半导体发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种将配光扩大的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；及第2金属层，电连接于所述第2半导体层。所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请享有以日本专利申请2015-120275号(申请日：2015年6月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式是涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
半导体发光装置例如具备将p型半导体层、发光层及n型半导体层积层而成的发光体。自该发光体释放的光在积层方向上具有较高的亮度。因此，在需要较宽的配光的用途中，要求提升与积层方向交叉的方向上的亮度。例如，当使用荧光体进行自发光层所放射的光的波长转换时，较理想为不仅配置在积层方向而且配置在发光体周围的荧光体也激发，作为整体使发光效率提升。
技术实现思路
本专利技术的实施方式是提供一种将配光扩大的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；以及第2金属层，电连接于所述第2半导体层。所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。附图说明图1(a)是示意性表示第1实施方式的半导体发光装置的顶视图，(b)是半导体发光装置的示意剖视图。图2(a)是示意性表示第1实施方式的半导体发光装置的其他顶视图，(b)及(c)是半导体发光装置的主要部分示意剖视图。图3(a)～(c)是例示发光体内的光传播路径的示意剖视图。图4(a)～(c)是表示第1实施方式的半导体发光装置的制造过程的示意剖视图。图5(a)～(c)是表示接着图4(c)的制造过程的示意剖视图。图6(a)及(b)是表示接着图5(c)的制造过程的示意剖视图。图7(a)及(b)是表示接着图6(b)的制造过程的示意剖视图。图8(a)及(b)是表示接着图7(b)的制造过程的示意剖视图。图9(a)是示意性表示第2实施方式的半导体发光装置的顶视图，(b)及(c)是半导体发光装置的主要部分示意剖视图。图10(a)是示意性表示第3实施方式的半导体发光装置的顶视图，(b)是半导体发光装置的主要部分示意剖视图。图11(a)及(b)是表示第3实施方式的变化例的半导体发光装置的示意剖视图。具体实施方式以下，对于实施方式，一边参照附图一边进行说明。对于附图中的同一部分，标注同一编号，且将其详细的说明适当省略，而对不同的部分进行说明。另外，附图为示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、及部分间的大小比例等未必限定于与现实情况相同。而且，即便表示相同的部分时，也存在彼此的尺寸或比例因附图而不同地表示的情形。另外，以下的实施方式中所说明的半导体发光装置为一例，并非限定于这些半导体发光装置。而且，各半导体发光装置中所说明的技术性特征在可技术性适用时，则在各实施方式中可共同地适用。(第1实施方式)图1(a)是示意性表示第1实施方式的半导体发光装置1的顶视图。图1(b)是沿着图1(a)中所示的A-A线的半导体发光装置1的示意剖视图。半导体发光装置1为芯片状的光源，且例如安装在安装衬底上。如图1(a)所示，半导体发光装置1具备发光体10、及衬底20。发光体10是设置在衬底20之上。半导体发光装置1在衬底20上具有与发光体10并排设置的接合垫31。如图1(b)所示，发光体10是隔着接合层25接合于衬底20。发光体10包含第1导电型的第1半导体层(以下称为n型半导体层11)、第2导电型的第2半导体层(以下称为p型半导体层12)、及发光层15。发光体10具有将n型半导体层11、发光层15、及p型半导体层12依序地积层而成的结构。以下，将第1导电型设为n型，将第2导电型设为p型进行说明，但并非仅限于此。实施方式也包括将第1导电型设为p型，将第2导电型设为n型的情况。发光体10具有包含n型半导体层11的表面的第1面10a、包含p型半导体层12的表面的第2面10b、及包含n型半导体层11的外缘的侧面10c。进而，发光体10具有设置在第2面10b侧的凹部50。凹部50是设置为自第2面10b到达n型半导体层11中的深度。而且，凹部50包含具有内面50a及50b的部分、及具有2个内面50b的部分。内面50a係与侧面10c对向，且例如沿着侧面10c延伸。此处，所谓「对向」是指侧面10c与内面50a相互面对，且包含侧面10c与内面50a不平行的情况。而且，凹部50例如将p型半导体层12分离为第1部分12a与第2部分12b。内面50a包含第1部分12a的端面，内面50b包含第2部分12b的端面。自发光层15放射的光主要自第1面10a释放到发光体10之外。