一种ＣｕＯ稻草状纳米结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣｕＯ稻草状纳米结构及其制备方法，这种纳米稻草是由多簇ＣｕＯ纳米线从衬底直接生长而成的，具有很密集的浓度，并具有比较尖锐的尖端，其长度在为３０－６０μｍ，顶端直径为１００－３００ｎｍ。本发明专利技术为一种ＣｕＯ纳米稻草状结构。相对于以前合成的纳米结构，本发明专利技术的突出特点是：（１）生长温度非常低，只需要在室温的情况下进行，小烧杯中的温度最高也只有５０℃，所以降低了对设备的要求；（２）压力只需要是常压即可；（３）不需要非常困难的操作，方法非常的简单；（４）不需要催化剂，节省资源；（５）成本低，重复性好，而且是大面积的生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米结构，具体涉及一种由纳米构造而成的CuO稻草状结构以及用水热的方法，在正常的大气压强和没有催化剂的条件下，在铜片衬底上得到大面积这种结构的制备方法，属于半导体材料、光电子材料与器件
技术背景CuO是一种宽禁带半导体，并且具有较大的激子束缚能，在光电子器件、光催化和太阳能电池中有很大的应用前景，又由于其热稳定性，高机械强度和化学稳定性等特殊性质，引起了人们对其纳米结构的场发射特性研究的兴趣。特别是近年来，视频技术的不断进步导致人们对视觉感受的不断提高。原来的CRT(阴极射线管)及其LCD液晶显示器凸现出它们的一些弊端，等离子的造价太高的问题，人们对场发射显示器越来越感兴趣，对其期望值也越来越高，想必在不久的将来由场发射材料制造的显示设备将大批的普及。所以近来，人们利用各种方法(固相法、控制双射流的液相沉积技术、喷雾热解法、醇解法和声化学法等)制备出了各种不同的一维CuO纳米结构，例如纳米线，纳米带，纳米针，纳米蒲公英，纳米铅笔，纳米棒等，并对这些-->纳米结构的场发射特性进行了研究，结果表明，具有尖端的那些纳米结构更容易发射出电子，然而到目前为止，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣｕＯ稻草状纳米结构，其特征在于：这种纳米稻草是由多簇ＣｕＯ纳米线从衬底直接生长而成的，具有很密集的浓度，并具有比较尖锐的尖端，其长度为３０－６０μｍ，顶端直径为１００－３００ｎｍ。

【技术特征摘要】
1、一种CuO稻草状纳米结构，其特征在于：这种纳米稻草是由多簇CuO纳米线从衬底直接生长而成的，具有很密集的浓度，并具有比较尖锐的尖端，其长度为30-60μm，顶端直径为100-300nm。2、如权利要求1所述的CuO稻草状纳米结构的制备方法，具体工艺如下：a)将铜片打磨，用超声波清洗干净，然后切成几小片约1cm×1.5cm；b)取10M/L(摩尔每升)的KOH溶液10-15毫升放入烧杯中；c)把铜片放入小烧杯中，静置60min-70min；d)再用量筒取15-20毫升浓度为30％双氧水，然后用滴管匀速逐滴的把双氧水滴入烧杯中；e)反应进行12-13小时后，把表面完全变黑的铜片取出；f)把铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚德建，郁可，徐建文，吴晋，许玉娥，朱自强，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]