一种浸泡喷淋刻蚀方法及设备技术

本发明专利技术提供一种浸泡喷淋刻蚀方法及浸泡喷淋刻蚀设备，所述浸泡喷淋刻蚀方法包括：先将生长有石墨烯的基底具有需要留存的石墨烯薄膜的一面覆盖一层保护膜；再加入到流动的刻蚀药液中刻蚀基底，形成保护膜/石墨烯。所述浸泡喷淋刻蚀设备包括刻蚀装置、配液装置、出液管和补液管，所述刻蚀装置包括刻蚀槽，所述配液装置包括配液槽，所述出液管连通所述刻蚀槽的底部和所述配液槽的底部，用于药液从刻蚀槽底部流向配液槽底部，所述补液管连通所述刻蚀装置和配液装置，用于药液从配液装置流向刻蚀装置。本发明专利技术提供的方法及设备能使基底刻蚀速率均衡，保证石墨烯方阻的均匀和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种浸泡喷淋刻蚀方法及设备
本专利技术属于石墨烯基底刻蚀的工程领域，涉及一种优化改良刻蚀金属基底的过程方法。
技术介绍
目前石墨烯薄膜的生产，是采用垂直浸泡刻蚀的方式，多片产品同时放置在治具内，然后在仅有内循环和单出口流动的槽内刻蚀金属基底，由于槽内药液流动不均匀，添加的药水和槽内的药水混合得较慢以及槽内药水组分从上到下会产生比重差异，导致铜箔的刻蚀速率出现差异，产品阻值大小不一。由于刻蚀铜箔的过程中导致的产品阻值的不稳定性，会使后续生产的产品遇到各种问题，比如红外的良率等。对此，需要优化刻蚀金属基底的过程，使刻蚀槽内铜箔的刻蚀速率均一，需要克服现有技术中的槽内药液流动不均匀、添加的药水和槽内的药水混合较慢以及药水组分比重差异的问题。
技术介绍
部分的内容仅仅是专利技术人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。
技术实现思路
针对现有技术存在问题中的一个或多个，本专利技术的目的是将现有的集中垂直刻蚀的方式，改为浸泡喷洒刻蚀，让更混合均匀的药水匀速达到每片产品金属基底的表面，实现稳定均匀的将基底铜刻蚀干本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浸泡喷淋刻蚀方法，其特征在于，包括：/n先将生长有石墨烯的基底具有需要留存的石墨烯薄膜的一面覆盖一层保护膜；/n再加入到流动的刻蚀药液中刻蚀基底，形成保护膜/石墨烯。/n

【技术特征摘要】
1.一种浸泡喷淋刻蚀方法，其特征在于，包括：
先将生长有石墨烯的基底具有需要留存的石墨烯薄膜的一面覆盖一层保护膜；
再加入到流动的刻蚀药液中刻蚀基底，形成保护膜/石墨烯。


2.根据权利要求1所述的浸泡喷淋刻蚀方法，其特征在于，所述加入到流动的刻蚀药液中刻蚀基底的方法为：将覆盖有保护膜的石墨烯/基底置于刻蚀药液中浸泡，并向生长有石墨烯的基底的表面喷洒刻蚀药液；
优选地，所述基底为金属基底；进一步优选地，所述基底为铜基底、镍基底或铜镍合金基底；
优选地，所述刻蚀药液为盐酸/双氧水溶液；进一步优选地，所述盐酸/双氧水溶液中，HCL含量为35-50g/L、H2O2的含量为0.7-0.95M；
优选地，所述刻蚀药液的温度控制在20-25℃；
优选地，所述喷洒刻蚀药液的压力为1-1.5kg/cm2；优选地，所述刻蚀药液没过所述覆盖有保护膜的石墨烯/基底的高度为10-50mm，优选30mm；
优选地，所述喷洒刻蚀药液为向覆盖有保护膜的石墨烯/基底的两面同时喷洒刻蚀药液；进一步优选地，向覆盖有保护膜的石墨烯/基底的上表面喷洒刻蚀药液的压力为1-1.5kg/cm2，向覆盖有保护膜的石墨烯/基底的下表面喷洒刻蚀药液的压力比向上表面喷洒刻蚀药液的压力大0.3-0.5kg/cm2；
优选地，薄膜上被刻蚀的金属基底的厚度的计算方法为：
H＝V1*T；
其中，H为被刻蚀的金属基底的厚度，单位为mm；
V1为药水的刻蚀速率，单位为mm/min；
T为刻蚀的时间，单位为min。


3.根据权利要求1或2所述的浸泡喷淋刻蚀方法，其特征在于，还包括对喷洒的刻蚀药液进行药液补充；优选地，所述浸泡喷淋刻蚀方法还包括刻蚀完成后，对所述保护膜/石墨烯进行风干。


4.一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括：
使用权利要求1-3所述的浸泡喷淋刻蚀方法；和
将所述保护膜/石墨烯的石墨烯面与目标衬底贴合，去除保护膜，即完成一层石墨烯薄膜的转移。


5.一种浸泡喷淋刻蚀设备，其特征在于，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，刘海滨，茅丹，张娟娟，
申请(专利权)人：无锡格菲电子薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32