一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件制造技术

技术编号:13955170 阅读:82 留言:0更新日期:2016-11-02 11:43
一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,包括芯片内部可动结构1和衬底2,还包括恒温隔热环3,芯片内部可动结构1通过恒温隔热环3连接到衬底2上,所述恒温隔热环3包括至少一个恒温环3-1和至少两个热隔离环3-2,A热隔离环3-2a和B热隔离环3-2b位于恒温环3-1的两侧,A热隔离环3-2a连接到衬底2上,B热隔离环3-2b连接到芯片内部可动结构1上。优点:在芯片上集成恒温控制功能模块,此恒温控制模块所占面积小,功耗低,响应时间小,恒温控制精度高。集成了恒温控制环的热式MEMS芯片具有显著的尺寸小、功耗低、成本低、可批量生产的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,属于微机电

技术介绍
热式MEMS器件在民用产品、工业产品、物联网等领域有着广泛的应用,但是其工作温度为-55℃~125℃,这个温度对热式MEMS器件工作稳定性的影响是巨大的,因为热式MEMS器件的敏感因子是温度。为解决环境温度的波动引入的热式MEMS器件的测试误差,需要对温度进行补偿,可采用加TEC温度控制,或者是算法补偿。TEC增加了系统的尺寸,对芯片整体恒温需要的功耗较大,并增加了成本。如专利申请号201210268441.0,半导体激光器,一级恒温控制电路和所述温度传感器TS均设置在所述恒温控制腔内,热电制冷片TEC一侧设置在导热块外侧,二级恒温控制电路分别连接温度传感器TS和热电制冷片TEC。而算法补偿则补偿范围有限。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是:外界环境温度的波动对热式MEMS器件造成测试误差的问题。本专利技术的技术方案是:一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,包括芯片内部可动结构1和衬底2,还包括恒温隔热环3,芯片内部可动结构1通过恒温隔热环3连接到衬底2上,所述恒温隔热环3包括至少一个恒温环3-1和至少两个热隔离环3-2,A热隔离环3-2a和B热隔离环3-2b位于恒温环3-1的两侧,A热隔离环3-2a连接到衬底1上,B热隔离环3-2b连接到芯片内部可动结构1上。本专利技术的优点和技术效果:在芯片上集成恒温控制功能模块,此恒温控制模块所占面积小,功耗低,响应时间小,恒温控制精度高。集成了恒温控制环的热式MEMS芯片具有显著的尺寸小、功耗低、成本低、可批量生产的特点。附图说明图1是带恒温隔热环的热式MEMS结构示意图。图2是各部件的连接方式。图3是热式MEMS结构的剖面示意图。图4是恒温隔离环的示意图。图5是一种恒温隔热环的布置。图6是实施例1中恒温环的电阻布置。图7是实施例1中恒温控制环的反馈示意图。图8是实施例2中恒温环的电阻布置。图9是实施例2中恒温控制环的反馈示意图。图中,1是芯片内部可动结构,1-1是驱动结构,1-2是制动结构,2是衬底,3是恒温隔热环,3-1是恒温环,3-1-1是导热基底,3-1-2是加热电阻,3-1-3是测温电阻,3-1-4是温控电阻,3-2是热隔离环。具体实施方式一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,包括芯片内部可动结构1和衬底2,还包括恒温隔热环3,芯片内部可动结构1通过恒温隔热环3连接到衬底2上,所述恒温隔热环3包括至少一个恒温环3-1和至少两个热隔离环3-2,A热隔离环3-2a和B热隔离环3-2b位于恒温环3-1的两侧,A热隔离环3-2a连接到衬底1上,B热隔离环3-2b连接到芯片内部可动结构1上。所述恒温环3-1包括导热基底3-1-1、加热电阻3-1-2和测温电阻3-1-3,加热电阻3-1-2和测温电阻3-1-3并排布置在导热基底3-1-1上。所述恒温环3-1包括导热基底3-1-1和温控电阻3-1-4,该温控电阻3-1-4安装在导热基底3-1-1上。所述导热基底3-1-1是单晶硅。所述加热电阻3-1-2是金属或者多晶硅材料,所述测温电阻3-1-3是Pt或Ti或多晶硅材料。所述加热电阻3-1-2采用mW级的电功率驱动。所述热隔离环3-2采用SiO2或Si3N4。所述芯片内部可动结构1包括驱动结构1-1和制动结构1-2,驱动结构1-1位于制动结构1-2的周围。所述驱动结构1-1是热式驱动结构,所述制动结构1-2是质量块、微平台、微透镜、微光栅、微线圈、微镜或热堆中的一种。所述热式驱动结构由双层材料或多层材料构成,并且各层材料之间的热膨胀系数的不同。所述热式驱动结构可集成加热电阻。所述双层材料分别为SiO2和Al,或Cu和W;所述加热电阻的材料为Pt、Ti、W或多晶。恒温隔热环工作原理,加热电阻采用mW级的电功率驱动,使驱动结构的初始温度升到环境变化温度的最高点,作为一种优选方案1,测温电阻,布置在加热电阻周围,监测恒温隔热环的温度,测温电阻和加热电阻形成反馈,改变加热电阻上的驱动功率,使驱动结构的初始温度维持在所需温度点。作为一种优选方案2,用电阻温度系数大的材料做加热电阻,同时有测温电阻的功能,Pt是一种优选的电阻材料方案。加热电阻加电时,产生的热功率很快会分别传导到衬底和驱动结构上,这样恒温环上的温度由中间向两边呈温度梯度,中间高,两端低,导致恒温环的温度不均匀,且温度很难升到想要的高温。因此,需要加入热隔离,当加热电阻加电时,由于设置在恒温环两端的热隔离1和热隔离2的热导远小于驱动臂2的热导,使得恒温环上热效应的变化变得均匀,即恒温环上各个位置的热效应变得均匀。作为一种优选方案,热隔离1和热隔离2的材料为SiO2,为悬臂结构,底下为沟槽。热隔离1和热隔离2的热阻为恒温环热阻的3~10倍,此设计值可以有效的提高恒温环的热响应率,且能够控制恒温环的升降温过程的时间处于可使用的范围内。实施例1如图1~图3所示,该带恒温控制的热式驱动MEMS器件,包括芯片内部可动结构1、衬底2和恒温隔热环3,芯片内部可动结构1包括驱动结构1-1和制动结构1-2,驱动结构1-1位于制动结构1-2的周围,恒温隔热环3包括一个恒温环3-1和两个热隔离环3-2,A热隔离环3-2a和B热隔离环3-2b位于恒温环3-1的两侧,A热隔离环3-2a连接到衬底2上,B热隔离环3-2b连接到制动结构1-2上。对于本实施例的恒温隔热环3结构,恒温环3-1和热隔离环3-2是布置在MEMS内部可动结构1的周围,可以布置1个恒温环3-1和2个热隔离3-2,或者是n个恒温环3-1和2n个热隔离3-2,或者是n个恒温环3-1和m个热隔离3-2。驱动结构1-1为热式的驱动结构,制动结构1-2可为质量块、微镜、热堆等,若芯片内部可动结构1为MEMS微镜,则制动结构1-2是微镜;若芯片内部可动结构1为传感器的加速度计,则制动结构1-2是质量块;若芯片内部可动结构1为红外热式传感器,则制动结构1-2是热堆。如图4~图6所示,恒温环3-1包括导热基底3-1-1、加热电阻3-1-2和测温电阻3-1-3,加热电阻3-1-2和测温电阻3-1-3并排布置在导热基底3-1-1上。加热电阻3-1-2优选金属或者多晶硅材料,所述测温电阻3-1-3优选Pt或Ti或多晶硅材料等电阻温度系数高的导电材料。Pt具有较高的稳定性和较高的电阻温度系数,所以Pt合适作为测温电阻3-1-3材料,Pt的电阻温度系数为3.9E-3,当测温电阻测试精度为0.1Ω,测温电阻设计为1KΩ(@0℃),测温电阻的温度测试精度可以达到0.025℃,这样能够有效保证本装置在使用过程中的稳定性以及精确度。加热电阻3-1-2采用mW级的电功率驱动,使驱动结构的初始温度升到环境变化温度的最高点。测温电阻3-1-3,布置在加热电阻3-1-2周围,用于监测恒温隔热环的温度.测温电阻3-1-3测得的温度值反馈给加热电阻3-1-2,根据温度值改变加热电阻上的驱动功率,使驱动结构的初始温度维持在所需温度点(环境温度变化的最高点)。热隔离环3-2采用热导率低的材料,优选SiO2、Si3N4等非金属材料。如图5所示,恒温隔热环3还可包括四个恒温环3-1和八个热隔离环3-2,A热隔离环3-2a和B热隔离环3本文档来自技高网...
一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件

