液晶显示面板、阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种液晶显示面板、阵列基板及其制作方法。阵列基板的制作方法包括：在衬底上同时形成栅极图案层和公共电极；在栅极图案层、公共电极和衬底上覆盖栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成源\漏极图案层，同时在栅极绝缘层上形成像素电极和数据线；在源\漏极图案层、半导体层、像素电极和数据线上覆盖钝化层。阵列基板包括衬底；衬底上的栅极图案层和公共电极；栅极图案层和公共电极上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的半导体层；半导体层上的源\漏极图案层及栅极绝缘层上的像素电极和数据线以及覆盖于其上的钝化层。液晶显示面板包括上述阵列基板。本发明专利技术能提高像素开口率和穿透率，使得显示效果更佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种液晶显示面板、阵列基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器，已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。随着液晶显示器技术的发展进步，人们对液晶显示器的显示品质、外观设计、低成本和高穿透率等提出了更高的要求IPS(平面控制模式)广视角技术的液晶显示让观察者任何时候都只能看到液晶分子的短轴，因此在各个角度上观看的画面都不会有太大差别，这样就比较完美地改善了液晶显示器的视角。第一代IPS技术针对TN模式的弊病提出了全新的液晶排列方式，实现较好的可视角度。第二代IPS技术(S-IPS即Super-IPS)采用人字形电极，引入双畴模式，改善IPS模式在某些特定角度的灰阶逆转现象。第三代IPS技术(AS-IPS即Advanced Super-IPS)减小液晶分子间距离，提高开口率，获得更高亮度。如图1和图2所示，图1是现有技术的液晶显示面板的截面结构示意图。图2是现有技术的液晶显示面板的像素结构示意图。现有的液晶显示面板包括TFT基板1、彩膜基板2和设置在所述TFT基板1和彩膜基板2之间的液晶层3。其中，TFT基板1包括玻璃衬底11、设置在玻璃衬底11上的栅极12，覆盖所述栅极12和玻璃衬底11之上的栅极绝缘层13，设置在所述栅极绝缘层13上的半导体层14和源\\漏极图案层15以及数据线16，覆盖所述半导体层14、源\\漏极图案层15和所述数据线16的隔离层17，设置在所述隔离层17上的像素电极18和公 共电极19。现有技术中的TFT基板11的形成需要形成三层金属，第一层金属形成栅极12、第二层金属形成源\\漏极图案层15和数据线16、第三层金属形成像素电极18和公共电极19。图2所示的像素中，TFT10、存储电容101和数据线16设在栅极12之上，公共电极19和像素电极18设置在数据线16和存储电容101之上，其中，像素电极18上还设有过孔105，以使像素电极18和TFT10上的源极通过过孔106进行连接。现有技术中，像素电极与TFT桥接处需要设过孔，当像素较小时，该过孔会影响像素开口率，导致液晶显示器的穿透率过低。
技术实现思路
本专利技术提供一种液晶显示面板、阵列基板及其制作方法，能够解决现有技术存在的过孔影响像素开口率导致液晶显示器穿透率低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括以下步骤：在衬底上同时形成栅极图案层和公共电极；在所述栅极图案层、所述公共电极和所述衬底上覆盖栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源\\漏极图案层，同时在所述栅极绝缘层上形成像素电极和数据线；在所述源\\漏极图案层、半导体层、像素电极和数据线上覆盖钝化层。其中，在所述源\\漏极图案层、半导体层、像素电极和数据线上覆盖第二绝缘层的步骤之后，还包括：在所述钝化层上形成顶层电极。其中，所述顶层电极为ITO电极，所述顶层电极与所述公共电极电连接。其中，当所述顶层电极为金属电极，所述顶层电极与所述公共电极电连接；在所述钝化层上形成顶层电极的步骤包括：在所述钝化层上形成顶层金属层；通过黄光制程将所述顶层金属层图案化形成顶层电极。其中，在衬底上同时形成栅极图案层和公共电极的步骤包括：在所述衬底上形成第一金属层；通过黄光制程将所述第一金属层图案化形成栅极图案层和公共电极层。其中，在所述半导体层上形成源\\漏极图案层，同时在所述栅极绝缘层上形成像素电极和数据线的步骤包括：在所述半导体层和所述栅极绝缘层上覆盖第二金属层；通过黄光制程将所述第二金属层图案化形成源\\漏极图案层、像素电极和数据线。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底；形成在所述衬底之上的栅极图案层和公共电极；覆盖在所述栅极图案层和所述公共电极之上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层之上的半导体层；形成在所述半导体层之上的源\\漏极图案层以及设置在所述栅极绝缘层之上的像素电极和数据线；覆盖在所述源\\漏极图案层、半导体层、像素电极和数据线之上的钝化层。其中，所述阵列基板还包括形成在所述钝化层之上的顶层电极。其中，所述顶层电极为金属电极或者ITO电极，所述顶层电极与所述公共电极电连接。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，该液晶面板包括上述阵列基板。