一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构制造技术

本发明专利技术公布了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为：一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子领域，具体涉及一种锗基半导体LDMOSFET器件结构。
技术介绍
基于硅基CMOS技术的集成电路发展迅速，硅基LDMOSFET器件在高频高压器件和集成电路领域的应用也逐步拓展。但是硅基LDMOSFET器件的射频性能、耐压能力仍需要进一步提升。目前随着锗半导体材料逐渐在硅基CMOS技术中的应用和外延技术的不断发展，锗基MOSFET器件特性取得了重大进展，如果将锗半导体材料引入硅基LDMOSFET器件中，必然会对提高器件的射频性能和耐压能力有巨大帮助。采用锗作为沟道材料，采用硅锗作为漂移层的LDMOSFET器件比将给LDMOSFET器件带来巨大的性能提升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种应用硅锗材料作为锗基LDMOSFET器件降场层的器件结构，利用硅锗与硅材料的能带带阶来使得器件在漏栅之间的电势分布发生变化。从而提高器件的击穿电压，并提高器件的射频特性。本专利技术提供了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。根据本方案所述的一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其特征在于LDMOSFET器件的漂移层采用硅锗与锗材料相互间隔生长的外延层材料。根据本方案所述的一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其特征在于LDMOSFET器件采用了P型掺杂的硅锗材料作为降场层。根据本方案所述的一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其特征在于N型掺杂的锗漂移层厚度为20纳米。根据本方案所述的一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其特征在于硅锗降场层为30纳米。根据本方案所述的一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其特征在于重N型掺杂的锗欧姆接触层的厚度为50纳米，掺杂浓度为5×1018cm-3。有益效果本专利技术采用硅锗作为漂移层和降场层，采用凹栅槽结构，降低了器件制作过程中对外延材料的依赖性。制作的LDMOSFET器件，结构和工序简单。便于制造。采用硅锗双层漂移层结构可以有效地增大电子的漂移速率，采用锗半导体材料作为器件的沟道层，提高沟道迁移率，提高器件的射频特性的同时，提高器件的耐压能力。附图说明图1本专利技术提出的一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构。具体实施例下面结合图1对本专利技术进行详细说明。本实施例提出的一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为一P型锗沟道层(101)；一N型掺杂的锗漂移层(102)；一重N型掺杂的锗欧姆接触层(103)；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层(102-2)；一P型掺杂的硅锗漂降场层(104)；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层(105)；一在栅槽内形成的栅金属层(106)；一在源漏区域形成的源漏金属电极(107)。在本实施例中，LDMOSFET器件的漂移层采用硅锗(102-2)与锗(102)材料相互间隔生长的外延层材料。在本实施例中，LDMOSFET器件采用了P型掺杂的硅锗材料作为降场层,掺杂浓度为5×1017cm-3。在本实施例中，N型掺杂的锗漂移层(102-2)厚度为20纳米。在本实施例中，硅锗将场层(104)厚度为30纳米。在本实施例中，重N型掺杂的锗欧姆接触层(103)的厚度为50纳米，掺杂浓度为5×1018cm-3。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。2.根据权利要求1所述的一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其特征在于LDMOSFET器件的漂移层采用硅锗与锗材料相互间隔生长的外延层材料。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，王瑛，丁超，
申请(专利权)人：东莞华南设计创新院，广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44