【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED晶胞的制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是由数层很薄的掺杂半导体材料制成,一层带过量的电子,另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”,当有电流通过时,电子和空穴相互结合并释放出能量,从而辐射出光芒。LED的制造流程主要包括:由蓝宝石做衬底,生长GaN发光外延层;然后在发光外延层上进行光刻工艺,对发光外延层进行刻蚀,以形成完全分离的LED晶胞。现有技术中的缺点是:根据外延层的厚度,光刻胶的厚度一般要达到10微米以上,才能达到完全分离LED的要求,否则根据刻蚀选择比,干法刻蚀会刻蚀到外延层,破坏LED结构的完整性;其次,由于光刻胶较厚,光刻工艺难以调试且容易造成生产的不稳定,良率难以控制;最后,厚的光刻胶成本较贵,用量也较多,不利于成本的控制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法,能减少光刻胶的用量。本专利技术为解决其技术问题采用的技术方案是:一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法,包括以下步骤:(1)提供一PSS蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上沉积外延层;(2)在外延层上沉积复合掩模层,所述复合掩模层包括至少三层掩膜;(3)在复合掩模层表面涂上光刻胶,待光刻胶固化后形成光阻层,光阻层的厚度为1.5-3.5微米;(4)对光阻层进行图形化,为下一步湿法及干法刻蚀作准备;(5)采用湿化刻蚀的方法,将复合掩模层上没有光阻层保护的部分去除掉,对复合掩模层图形化;(6)采用ICP干法刻蚀方法,将外延层上没有复合掩模层和光阻层保护的部分去除掉;(7)依次去除光阻层和复合掩模层,露出外延层,在蓝宝石衬底上形成数个独 ...
【技术保护点】
一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)提供一蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上沉积外延层;(2)在外延层上沉积复合掩模层,所述复合掩模层包括至少三层掩膜,所述掩膜为能够进行湿法腐蚀的薄膜;(3)在复合掩模层表面涂上光刻胶,待光刻胶固化后形成光阻层,光阻层的厚度为1.5‑3.5微米;(4)对光阻层进行图形化,为下一步湿法及干法刻蚀作准备;(5)采用湿化刻蚀的方法,将复合掩模层上没有光阻层保护的部分去除掉,对复合掩模层图形化;(6)采用ICP干法刻蚀方法,将外延层上没有复合掩模层和光阻层保护的部分去除掉;(7)依次去除光阻层和复合掩模层,露出外延层,在蓝宝石衬底上形成数个独立的LED晶胞。
【技术特征摘要】
1.一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)提供一蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上沉积外延层;(2)在外延层上沉积复合掩模层,所述复合掩模层包括至少三层掩膜,所述掩膜为能够进行湿法腐蚀的薄膜;(3)在复合掩模层表面涂上光刻胶,待光刻胶固化后形成光阻层,光阻层的厚度为1.5-3.5微米;(4)对光阻层进行图形化,为下一步湿法及干法刻蚀作准备;(5)采用湿化刻蚀的方法,将复合掩模层上没有光阻层保护的部分去除掉,对复合掩模层图形化;(6)采用ICP干法刻蚀方法,将外延层上没有复合掩模层和光阻层保护的部分去除掉;(7)依次去除光阻层和复合掩模层,...
【专利技术属性】
技术研发人员:许德裕,郝锐,李玉珠,
申请(专利权)人:广东德力光电有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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