一种用于光刻版图OPC的采样方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于光刻版图OPC的采样方法及装置，所述方法包括对待OPC的版图中的图形进行小波分解，以得到不同阶次的小波矩阵；根据所述不同阶次的小波矩阵进行小波重构，以完成离散化采样，所述离散化采样的结果用于进行OPC中的仿真。所述方法及装置可以提升现有技术中对待OPC版图进行采样的精确度和效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像处理领域，尤其涉及一种用于光刻版图OPC的采样方法及装置。
技术介绍
随着集成电路的集成度越高，其制造技术在不断向更小特征尺寸发展。然而光刻制程成为了限制集成电路向更小特征尺寸制作发展的主要瓶颈。光刻制程主要的原理是通过光源将光罩上集成电路的设计版图投影在晶圆上。然而随着特征尺寸的减小，晶圆上投射的影像呈现的光学上的扭曲以及异常形状使得投影出的小特征尺寸图案的特征尺寸(Critical Dimension，CD)难以达到预期要求，从而影响整个光刻制程的成品率。光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)是用于补偿这些形变，使得最后投影在晶圆上的影像得到较佳的特征尺寸的控制。对版图进行OPC的基础是对版图进行采样，以得到离散化的采样结果，故对待OPC的版图进行采样的质量直接影响到OPC的效果。但是，现有技术中对待OPC版图进行采样的精确度和效率有待提升。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提升现有技术中对待OPC版图进行采样的精确度和效率。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种用于光刻版图OPC的采样方法，包括：对待OPC的版图中的图形进行小波分解，以得到不同阶次的小波矩阵；根据所述不同阶次的小波矩阵进行小波重构，以完成离散化采样，所述离散化采样的结果用于进行OPC中的仿真。可选的，对待OPC的版图中的图形进行小波分解，以得到不同阶次的小波矩阵包括：建立覆盖所述待OPC的版图的采样区域的采样网格线，所述采样网格线的密度由目标级数的小波阶次确定，所述目标级数根据采样精度确定；利用目标级数的小波基遍历所述图形的边界，以建立相关小波的索引，所述相关小波的索引包括：所述图形的边界与所述不同阶次的小波基相交的子块；根据所述不同阶次的小波基的子块，计算所述不同阶次的小波矩阵。可选的，根据所述不同阶次的小波基的子块，计算所述不同阶次的小波矩阵包括：对所述不同阶次中每个阶次，分别对所述图形与所述索引中包含的小波基的子块围成的区域进行面积积分，以作为所述小波矩阵中的数值。可选的，所述分别对所述图形与所述索引中包含的小波矩阵的子块围成的面积进行积分包括：在所述区域内对矢量函数进行面积积分，所述矢量函数的散度为所述小波基。可选的，所述图形的边界为直线，所述小波基为哈尔小波正交基；在所述区域内对矢量函数进行面积积分通过如下方式完成：计算所述区域内端点坐标的二次型；所述端点包括：所述图形在所述子块范围内的顶点，以及所述图形与所述子块的交点。本专利技术实施例还提供一种用于光刻版图OPC的采样装置，包括：小波分解单元，适于对待OPC的版图中的图形进行小波分解，以得到不同阶次的小波矩阵；重构单元，适于根据所述不同阶次的小波矩阵进行小波重构，以完成离散化采样，所述离散化采样的结果用于进行OPC中的仿真。可选的，所述小波分解单元包括：网格线建立单元，适于建立覆盖所述待OPC的版图的采样区域的采样网格线，所述采样网格线的密度由目标级数的小波阶次确定，所述目标级数根据采样精度确定；索引建立单元，适于利用目标级数的小波基遍历所述图形的边界，以建立相关小波的索引，所述相关小波的索引包括：所述图形的边界与所述不同阶次的小波基相交的子块；小波矩阵计算单元，适于根据所述不同阶次的小波基的子块，计算所述不同阶次的小波矩阵。可选的，所述小波矩阵计算单元包括积分单元，适于对所述不同阶次中每个阶次，分别对所述图形与所述索引中包含的小波基的子块围成的区域进行面积积分，以作为所述小波矩阵中的数值。可选的，所述积分单元，适于在所述区域内对矢量函数进行面积积分，所述矢量函数的散度为所述小波基。可选的，所述图形的边界为直线，所述小波基为哈尔小波正交基；所述积分单元适于通过如下方式完成在所述区域内对矢量函数进行面积积分：计算所述区域内端点坐标的二次型；所述端点包括：所述图形在所述子块范围内的顶点，以及所述图形与所述子块的交点。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：通过对待OPC的版图进行小波分解，得到不同阶次的小波矩阵，根据所述不同阶次的小波矩阵进行小波重构，可以完成离散化采样。