一种超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法，包含以下步骤：1)将CVD法生长的石墨烯/金属箔的石墨烯面与含胶膜贴合在一起，形成含胶膜/石墨烯/金属箔的结构；2)去除金属箔，形成含胶膜/石墨烯的结构；3)对2)所述胶膜/石墨烯进行干燥处理；4)将超薄超柔性的目标基底与背膜复合，裁切、预缩处理，形成背膜支撑的超薄超柔性的目标基底；5)将步3)所述干燥后的含胶膜/石墨烯的石墨烯转移至步骤4)所述的背膜支撑的超薄超柔性的目标基底上，形成含胶膜/石墨烯/超薄基底/背膜；6)去除含胶膜、背膜，得到本发明专利技术石墨烯/超薄基底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种石墨烯薄膜制备的改进方法，具体涉及气相沉积法制备超薄超柔性石墨烯薄膜的改进方法，属于石墨烯薄膜的制备方法领域。
技术介绍
石墨烯，英文名Graphene，是碳原子按照六角排列而成的二维晶格结构。这种石墨晶体薄膜自2004年被曼彻斯特大学的科学家发现之后，就成为科学界和工业界关注的焦点。石墨烯的厚度只有0.335纳米，不仅是已知材料中最薄的一种，还非常牢固坚硬同时柔韧性极佳；作为单质，它在室温下传递电子的速度比已知所有的导体和半导体都快，本征迁移率可达到2×105cm2/(V·S)，这些优异的特性使其在超柔性电子器件或者超柔性智能穿戴领域中有着广阔的应用前景。想要获得超薄超柔性的石墨烯导电薄膜并应用于超柔性电子器件或者超柔性智能穿戴领域，需要将石墨烯薄膜完整转移至某种超薄(十微米量级)柔性目标衬底的表面。为了充分发掘石墨烯的超柔性的特质，首要的就是解决如何将CVD法生长的石墨烯完整转移至某种超薄超柔性的目标基底表面同时满足一定方阻的问题。CVD法生长的石墨烯薄膜目前产业化过程中主要采用的两种转移方法是树脂胶转移法和含胶膜转移法。树脂转移法就是在目标基底的表面预先涂布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：包含以下步骤：1)将CVD法生长的石墨烯/金属箔的石墨烯面与含胶膜贴合在一起，形成含胶膜/石墨烯/金属箔的结构；2)去除金属箔，形成含胶膜/石墨烯的结构；3)对2)所述胶膜/石墨烯进行干燥处理；4)将超薄超柔性的目标基底与背膜复合，裁切、预缩处理，形成背膜支撑的超薄超柔性的目标基底；5)将步3)所述干燥后的含胶膜/石墨烯的石墨烯转移至步骤4)所述的背膜支撑的超薄超柔性的目标基底上，形成含胶膜/石墨烯/超薄基底/背膜；6)去除含胶膜、背膜，得到本专利技术石墨烯/超薄基底；优选的，按照上述步骤可以转移一层或者多层石墨烯。

【技术特征摘要】
1.一种超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：包含以下步骤：1)将CVD法生长的石墨烯/金属箔的石墨烯面与含胶膜贴合在一起，形成含胶膜/石墨烯/金属箔的结构；2)去除金属箔，形成含胶膜/石墨烯的结构；3)对2)所述胶膜/石墨烯进行干燥处理；4)将超薄超柔性的目标基底与背膜复合，裁切、预缩处理，形成背膜支撑的超薄超柔性的目标基底；5)将步3)所述干燥后的含胶膜/石墨烯的石墨烯转移至步骤4)所述的背膜支撑的超薄超柔性的目标基底上，形成含胶膜/石墨烯/超薄基底/背膜；6)去除含胶膜、背膜，得到本发明石墨烯/超薄基底；优选的，按照上述步骤可以转移一层或者多层石墨烯。2.根据权利要求1所述的超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述的含胶膜为有机硅压敏胶膜、PMMA胶膜、聚酰亚胺胶膜、PU胶膜或热释放胶带，优选有机硅压敏胶膜或PMMA胶膜；进一步优选的，所述胶膜与石墨烯/金属箔采用辊压的方法进行贴合。3.根据权利要求1所述的超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述去除金属箔采用刻蚀的方法，即化学腐蚀法或者电化学腐蚀法。4.根据权利要求1所述的超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，还包括对石墨烯的表面进行化学掺杂的工艺步骤，形成含胶膜/石墨烯/掺杂物质的结构，经过步骤3)-6)后，本发明薄膜最终结构为石墨烯/掺杂物/超薄基底；优选的，所述化学掺杂通过在石墨烯表面吸附掺杂试剂而成。5.根据权利要求4所述的超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的掺杂试剂包括TFSA、TFSA-Li、TFSA-Au、氯化钠、氯化钙、氯化亚铁、氯化铁、氯化金、氯化锌、氯化铝、氯化铵...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，谭化兵，季恒星，
申请(专利权)人：无锡格菲电子薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32