应用读参考电压确定方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种应用读参考电压确定方法及装置，涉及数据计算领域。所述方法包括：控制目标Nand flash向目标页依次施加第一读参考电压和第二读参考电压，获取该目标页在被施加第一读参考电压时的第一变换比例和第二变换比例，以及该目标页在被施加第二读参考电压时的第三变换比例和第四变换比例；根据第一读参考电压、第二读参考电压，以及第一变换比例、第二变换比例、第三变换比例以及第四变换比例，计算得到目标页的应用读参考电压。本发明专利技术通过控制目标Nand flash两次更改向目标页施加的读参考电压来获取变换比例，从而快速计算出应用读参考电压，提高了控制器处理数据的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据计算领域，特别涉及一种应用读参考电压确定方法及装置。
技术介绍
非易失性闪存(Nand flash)颗粒是一种快速的存储介质，经常存储低密度奇偶校验编码数据，以便控制器对读取到的数据进行纠错。Nand flash颗粒的读写操作以页(Page)为单位，一个页内包含数千字节(KB)个存储单元。一个存储单元的状态由该存储单元所存储的电荷(electrical charge)产生的电压是否大于该存储单元的阈值电压来决定，当一个存储单元所存储的电荷产生的电压大于该存储单元的阈值电压时，则将该存储单元的状态记为第一状态，当单个存储单元所存储的电荷的电压小于或等于该存储单元的阈值电压时，则将该存储单元的状态记为第二状态。其中，各个存储单元的阈值电压不同，在一页中的多个存储单元被施加同一电压的情况下，该页中处于同一状态的存储单元的阈值电压呈正态分布。由于一些固有缺陷、读写干扰、环境等因素的影响，单个页中处于同一状态的存储单元的阈值电压所对应的概率密度函数(probability density function，PDF)会发生变化，具体的，在一页中的多个存储单元被施加同一电压的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用读参考电压确定方法，其特征在于，所述方法包括：接收数据读取指令；根据所述数据读取指令读取目标非易失性闪存Nand flash的一个目标页中的数据；检测从所述目标页中读取的数据是否存在错误；在所读取的数据存在错误的情况下，利用缺省读参考电压对所读取的数据进行纠错；在利用所述缺省读参考电压对读取的所述数据进行纠错，得到的误码率大于或等于纠错算法容忍能力的情况下，控制所述目标Nand flash向所述目标页依次施加第一读参考电压和第二读参考电压，获取所述目标页在被施加的电压从所述缺省读参考电压变换为所述第一读参考电压时的第一变换比例和第二变换比例，以及所述目标页在被施加的电压从所述第一读参考...

【技术特征摘要】
1.一种应用读参考电压确定方法，其特征在于，所述方法包括：接收数据读取指令；根据所述数据读取指令读取目标非易失性闪存Nand flash的一个目标页中的数据；检测从所述目标页中读取的数据是否存在错误；在所读取的数据存在错误的情况下，利用缺省读参考电压对所读取的数据进行纠错；在利用所述缺省读参考电压对读取的所述数据进行纠错，得到的误码率大于或等于纠错算法容忍能力的情况下，控制所述目标Nand flash向所述目标页依次施加第一读参考电压和第二读参考电压，获取所述目标页在被施加的电压从所述缺省读参考电压变换为所述第一读参考电压时的第一变换比例和第二变换比例，以及所述目标页在被施加的电压从所述第一读参考电压变换为所述第二读参考电压时的第三变换比例和第四变换比例，所述第一变换比例和所述第三变换比例均为所述目标页中从第一状态转换为第二状态的存储单元的数量占所述目标页中存储单元总数量的比例，所述第二变换比例和所述第四变换比例均为所述目标页中从所述第二状态转换为所述第一状态的存储单元的数量占所述目标页中存储单元总数量的比例，其中，所述目标页包括多个存储单元，在所述存储单元所存储的电荷产生的电压大于所述存储单元的阈值电压的情况下，所述存储单元处于第一状态；在所述存储单元所存储的电荷产生的电压小于或等于所述存储单元的阈值电压的情况下，所述存储单元处于第二状态；根据所述第一读参考电压、第二读参考电压，以及所述第一变换比例、所述第二变换比例、所述第三变换比例以及所述第四变换比例，计算得到所述目标页的应用读参考电压，其中，利用所述应用读参考电压对从所述目标页读取的数据进行纠错时得到的误码率低于所述纠错算法的容忍能力。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一读参考电压、第二读参考电压，以及所述第一变换比例、所述第二变换比例、所述第三变换比例以及所述第四变换比例，计算得到所述目标页的应用读参考电压，包括：按照与所述第一读参考电压、第二读参考电压，以及所述第一变换比例、所述第二变换比例、所述第三变换比例以及所述第四变换比例相关的计算公式，计算所述目标页的应用读参考电压；其中，所述计算公式为： V r e f _ o p t ≈ V r e f 2 · A - V r e f 1 · B A - B , ]]> A = X · a r c t a n [ Y · L n ( 1 - S 1 1 → 0 S 1 1 → 0 ) ] + X · a r c t a n [ Y · L n ( S 1 0 → 1 1 - S 1 0 → 1 ) ] , ]]> B = X · a r c t a n [ Y · L n ( 1 - S 2 1 → 0 S 2 1 → 0 ) ] + X · a r c t a n [ Y · L n ( S 2 0 → 1 1 - S 2 0 → 1 ) ] , ]]>所述Vref_opt为所述应用参考电压，所述Vref1为所述第一读参考电压，所述Vref2为所述第二读参考电压，所述S10→1为所述第一变换比例，所述S11→0为所述第二变换比例，所述S20→1为所述第三变换比例，所述S21→0为所述第四变换比例。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：控制所述目标Nand flash向所述目标页施加所述应用读参考电压；施加所述应用读参...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍青青，白世松，尼仁波，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44