,向着高透光率、高灵敏度和高精确度发展。例如,在申请号为CN201110087942.4的中国专利申请中,公开了一种多点触摸屏,并且能为多点触摸中的每点本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/55/201510155798.html" title="一种电容屏点位识别与跟踪的方法及其装置原文来自X技术">电容屏点位识别与跟踪的方法及其装置</a>

【技术保护点】
一种电容屏点位识别与跟踪的方法,其特征在于,包括:获取电容屏各个点位的电容值;阈值判断,基于所述各个点位的电容值判断出疑似触摸点位;联通区域判定,所述联通区域判定是将所述疑似触摸点位形成的不同触摸区域分别进行标记;局部最大值识别,所述局部最大值识别包括将所述不同触摸区域内点位电容值分别以动态链表的形式进行存储和对动态链表按照电容值的大小进行排序;精确点位计算,根据所述动链表排序后电容值结果,确定最大电容值所在的点位;点位跟踪,根据所述点位计算结果,按照最短距离更新法,确定所述最大电容值所在点位在不同帧之间的变化轨迹。

【技术特征摘要】
1.一种电容屏点位识别与跟踪的方法,其特征在于,包括:获取电容屏各个点位的电容值;阈值判断,基于所述各个点位的电容值判断出疑似触摸点位;联通区域判定,所述联通区域判定是将所述疑似触摸点位形成的不同触摸区域分别进行标记;局部最大值识别,所述局部最大值识别包括将所述不同触摸区域内点位电容值分别以动态链表的形式进行存储和对动态链表按照电容值的大小进行排序;精确点位计算,根据所述动链表排序后电容值结果,确定最大电容值所在的点位;点位跟踪,根据所述点位计算结果,按照最短距离更新法,确定所述最大电容值所在点位在不同帧之间的变化轨迹。2.如权利要求1所述电容屏点位识别与跟踪的方法,其特征在于,所述局部最大值识别还包括对排序后的动态链表进行筛选,所述筛选是将动态链表中各点位对应的电容值与预定的阈值进行比较,大于该阈值的点位为疑似局部最大值点位。3.如权利要求2所述电容屏点位识别与跟踪的方法,其特征在于,所述局部最大值识别还包括对所述局部最大值进行检测,所述检测方法是将所述疑似局部最大值点位与其上下左右四个点位的电容进行比较,如果所述四个点位的电容都小于所述疑似最大值点位的电容,那么可以判定所述疑似局部最大值点位为局部最大值点位。4.如权利要求2所述电容屏点位识别与跟踪的方法,其特征在于,当所述动态链表只有一条时,所述阈值设置成所述排序后动态链表中最大值对应点位的电容值的50%;当所述动态链表至少设置有两条时,并且所述至少两条动态链表分别对应至少两个不同的触摸区域,每个动态链表筛选用的阈值分别设置成各自排序后动态链表中最大值对应点位的电容值的50%。5.如权利要求2或3所述电容屏点位识别与跟踪的方法,其特征在于,所述局部最大值进行检测的结果可以有一个最大值点...

【专利技术属性】
技术研发人员:卞育华赵玉军
申请(专利权)人:上海炬力集成电路设计有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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