硒化镉纳米团的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硒化镉纳米团的制备方法：分别以二氯化镉（ＣｄＣｌ↓［２］）和硒代硫酸钠（Ｎａ↓［２］ＳｅＳＯ↓［３］）为镉源和硒源，镉和硒的摩尔比为１０∶１～１０，二氯化镉和二水合柠檬酸三钠的摩尔比为２．１∶１；在氩气保护并搅拌下，先往三口反应器中补充二次蒸馏水以调节总体积，使最终混合反应液中的镉浓度为３．２ｍｏｌ.ｌ↑［－１］然后按比例分别加入ＣｄＣｌ↓［２］溶液和二水合柠檬酸三钠，并加热至８０～１００℃，接着往反应液中注入Ｎａ↓［２］ＳｅＳＯ↓［３］溶液并开始计时，反应１５～１２０ｍｉｎ后停止加热，即得到１７～２５ｎｍ柠檬酸钠保护的硒化镉纳米团。合成的ＣｄＳｅ纳米团是一种新颖的无序体系纳米材料，并且由于安德森无序势阱，可使得纳米团能实现室温的量子充放电，成为室温单电子器件的功能元件。

【技术实现步骤摘要】
硒化镉纳米团的制备方法
本专利技术涉及一种硒化镉纳米团的制备方法。
技术介绍
半导体纳米晶的光、电性质可以通过改变其物理尺寸而得到调节，而且可产生色纯度较高的发射光，它们在光电子器件和生物荧光标记等方面显示出了光明的应用前景。在过去的二十多年里，科学家们发展并掌握了合成高质量半导体纳米晶的方法，制备了尺寸分布变得很窄、荧光量子产率很高的纳米晶。实验结果指出，纳米晶的荧光量子产率与纳米晶的表面性质有很大关系。由于纳米晶比表面积很大，表面键态和电子能态不同于颗粒内部，如果粒子表面存在着大量没有配位的悬键，就会引起在能隙中一些附加缺陷能级的形成。在这种情况下，当激发光作用于半导体纳米晶时，除了产生相对较窄的带边荧光发射谱带外，还会在较长波长处产生一个较宽的缺陷态发光谱带。这在较低温度下合成的半导体纳米晶中经常发生。对于具有良好晶体结构的纳米晶的量子限域效应，能带理论可以给出很好的解释。而对于无序的半导体纳米材料，能带理论就不一定适用了，需要用“Mott-CFO(莫特-科弗奥)模型”来解释(参见：莫特等著，《非晶材料中的电子过程(第二版)》，英国牛津克莱瑞登出版社，1979年版(N.F.M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硒化镉纳米团的制备方法，其特征在于，步骤和条件为：分别以二氯化镉（ＣｄＣｌ↓［２］）和硒代硫酸钠（Ｎａ↓［２］ＳｅＳＯ↓［３］）为镉源和硒源，镉和硒的摩尔比为１０∶１～１０，二氯化镉和二水合柠檬酸三钠的摩尔比为２．１∶１；在氩气保护并搅拌下，先往三口反应器中补充二次蒸馏水以调节总体积，使最终混合反应液中的镉浓度为３．２ｍｏｌ.ｌ↑［－１］，然后按比例分别加入ＣｄＣｌ↓［２］溶液和二水合柠檬酸三钠，并加热至８０～１００℃，接着往反应液中注入Ｎａ↓［２］ＳｅＳＯ↓［３］溶液并开始计时，反应１５～１２０ｍｉｎ后停止加热，即得到柠檬酸钠保护的硒化镉纳米团。

【技术特征摘要】
1、一种硒化镉纳米团的制备方法，其特征在于，步骤和条件为：分别以二氯化镉(CdCl2)和硒代硫酸钠(Na2SeSO3)为镉源和硒源，镉和硒的摩尔比为10∶1～10，二氯化镉和二水合柠檬酸三钠的摩尔比为2.1∶1；在氩气保护并搅拌下，先往三口反应器中补充二次蒸馏...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪尔康，包海峰，黄利坚，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]