一种接触式测厚仪及晶片厚度测量装置制造方法及图纸

一种接触式测厚仪，至少包括：千分表、中空的套筒、测量杆和测量头，所述套筒贯穿千分表，所述测量杆的上部位于所述套筒内、下端连接测量头，所述测量杆于所述套筒内上下移动，其特征在于：所述套筒的顶端具有一调节所述测量杆上升高度的高度调节结构，所述套筒的上部外周设置有磁性件，所述测量杆的下端通过弹性件与测量头连接。本实用新型专利技术通过设置磁性件、弹性件以及高度调节结构，避免测量杆由于快速降落至晶片表面而产生较大冲击力导致晶片破损的现象。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体制造设备领域，尤其涉及一种接触式测厚仪及包含其的晶片厚度测量装置。
技术介绍
参看附图1，传统的接触式测厚仪包括千分表10’、中空的套筒20’、测量杆30’、测量头40’，套筒20’贯穿千分表10’，测量杆30’的上部位于套筒20’内、下端连接测量头40’，并且测量杆30’于套筒20’内上下移动。采用该测厚仪测量晶片厚度时，需将晶片置于一测量平台（图中未显示）上，人工手动将测量杆30’抬起一定高度，然后松开让测量杆30’自由降落，测量头40’接触测量平台，此时千分表10’上显示第一数值；随后再次将测量杆30’抬起一定高度，然后松开让测量杆30’自由降落，测量头40’接触晶片，此时千分表10’上显示第二数值，第一数值和第二数值的差值即为晶片的厚度。目前传统的晶片测量时，测量杆30’自由降落至晶片表面，由于晶片厚度薄且脆，容易受测量杆30’自由降落的冲击力损伤进而产生破损等现象，降低了晶片的生产良率。
技术实现思路
为解决上述的问题，本技术提供了一种接触式测厚仪，至少包括：千分表、中空的套筒、测量杆和测量头，所述套筒贯穿千分表，所述测量杆的上部位于所述套筒内、下端连接测量头，所述测量杆于所述套筒内上下移动，其特征在于：所述套筒的顶端具有一调节所述测量杆上升高度的高度调节结构，所述套筒的上部外周设置有磁性件，所述测量杆的下端通过弹性件与测量头连接。优选的，所述套筒顶端具有一侧壁具有螺纹的第一通孔，所述高度调节结构通过第一通孔插入所述套筒内调节所述测量杆的上升高度。优选的，所述高度调节结构呈“T”型，具有水平部分和侧壁具有螺纹的垂直部分，所述垂直部分通过所述第一通孔插入所述套筒内，通过旋转所述高度调节结构调节所述垂直部分位于所述套筒内的长度，进而调节所述测量杆上升的高度。优选的，所述磁性件为环形磁铁。优选的，所述磁性件由复数个均匀分布的方形磁铁组成。优选的，所述弹性件为弹簧。优选的，所述套筒下端还具有一第二通孔，所述测量杆通过第二通孔插入所述套筒内，并上下移动。优选的，所述测量杆顶端具有一横杆，所述横杆的长度大于所述第二通孔的直径。本技术还提供一种晶片厚度测量装置，至少包括：一基座、置于所述基座上的测量平台、固定于所述测量平台上的支架、所述支架由相互连接的竖杆和横杆组成，其特征在于：所述厚度测量装置还包括上述的接触式测厚仪。本技术的有益效果包括：采用本技术的晶片厚度测量装置测量晶片厚度，通过调节高度调节结构的高度，选择合适的测量杆上升高度，而当测量杆自由降落时，测量杆受磁性件提供的磁力作用，可减缓其降落的速度；另外，测量头与晶片接触时，弹性件也起到缓冲作用，通过设置磁性件、弹性件以及高度调节结构，避免测量杆由于快速降落至晶片表面而产生较大冲击力导致晶片破损的现象。附图说明图1为传统接触式测厚仪结构示意图。图2为本技术之接触式测厚仪结构示意图。图3为本技术之套筒立体图。图4为本技术之磁性件和套筒俯视图。图5为本技术之变形实施例中磁性件和套筒俯视图。图6为本技术之晶片厚度测量装置结构示意图。附图标注：10（10’）.千分表；20（20’）.套筒；21.第二通孔；22.第一通孔；30（30’）.测量杆；31.横杆；40（40’）.测量头；50.高度调节结构；51.水平部分；52.垂直部分；60.磁性件；61.环形磁铁；61’.方形磁铁；70.弹性件；80.基座；90.测量平台；100.