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术通过在形成栅极图案层的同时形成公共电极，在形成源\\漏极图案层的同时形成像素电极和数据线，减少了一道制程，并且使像素电极与源\\漏极图案层位于同一平面上，从而使得像素电极和源电极之间的连接无需过孔，即使像素很小时，也不会发生因过孔影响像素开口率的问题，进而提高了像素开口率和液晶显示器的穿透率，从而使得显示效果更佳。附图说明图1是现有技术的液晶显示面板的截面结构示意图；图2是现有技术的液晶显示面板的像素结构示意图；图3是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例的流程图；图4是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例中形成栅极图案层和公共电极的步骤的示意图；图5是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例中形成栅极绝缘层的步骤的示意图；图6是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例中形成半导体层的步骤的示意图；图7是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例中形成源\\漏极图案层、像素电极和数据线的步骤的示意图；图8是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例中形成钝化层的步骤的示意图；图9是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例最终形成的像素结构的示意图；图10是图9的像素结构中栅极图案层和公共电极之后的结构示意图；图11是在图10上形成半导体层后的结构示意图；图12是在图11上形成像素电极和数据线之后的结构示意图；图13是本专利技术阵列基板的制作方法第二实施例的流程图；图14是本专利技术阵列基板的制作方法第二实施例最终形成的像素结构的示意图；图15是本专利技术液晶显示面板实施例的结构示意图；图16是本专利技术液晶面板的彩膜基板制作过程中，形成黑矩阵后的结构示意图；图17是本专利技术液晶面板的彩膜基板制作过程中，形成了红色色阻后的结构示意图；图18是本专利技术液晶面板的彩膜基板制作过程中，形成了绿色色阻后的结构示意图；图19是本专利技术液晶面板的彩膜基板制作过程中，形成了蓝色色阻 后的结构示意图；图20是本专利技术液晶面板的彩膜基板制作过程中，形成了支撑件后的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细说明。请参阅图3，图3是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例的流程图。本专利技术提供了一种阵列基板的制作方法，具体地，该方法包括以下步骤：S101、在衬底31上同时形成栅极图案层32和公共电极33。请结合图4，图4是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例中形成栅极图案层和公共电极的步骤的示意图。步骤S101中，在衬底31上形成第一金属层，然后通过黄光制程经曝光、显影和蚀刻形成栅极图案层32和公共电极33。栅极图案层32和公共电极33同时形成，并且位于同一平面中。栅极图案层32和公共电极33采用铝及铝合金或者铜等材料形成。S102、在栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上同时形成栅极图案层和公共电极；在所述栅极图案层、所述公共电极和所述衬底上覆盖栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源\漏极图案层，同时在所述栅极绝缘层上形成像素电极和数据线；在所述源\漏极图案层、半导体层、像素电极和数据线上覆盖钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上同时形成栅极图案层和公共电极；在所述栅极图案层、所述公共电极和所述衬底上覆盖栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源\\漏极图案层，同时在所述栅极绝缘层上形成像素电极和数据线；在所述源\\漏极图案层、半导体层、像素电极和数据线上覆盖钝化层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述源\\漏极图案层、半导体层、像素电极和数据线上覆盖第二绝缘层的步骤之后，还包括：在所述钝化层上形成顶层电极。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述顶层电极为ITO电极，所述顶层电极与所述公共电极电连接。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述顶层电极为金属电极，所述顶层电极与所述公共电极电连接；在所述钝化层上形成顶层电极的步骤包括：在所述钝化层上形成顶层金属层；通过黄光制程将所述顶层金属层图案化形成顶层电极。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上同时形成栅极图案层和公共电极的步骤包括：在所述衬底上形成第一金属层；通过黄...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝思坤，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44