一种QLED及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种QLED及其制备方法。所述QLED包括透明基板，在所述透明基板上设置的阳极，以及在所述阳极上依次层叠设置的空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极，其中，所述阳极为PEDOT:PSS形成的阳极，且所述PEDOT:PSS为相分离的PEDOT:PSS。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于平板显示、太阳能电池
，尤其涉及一种QLED及其制备方法。
技术介绍
半导体量子点由于具有尺寸可调的光电性质，被广泛应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记领域。经过二十多年的发展，量子点合成技术取得了显著的成绩，可以合成得到各种高质量的量子点纳米材料，其光致发光效率可以达到85％以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，以量子点为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100％的极限。然而，作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED，目前不论是在电光转换效率、还是在使用寿命上，都远低于红绿QLED，从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种QLED，旨在解决现有全彩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种QLED，其特征在于，包括透明基板，在所述透明基板上设置的阳极，以及在所述阳极上依次层叠设置的空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极，其中，所述阳极为PEDOT:PSS形成的阳极，且所述PEDOT:PSS为相分离的PEDOT:PSS。

【技术特征摘要】
1.一种QLED，其特征在于，包括透明基板，在所述透明基板上设置的阳极，以及在所述阳极上依次层叠设置的空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极，其中，所述阳极为PEDOT:PSS形成的阳极，且所述PEDOT:PSS为相分离的PEDOT:PSS。2.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述PEDOT:PSS的厚度为50-100nm。3.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述量子点层的厚度为30-50nm。4.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10-100nm。5.一种如权利要求1-4任一所述的QLED的制备方法，包括以下步骤：提供一透明基板；在所述透明基板上沉积PEDOT:PSS，将所述PEDOT:PSS去除溶剂后形成PEDOT:PSS薄膜，在加热条件下，将所述PEDOT:PSS薄膜进行氢卤酸渗透处理，制备阳极，其中，所述加热的温度为80-150℃；在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44