支架；110.竖直支架；120.水平支架。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。需说明的是，本专利技术的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本专利技术。参看附图2，本技术提供了一种接触式测厚仪，其包括：千分表10、中空的套筒20、测量杆30和测量头40，其中，套筒20贯穿千分表10，测量杆30的上部位于套筒20内、下端连接测量头40，并且测量杆30于套筒20内上下移动。套筒20下端还具有一第二通孔21，测量杆30通过第二通孔21插入套筒20内，并可上下移动。为避免测量杆30滑出套筒20，测量杆20顶端具有一横杆31，横杆31的长度大于第二通孔21的直径。套筒20的顶端具有一调节测量杆30上升高度的高度调节结构50，高度调节结构50呈“T”型，具有水平部分51和侧壁具有螺纹的垂直部分52。测量杆30的下端通过弹性件70与测量头40连接，弹性件70优选为弹簧。参看附图2和3，套筒20顶端具有一侧壁具有螺纹的第一通孔22，垂直部分52通过第一通孔22插入套筒20内，通过旋转高度调节结构50调节垂直部分52位于套筒20内的长度，进而调节测量杆30上升的高度。参看附图4，套筒20的上部外周设置有磁性件60，磁性件60为环形磁铁61，或者参看附图5，磁性件60由复数个均匀分布的方形磁铁61’组成。另外，参看附图6，本技术还提供一种晶片厚度测量装置，其至少包括：一基座80、置于基座80上的测量平台90、固定于测量平台90上的支架100以及上述的测厚仪，其中支架100由相互垂直的竖向支架110和横向支架120组成，测厚仪即固定于横向支架120上。采用本技术的晶片厚度测量装置测量晶片厚度，通过调整高度调节结构50的高度，选择合适的测量杆30上升高度，而当测量杆30自由降落时，测量杆30受磁性件60提供的磁力作用，可减缓其降落的速度；另外，测量头40与晶片接触时，弹性件70也起到缓冲作用，通过设置磁性件60、弹性件70以及高度调节结构50，避免测量杆30由于快速降落至晶片表面而产生较大冲击力导致晶片破损的现象。应当理解的是，上述具体实施方案为本技术的优选实施例，本技术的范围不限于该实施例，凡依本技术所做的任何变更，皆属本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触式测厚仪，至少包括：千分表、中空的套筒、测量杆和测量头，所述套筒贯穿千分表，所述测量杆的上部位于所述套筒内、下端连接测量头，所述测量杆于所述套筒内上下移动，其特征在于：所述套筒的顶端具有一调节所述测量杆上升高度的高度调节结构，所述套筒的上部外周设置有磁性件，所述测量杆的下端通过弹性件与测量头连接。

【技术特征摘要】
1.一种接触式测厚仪，至少包括：千分表、中空的套筒、测量杆和测量头，所述套筒贯穿千分表，所述测量杆的上部位于所述套筒内、下端连接测量头，所述测量杆于所述套筒内上下移动，其特征在于：所述套筒的顶端具有一调节所述测量杆上升高度的高度调节结构，所述套筒的上部外周设置有磁性件，所述测量杆的下端通过弹性件与测量头连接。2.根据权利要求1所述的一种接触式测厚仪，其特征在于：所述套筒顶端具有一侧壁具有螺纹的第一通孔，所述高度调节结构通过第一通孔插入所述套筒内调节所述测量杆的上升高度。3.根据权利要求2所述的一种接触式测厚仪，其特征在于：所述高度调节结构呈“T”型，具有水平部分和侧壁具有螺纹的垂直部分，所述垂直部分通过所述第一通孔插入所述套筒内，通过旋转所述高度调节结构调节所述垂直部分位于所述套筒内的长度，进而调节所述测量杆上...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩权威，杨丽莉，张丙权，俞宽，赵自力，陈勇，邱智中，张家宏，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34