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本发明公开了一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法，包括在外延层上沉积复合掩模层，所述复合掩模层包括至少三层掩膜；在复合掩模层表面上形成光阻层，光阻层的厚度为1.5‑3.5微米；光阻层图形化；复合掩模层图形化；采用ICP的方法将外延层上没有光...
该专利属于广东德力光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东德力光电有限公司授权不得商用。

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