【技术保护点】
一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,包括芯片内部可动结构(1)和衬底(2),其特征在于还包括恒温隔热环(3),芯片内部可动结构(1)通过恒温隔热环(3)连接到衬底(2)上,所述恒温隔热环(3)包括至少一个恒温环(3‑1)和至少两个热隔离环(3‑2),A热隔离环(3‑2a)和B热隔离环(3‑2b)位于恒温环(3‑1)的两侧,A热隔离环(3‑2a)连接到衬底(2)上,B热隔离环(3‑2b)连接到芯片内部可动结构(1)上。

【技术特征摘要】
1.一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,包括芯片内部可动结构(1)和衬底(2),其特征在于还包括恒温隔热环(3),芯片内部可动结构(1)通过恒温隔热环(3)连接到衬底(2)上,所述恒温隔热环(3)包括至少一个恒温环(3-1)和至少两个热隔离环(3-2),A热隔离环(3-2a)和B热隔离环(3-2b)位于恒温环(3-1)的两侧,A热隔离环(3-2a)连接到衬底(2)上,B热隔离环(3-2b)连接到芯片内部可动结构(1)上。2.根据权利要求1所述的一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,其特征在于所述恒温环(3-1)包括导热基底(3-1-1)、加热电阻(3-1-2)和测温电阻(3-1-3),加热电阻(3-1-2)和测温电阻(3-1-3)都布置在导热基底(3-1-1)上。3.根据权利要求1所述的一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,其特征在于所述恒温环(3-1)包括导热基底(3-1-1)和温控电阻(3-1-4),该温控电阻(3-1-4)安装在导热基底(3-1-1)上。4.根据权利要求2或3所述的一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件,其特征在于所述导热基底(3-1-1)是单晶硅。5.根据权利要求2所述的一种带恒温控制的热式驱动MEMS器件...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁金玲陈巧谢会开
申请(专利权)人:无锡微奥科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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