数据编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种数据编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。本发明专利技术的数据存储方法包括：接收第一数据并且将所述第一数据编程至第一下实体编程单元；接收第二数据；执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作，其中所述第一数据获取操作包括使用一第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元以获得一第三数据，其中所述第二读取电压的一电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的一预设读取电压的一预设电压值；根据所述第三数据来将所述第二数据编程至所述第一上实体编程单元。本发明专利技术可降低编程结果发生错误的机率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器管理方法，尤其是涉及一种数据编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种便携式多媒体装置中。一般来说，若存储器模块中的某一个存储胞可用以存储两个以上的位，则对于此存储胞的编程操作可能会分为多次执行。每次执行的编程结果都可能会影响到后续执行的编程操作的正确性。因此，如何提升最终编程至存储胞中的数据的正确性为本领域技术人员所关心的议题。
技术实现思路
本专利技术提供一种数据编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可降低因编程过程中误判存储胞的数据存储状态而导致最终编程结果发生错误的机率。本专利技术的一实施例提供一种数据编程方法，其用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元，所述实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于所述下实体编程单元的多个上实体编程单元，所述数据编程方法包括：接收第一数据并且将所述第一数据编程至所述下实体编程单元中的第一下实体编程单元；接收第二数据；执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作以获得第三数据，其中所述第一数据获取操作包括使用第二读取电压来读
取所述第一下实体编程单元，其中所述第二读取电压的电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的预设读取电压的预设电压值；以及根据所述第三数据来将所述第二数据编程至所述上实体编程单元中的第一上实体编程单元。在本专利技术的一实施例中，所述数据编程方法还包括：获得所述第一下实体编程单元的磨损程度值；以及根据所述磨损程度值将对应于所述第一下实体编程单元的所述预设读取电压调整为所述第二读取电压。在本专利技术的一实施例中，所述执行对应于所述第一下实体编程单元的所述第一数据获取操作的步骤还包括：译码使用所述第二读取电压所读取到的第四数据；判断所述第四数据是否译码失败；以及若所述第四数据译码失败，将所述第二读取电压调整为第三读取电压并使用所述第三读取电压来读取所述第一下实体编程单元。本专利技术的一实施例中，所述第一上实体编程单元与所述第一下实体编程单元属于同一条字符线。本专利技术的另一实施例提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以电性连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元，所述实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于所述下实体编程单元的多个上实体编程单元。所述存储器控制电路单元电性连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以接收第一数据并且发送第一写入指令序列以将所述第一数据编程至所述下实体编程单元中的第一下实体编程单元，其中所述存储器控制电路单元还用以接收第二数据，其中所述存储器控制电路单元还用以指示执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作以获得第三数据，其中所述第一数据获取操作包括使用第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元，其中所述第二读取电压的电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的预设读取电压的预设电压值，其中所述存储器控制电路单元还用以根据所述第三数据来发送第二写入指令序列以将所述第二数据编程至所述上实体编程单元中的第一上实体编程单元。在本专利技术的一实施例中，所述存储器控制电路单元还用以获得所述第一
下实体编程单元的磨损程度值，其中所述存储器控制电路单元还用以根据所述磨损程度值来指示将对应于所述第一下实体编程单元的所述预设读取电压调整为所述第二读取电压。在本专利技术的一实施例中，所述第一数据获取操作还包括：译码使用所述第二读取电压所读取到的一第四数据；判断所述第四数据是否译码失败；以及若所述第四数据译码失败，指示将所述第二读取电压调整为第三读取电压并使用所述第三读取电压来读取所述第一下实体编程单元。在本专利技术的一实施例中，所述第一上实体编程单元与所述第一下实体编程单元属于同一条字符线。本专利技术的另一实施例提供一种存储器控制电路单元，其用于控制可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元，所述实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于所述下实体编程单元的多个上实体编程单元，所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以电性连接至主机系统。