采样的精度可以通过小波的阶次控制，以实现对离散化采样结果的精度控制；在不同阶次的小波矩阵中，仅有和待OPC版图中的图形相交的部分对应的数值需要计算，从而可以减少离散化采样过程中的计算量；故通过小波分解和重构得到的离散化采样结果相比于直接对待OPC版图建立网格线，每个网格仅可能为有图形覆盖或没有图形覆盖两种结果的方式，结果更加精确，相比于对每个网格中的图形均进行面积积分得到结果的方式，效率更高，计算量更少。进一步，采样网格线的密度由目标级数的小波阶次确定，在利用目标级数的小波基遍历所述图形后，即可建立相关小波的索引，索引中包括待OPC版图的图形边界与各个不同阶次小波基相交的子块，后续仅需对与所述图形边界相交的小波基的子块进行进一步的计算，即可得到各个阶次的小波矩阵，故可以在保证离散化采样结果的基础上减少计算量。进一步，由于所述矢量函数的散度为所述小波基，故在区域内对矢量函数进行面积积分时，结果为常数，故仅计算子块范围内的端点的二次型，也即仅需计算所述图形在所述子块范围内的顶点，以及所述图形与所述子块的交点的二次型即可得到所述面积积分的结果，计算量较小，进一步可以提升计算效率。另外，待OPC的版图的边界通常是直线，在这种情况下选择哈尔小波正交基作为所述小波基，可以进一步减少计算量。附图说明图1是现有技术中一种对待OPC版图中进行采样的示意图；图2是本专利技术实施例中一种用于光刻版图OPC的采样方法的流程图；图3是图2中步骤S21的详细流程示意图；图4是本专利技术实施例中一种图形边界为直线的待OPC的版图及采样网格线的示意图；图5是本专利技术实施例中一组二维哈尔小波正交基函数的示意图；图6是本专利技术实施例中一种图形边界与小波基四个子块交点的示意图；图7是本专利技术实施例中一种端点的示意图；图8是本专利技术实施例中一种用于光刻版图OPC的采样装置的结构示意图。具体实施方式如前所述，现有技术中对待OPC版图进行采样的精确度和效率有待提升。图1是技术中一种对待OPC版图中进行采样的示意图。现有技术中通常采用中心点覆盖的原则进行判断，也即如果采样网格线构成的采样网格的中心被版图中的图形覆盖，则为1，否则为0。但是，经专利技术人研究发现这种采样方法的精度对OPC是不够的。例如图1中左侧和中间的图形进行采样后，结果是相同的，均为右侧中阴影部分的图形。为了使得采样的精度满足OPC的要求，可以对每个采样网格中的图形进行面积采样，得到对应于每个采样网格中被图形覆盖的相关值。但是，这种方式计算量较大，效率较低。而在本专利技术实施例中，通过对待OPC的版图进行小波分解，得到不同阶次的小波矩阵，根据所述不同阶次的小波矩阵进行小波重构，可以完成离散化采样。采样的精度可以通过小波的阶次控制，以实现对离散化采样结果的精度控制；在不同阶次的小波矩阵中，仅有和待OPC版图中的图像相交的部分对应的数值需要计算，从而可以减少离散化采样过程中的计算量；故通过小波分解和重构得到的离散化采样结果相比于直接对待OPC版图建立网格线，每个网格仅可能为有图形覆盖或没有图形覆盖两种结果的方式，结果更加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光刻版图OPC的采样方法，其特征在于，包括：对待OPC的版图中的图形进行小波分解，以得到不同阶次的小波矩阵；根据所述不同阶次的小波矩阵进行小波重构，以完成离散化采样，所述离散化采样的结果用于进行OPC中的仿真。

【技术特征摘要】
1.一种用于光刻版图OPC的采样方法，其特征在于，包括：对待OPC的版图中的图形进行小波分解，以得到不同阶次的小波矩阵；根据所述不同阶次的小波矩阵进行小波重构，以完成离散化采样，所述离散化采样的结果用于进行OPC中的仿真。2.根据权利要求1所述的用于光刻版图OPC的采样方法，其特征在于，对待OPC的版图中的图形进行小波分解，以得到不同阶次的小波矩阵包括：建立覆盖所述待OPC的版图的采样区域的采样网格线，所述采样网格线的密度由目标级数的小波阶次确定，所述目标级数根据采样精度确定；利用目标级数的小波基遍历所述图形的边界，以建立相关小波的索引，所述相关小波的索引包括：所述图形的边界与所述不同阶次的小波基相交的子块；根据所述不同阶次的小波基的子块，计算所述不同阶次的小波矩阵。3.根据权利要求2所述的用于光刻版图OPC的采样方法，其特征在于，根据所述不同阶次的小波基的子块，计算所述不同阶次的小波矩阵包括：对所述不同阶次中每个阶次，分别对所述图形与所述索引中包含的小波基的子块围成的区域进行面积积分，以作为所述小波矩阵中的数值。4.根据权利要求3所述的用于光刻版图OPC的采样方法，其特征在于，所述分别对所述图形与所述索引中包含的小波矩阵的子块围成的面积进行积分包括：在所述区域内对矢量函数进行面积积分，所述矢量函数的散度为所述小波基。5.根据权利要求4所述的用于光刻版图OPC的采样方法，其特征在于，所述图形的边界为直线，所述小波基为哈尔小波正交基；在所述区域内对矢量函数进行面积积分通过如下方式完成：计算所述区域内端点坐标的二次型；所述端点包括：所述图形在所述子块范围内的顶点，以及所述图形与所述子...

【专利技术属性】
技术研发人员：金晓亮，袁春雨，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31