【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及功率转换电子器件。
技术介绍
功率转换电子器件的领域涉及电力的控制和转换。由于可以以直流(DC)或交流(AC)格式以及在不同电压或电流级别处提供和使用功率,因此存在针对更高效且更有成本效益的DC到DC转换器、AC到DC转换器、AC到AC转换器和DC到AC逆变器的持续需要。随着正在进行的收获绿色能量(诸如太阳能和风能)的运动,存在针对用于在商业和住宅建筑物的屋顶上安装的太阳能发电系统的DC到DC转换器和DC到AC逆变器的不断增长的需求,其中出于安装和建筑这两者的原因,功率转换系统的总体重量变成问题。
技术实现思路
本公开涉及一种功率转换设备及其个体部件。一般而言,功率转换设备将从适当源(诸如,太阳能电池板的串)接收的DC输出转换成AC输出。AC输出可以是单相或三相正弦AC信号。逆变器系统可以包括作为DC到DC转换器的升压转换器以及本质上作为DC-AC转换器的逆变器。在操作中,升压转换器会将来自适当源的DC输出升压到期望DC输出电压。逆变器会以期望频率(诸如50或60赫兹)将DC输出电压转换成期望单相或三相输出电压。升压转换器和逆变器可以被一起封装在适当的密封且防风雨的外壳中。在一个实施例中,功率转换设备包括外壳、DC-DC转换电路和逆变器。DC-DC转换电路被配置成将第一DC信号转换成第二DC信号,并包括第一主切换电路,所述第一主切换电路具有在转换过程期间硬切换的碳化硅晶体管。逆变器被配置成将第二DC信号转换成正弦AC信号,并包括第二主切换电路,所述第二主切换电路具有在转换过程期间硬切换的碳化硅晶体管。第一和第二主切换电路两者的碳化硅晶体管可以与彼此 ...
【技术保护点】
一种功率转换设备,包括:外壳;DC‑DC转换电路,被配置成将第一DC信号转换成第二DC信号,并包括第一主切换电路,所述第一主切换电路具有在转换过程期间硬切换的碳化硅晶体管;以及逆变器,被配置成将第二DC信号转换成正弦AC信号,并包括第二主切换电路,所述第二主切换电路具有在转换过程期间硬切换的碳化硅晶体管。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.28 US 14/1938421.一种功率转换设备,包括:外壳;DC-DC转换电路,被配置成将第一DC信号转换成第二DC信号,并包括第一主切换电路,所述第一主切换电路具有在转换过程期间硬切换的碳化硅晶体管;以及逆变器,被配置成将第二DC信号转换成正弦AC信号,并包括第二主切换电路,所述第二主切换电路具有在转换过程期间硬切换的碳化硅晶体管。2.如权利要求1所述的功率转换设备,其中所述功率转换设备具有重量和能够超过1千瓦/千克的输出功率与重量比。3.如权利要求1所述的功率转换设备,其中所述功率转换设备具有重量和能够在约1千瓦/千克与3千瓦/千克之间实现的输出功率与重量比。4.如权利要求1所述的功率转换设备,其中针对第一和第二主切换电路两者的碳化硅晶体管中的至少两个直接与彼此并联耦合。5.如权利要求4所述的功率转换设备,其中所述第一主切换电路包括至少一个主信号路径,所述至少一个主信号路径包括在所述至少一个主信号路径中串联放置的一对并联碳化硅二极管。6.如权利要求1所述的功率转换设备,进一步包括:控制器,被配置成在DC到DC转换期间以70千赫兹与100千赫兹之间的频率在接通和关断状态之间切换所述第一主切换电路的碳化硅晶体管。7.如权利要求1所述的功率转换设备,进一步包括:控制器,被配置成在AC到DC转换期间以35千赫兹与60千赫兹之间的频率在接通和关断状态之间切换所述第二主切换电路的碳化硅晶体管。8.如权利要求1所述的功率转换设备,进一步包括第一控制器和第二控制器,并且其中:所述功率转换设备具有重量和能够在约1千瓦/千克与3千瓦/千克之间实现的输出功率与重量比;针对第一和第二主切换电路两者的碳化硅晶体管中的至少两个直接与彼此并联耦合;所述第一主切换电路包括至少一个主信号路径,所述至少一个主信号路径包括在所述至少一个主信号路径中串联放置的一对并联碳化硅二极管;所述第一控制器被配置成在DC到DC转换期间以70千赫兹与100千赫兹之间的频率在接通和关断状态之间切换所述第一主切换电路的碳化硅晶体管;以及所述第二控制器被配置成在AC到DC转换期间以35千赫兹与60千赫兹之间的频率在接通和关断状态之间切换所述第二主切换电路的碳化硅晶体管。9.一种升压转换器,包括:至少一个串联路径,耦合在输入与输出之间,并包括能量存储器件和至少一个串联连接的碳化硅二极管;对于所述至少一个串联路径中的每一个,分流电路,耦合在所述至少一个串联路径上的点与地之间,并包括直接与彼此并联耦合的至少两个碳化硅晶体管;以及控制器,被配置成在接通和关断状态之间切换所述分流电路,以提供所述输入与所述输出之间的DC到DC转换,使得在所述DC到DC转换期间在接通和关断状态之间对所述至少两个碳化硅晶体管进行硬切换。10.如权利要求9所述的升压转换器,其中所述至少一个串联连接的碳化硅二极管包括直接与彼此并联耦合的至少两个碳化硅二极管。11.如权利要求9所述的升压转换器,其中所述控制器被配置成以70千赫兹与100千赫兹之间的频率在接通和关断状态之间切换所述分流电路。12.如权利要求9所述的升压转换器,其中所述控制器被配置成以约75千赫兹的频率在接通和关断状态之间切换所述分流电路。13.如权利要求9所述的升压转换器,进一步包括印刷电路板,并且其中能量存储器件是连同所述至少一个串联路径和所述分流电路安装在所述印刷电路板上的串联电感器,并且所述升压转换器具有能够超过7千瓦/千克的输出功率与重量比。14.如权利要求9所述的升压转换器,进一步包括印刷电路板,并且其中能量存储器件是连同所述至少一个串联路径和所述分流电路安装在所述印刷电路板上的串联电感器,并且所述升压转换器具有能够在约7千瓦/千克与21千瓦/千克之间实现的输出功率与重量比。15.如权利要求9所述的升压转换器,其中所述至少一个串联路径包括多个串联路径,其中每一个串联路径包括作为所述能量存储器件的串联电感器,并且每一个分流电路的切换是交织的。16.如权利要求9所述的升压转换器,其中所述至少两个碳化硅晶体管是MO...
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