所述存储器接口用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路电性连接至所述主机接口与所述存储器接口，其中所述存储器管理电路用以接收第一数据并且发送第一写入指令序列以将所述第一数据编程至所述下实体编程单元中的第一下实体编程单元，其中所述存储器管理电路还用以接收第二数据，其中所述存储器管理电路还用以指示执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作以获得第三数据，其中所述第一数据获取操作包括使用第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元，其中所述第二读取电压的电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的预设读取电压的预设电压值，其中所述存储器管理电路还用以根据所述第三数据来发送第二写入指令序列以将所述第二数据编程至所述上实体编程单元中的第一上实体编程单元。在本专利技术的一实施例中，所述存储器管理电路还用以获得所述第一下实体编程单元的磨损程度值，其中所述存储器管理电路还用以根据所述磨损程度值而指示将对应于所述第一下实体编程单元所述预设读取电压调整为所述第二读取电压。在本专利技术的一实施例中，所述存储器控制电路单元还包括错误检查与校
正电路。所述错误检查与校正电路电性连接至所述存储器管理电路。其中所述第一数据获取操作还包括：由所述错误检查与校正电路译码使用所述第二读取电压所读取到的第四数据；判断所述第四数据是否译码失败；以及若所述第四数据译码失败，指示将所述第二读取电压调整为第三读取电压并使用所述第三读取电压来读取所述第一下实体编程单元。在本专利技术的一实施例中，所述第一上实体编程单元与所述第一下实体编程单元属于同一条字符线。本专利技术的另一实施例提供一种数据编程方法，其用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元，所述实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于所述下实体编程单元的多个上实体编程单元，所述数据编程方法包括：接收第一数据并且将所述第一数据编程至所述下实体编程单元中的第一下实体编程单元；将所述第一数据暂存于所述可复写式非易失性存储器模块的缓冲区；接收第二数据；执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作以获得第三数据，其中所述第一数据获取操作包括从所述缓冲区中读取所述第一数据；以及根据所述第三数据来将所述第二数据编程至所述上实体编程单元中的第一上实体编程单元。在本专利技术的一实施例中，所述数据编程方法还包括：若所述第一数据获取操作尚未完成或编程所述第二数据至所述第一上实体编程单元失败，持续维护暂存于所述缓冲区中的所述第一数据。在本专利技术的一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据编程方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元，该些实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于该些下实体编程单元的多个上实体编程单元，所述数据编程方法包括：接收第一数据并且将所述第一数据编程至该些下实体编程单元中的第一下实体编程单元；接收第二数据；执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作，其中所述第一数据获取操作包括使用第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元以获得第三数据，其中所述第二读取电压的电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的预设读取电压的预设电压值；以及根据所述第三数据来将所述第二数据编程至该些上实体编程单元中的第一上实体编程单元。

【技术特征摘要】
1.一种数据编程方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元，该些实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于该些下实体编程单元的多个上实体编程单元，所述数据编程方法包括：接收第一数据并且将所述第一数据编程至该些下实体编程单元中的第一下实体编程单元；接收第二数据；执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作，其中所述第一数据获取操作包括使用第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元以获得第三数据，其中所述第二读取电压的电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的预设读取电压的预设电压值；以及根据所述第三数据来将所述第二数据编程至该些上实体编程单元中的第一上实体编程单元。2.根据权利要求1所述的数据编程方法，其特征在于，还包括：获得所述第一下实体编程单元的磨损程度值；以及根据所述磨损程度值将对应于所述第一下实体编程单元的所述预设读取电压调整为所述第二读取电压。3.根据权利要求1所述的数据编程方法，其特征在于，执行对应于所述第一下实体编程单元的所述第一数据获取操作的步骤还包括：译码使用所述第二读取电压所读取到的一第四数据；判断所述第四数据是否译码失败；以及若所述第四数据译码失败，将所述第二读取电压调整为第三读取电压并使用所述第三读取电压来读取所述第一下实体编程单元。4.根据权利要求1所述的数据编程方法，其特征在于，所述第一上实体编程单元与所述第一下实体编程单元属于同一条字符线。5.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以电性连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块，包括多个实体擦除单元，该些实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于该些下实体编