第1面10a具有光提取结构。光提取结构是抑制放射光的全反射，使光提取效率提升。例如，第1面10a设置有微细的突起，从而被粗面化。半导体发光装置1是在发光体10的第2面10b侧，具有第1金属层(以下称为n电极33)及第2金属层(以下称为p电极35)、第3金属层(以下称为金属层37、39)。n电极33是在凹部50的底面，电连接于n型半导体层11。p电极35是设置在p型半导体层12的第2部分12b上，且电连接于p型半导体层12。p电极35未设置在p型半导体草12的第1部分12a上。金属层37是设置在p电极35上。n电极33、p电极35及金属层37、39优选包含相对于发光层15的放射光而言反射率较高的材料。n电极33例如包含铝(Al)。p电极35、金属层37及39例如包含银(Ag)。另外，也可以是未设置金属层37及39的结构。半导体发光装置1具有电介质膜41、45、47。电介质膜41是在凹部50的内面，将未设置n电极33的部分覆盖。电介质膜41覆盖保护发光层15的外缘。电介质膜45将凹部50的整体覆盖。电介质膜45将n电极33覆盖，使n电极33与衬底20及接合层25电绝缘。电介质膜45也可以是与电介质膜41相同的材料。电介质膜47将发光体10的第1面10a及侧面10c覆盖。电介质膜47例如将侧面10c上所露出的发光层15覆盖保护。而且，电介质膜47使发光体10与树脂之间的密接性提升。即，对于在半导体发光装置1之上设置有包含荧光体的树脂的情形较为有效。金属层37是在电介质膜45上延伸，将n电极33与p电极35之间的电介质膜41及45覆盖。金属层39是设置在电介质膜45之上，将凹部50的内面50a、及侧面10c与内面50a之间的第2面10b的至少一部分覆盖。金属层37在n电极33与p电极35之间，将穿过电介质膜41及45沿衬底20的方向传播的光反射，使该光沿朝向第1面10a的方向返回。金属层39在发光体10的外缘部，将穿过电介质膜41及45沿衬底20的方向传播的光反射，使该光沿朝向第1面10a或侧面10c的方向返回。接合层25是以将金属层37、39及电介质膜45覆盖的方式设置。接合层25是例如包含含有金锡(AuSn)、镍锡(NiSn)等焊料的接合金属的导电层。p电极35是经由金属层37电连接于接合层25。而且，接合层25电连接于具有导电性的衬底20。接合层25是在p电极35、金属层37、39、及接合金属之间包含例如钛(Ti)、钛-钨(TiW)等高熔点金属膜。高熔点金属膜是作为防止焊料扩散到p电极35、金属层3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，其特征在于：包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、以及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；以及第2金属层，电连接于所述第2半导体层；所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。

【技术特征摘要】
2015.06.15 JP 2015-1202751.一种半导体发光装置，其特征在于：包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、以及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；以及第2金属层，电连接于所述第2半导体层；所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：所述第1及第2侧面与所述内面的间隔为所述发光体的积层方向的厚度的0.2倍以上且10倍以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：在所述内面与所述第2面之间朝向所述第1及第2侧面的内角为90度以上。4.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：所述内面将所述发光层包围。5.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：所述凹部在所述第2面具有开口，所述开口的最小宽度为所述发光体的积层方向的宽度的0.1倍以上且10倍以下。6.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：所述第2半导体层包括：未电连接于所述第2金属层的第1部分、以及电连接于所述第2金属层的第2部分，且所述第1部分设置在所述第1及第2侧面与所述内面之间。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜野弘，泽野正和，宫部主之，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP