微机电系统器件封装结构及方法技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种微机电系统器件封装结构及方法。所述封装结构包括：盖帽的第一平面上形成有第一凹槽、第一金属导线和第二金属导线；第一金属导线的第一端通过位于第一凹槽底部的连接孔延伸至盖帽的第二平面，第一金属导线的第二端以及第二金属导线位于第一平面的非第一凹槽区域；微机电系统晶圆上形成有器件结构、第三金属导线以及与器件结构电连接的第四金属导线；器件结构与第一凹槽对应设置；第四金属导线与第一金属导线的第二端通过第一键合层键合，以实现电连接；第三金属导线与第二金属导线通过第二键合层键合，以密封盖帽和微机电系统晶圆。本发明专利技术实施例提供了一种在保证气密性的同时，降低工艺难度和成本的封装方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体封装技术，尤其涉及一种微机电系统器件封装结构及方法。
技术介绍
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)传感器是采用微电子和微机械加工技术制造出来的新型传感器。与传统的传感器相比，它具有体积小、重量轻、成本低、功耗低、可靠性高、适于批量化生产、易于集成和实现智能化的特点。在消费电子、智能终端和可穿戴产品等领域应用中，要求MEMS传感器的尺寸和成本进一步降低的同时提高集成度和性能，因此以硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术为主的三维封装集成技术在MEMS领域引起很大关注。由于大部分MEMS器件都有气密性要求，现有技术中，MEMS传感器的TSV通常设置在MEMS功能衬底一侧或者在盖帽一侧，但是通常需要穿过很厚的衬底层，导致工艺难度和成本较高。
技术实现思路
本专利技术提供一种微机电系统器件封装结构及方法，以提供一种在保证气密性的同时，降低工艺难度和成本的封装方案。第一方面，本专利技术实施例提供了一种微机电系统器件封装结构，所述封装结构包括：盖帽和MEMS晶圆；其中，所述盖帽的第一平面上形成有第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微机电系统器件封装结构，其特征在于，包括：盖帽和微机电系统MEMS晶圆；其中，所述盖帽的第一平面上形成有第一凹槽、第一金属导线和第二金属导线；所述第一金属导线的第一端通过位于所述第一凹槽底部的连接孔延伸至所述盖帽的第二平面，所述第一金属导线的第二端以及所述第二金属导线位于所述第一平面的非第一凹槽区域；所述MEMS晶圆上形成有器件结构，第三金属导线以及与所述器件结构电连接的第四金属导线；所述器件结构与所述第一凹槽对应设置；所述第四金属导线与所述第一金属导线的第二端通过第一键合层键合，以实现电连接；所述第三金属导线与所述第二金属导线通过第二键合层键合，以密封所述盖帽和所述MEMS晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种微机电系统器件封装结构，其特征在于，包括：盖帽和微机电系统MEMS晶圆；其中，所述盖帽的第一平面上形成有第一凹槽、第一金属导线和第二金属导线；所述第一金属导线的第一端通过位于所述第一凹槽底部的连接孔延伸至所述盖帽的第二平面，所述第一金属导线的第二端以及所述第二金属导线位于所述第一平面的非第一凹槽区域；所述MEMS晶圆上形成有器件结构，第三金属导线以及与所述器件结构电连接的第四金属导线；所述器件结构与所述第一凹槽对应设置；所述第四金属导线与所述第一金属导线的第二端通过第一键合层键合，以实现电连接；所述第三金属导线与所述第二金属导线通过第二键合层键合，以密封所述盖帽和所述MEMS晶圆。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述连接孔内至少部分填充有金属。3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述盖帽采用硅材料，通过湿法腐蚀或干法各向同性刻蚀形成所述第一凹槽。4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一凹槽包括底面和侧面，所述底面与所述侧面夹角为120度-150度。5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一键合层和所述第二键合层通过金属共晶键合实现所述第一金属导线与所述第四金属导线以及所述第二金属导线与所述第三金属导线之间的键合。6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：靖向萌，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32