\t程单元的多个上实体编程单元；以及存储器控制电路单元，电性连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以接收第一数据并且发送第一写入指令序列以将所述第一数据编程至该些下实体编程单元中的第一下实体编程单元，其中所述存储器控制电路单元还用以接收第二数据，其中所述存储器控制电路单元还用以指示执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作以获得第三数据，其中所述第一数据获取操作包括使用第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元，其中所述第二读取电压的电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的预设读取电压的预设电压值，其中所述存储器控制电路单元还用以根据所述第三数据来发送第二写入指令序列以将所述第二数据编程至该些上实体编程单元中的第一上实体编程单元。6.根据权利要求5所述的存储器存储装置，其特征在于，所述存储器控制电路单元还用以获得所述第一下实体编程单元的磨损程度值，其中所述存储器控制电路单元还用以根据所述磨损程度值来指示将对应于所述第一下实体编程单元的所述预设读取电压调整为所述第二读取电压。7.根据权利要求5所述的存储器存储装置，其特征在于，所述第一数据获取操作还包括：译码使用所述第二读取电压所读取到的第四数据；判断所述第四数据是否译码失败；以及若所述第四数据译码失败，指示将所述第二读取电压调整为第三读取电压并使用所述第三读取电压来读取所述第一下实体编程单元。8.根据权利要求5所述的存储器存储装置，其特征在于，所述第一上实体编程单元与所述第一下实体编程单元属于同一条字符线。9.一种存储器控制电路单元，用于控制可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元，该些实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于该
\t些下实体编程单元的多个上实体编程单元，所述存储器控制电路单元包括：主机接口，用以电性连接至主机系统；存储器接口，用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块；以及存储器管理电路，电性连接至所述主机接口与所述存储器接口，其中该存储器管理电路用以接收第一数据并且发送第一写入指令序列以将所述第一数据编程至该些下实体编程单元中的第一下实体编程单元，其中所述存储器管理电路还用以接收第二数据，其中所述存储器管理电路还用以指示执行对应于还第一下实体编程单元的第一数据获取操作以获得第三数据，其中所述第一数据获取操作包括使用第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元，其中所述第二读取电压的电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的预设读取电压的预设电压值，其中所述存储器管理电路还用以根据所述第三数据来发送第二写入指令序列以将所述第二数据编程至该些上实体编程单元中的第一上实体编程单元。10.根据权利要求9所述的存储器控制电路单元，其特征在于，所述存储器管理电路还用以获得所述第一下实体编程单元的磨损程度值，其中所述存储器管理电路还用以根据所述磨损程度值而指示将对应于所述第一下实体编程单元所述预设读取电压调整为所述第二读取电压。11.根据权利要求9所述的存储器控制电路单元，其特征在于，还包括：错误检查与校正电路，电性连接至所述存储器管理电路，其中所述第一数据获取操作还包括：由所述错误检查与校正电路译码使用所述第二读取电压所读取到的第四数据；判断所述第四数据是否译码失败；以及若所述第四数据译码失败，指示将所述第二读取电压调整为第三读取电压并使用所述第三读取电压来读取所述第一下实体编程单元。12.根据权利要求9所述的存储器控制电路单元，其特征在于，所述第一上实体编程单元与所述第一下实体编程单元属于同一条字符线。13.一种数据编程方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元，该些实体擦
\t除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于该些下实体编程单元的多个上实体编程单元，所述数据编程方法包括：接收第一数据并且将所述第一数据编程至该些下实体编程单元中的第一下实体编程单元；将所述第一数据暂存于所述可复写式非易失性存储器模块的缓冲区；接收第二数据；执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作以获得第三数据，其中所述第一数据获取操作包括从所述缓冲区中读取该第一数据；以及根据所述第三数据来将所述第二数据编程至该些上实体编程单元中的第一上实体编程单元。14.根据权利要求13所述的数据编程方法，其特征在于，还包括：若所述第一数据获取操作尚未完成或编程所述第二数据至所述第一上实体编程单元失败，持续维护暂存于所述缓冲区中的所述第一数据。15.根据权利要求13所述的数据编程方法，其特征在于，所述缓冲区的大小不小于预设大小，其中所述预设大小为所述可复写式非易失性存储器模块中的一个实体编程单元的大小的三倍。16.根据权利要求15所述的数据编程方法，其特征在于，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，王天庆，赖国欣，许祐诚，杨其衡，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71