本发明专利技术公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括基板、在基板上的显示部以及由显示部的边沿延伸的非显示部，非显示部包括：在基板上的复合金属层；在复合金属层上的平坦层；在平坦层中将部分复合金属层暴露的第一通孔；在平坦层上的公共电极层；覆盖公共电极层以及暴露的复合金属层的钝化层；在钝化层中的第二通孔和第三通孔，第二通孔将部分复合金属层暴露，第三通孔将部分公共电极层暴露；在钝化层上的电连接层，电连接层分别填充第二通孔和第三通孔，以分别与复合金属层和公共电极层接触。由于在钝化层的制作过程中，可将钝化层接触的复合金属层表面形成的金属氧化物去除，从而改善复合金属层和公共电极层的接触状况，进而提升产品品质。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于液晶显示
，具体地讲，涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶面板。
技术介绍
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。目前，作为LCD的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜三极管(a-Si TFT)，但a-Si TFT LCD在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(Lower Temperature Polycrystal Silicon，LTPS)TFT LCD与a-Si TFT LCD相比，在满足上述要求方面，具有明显优势。然而，在现有的LTPS阵列基板的制作过程中，公共电压信号是通过LTPS阵列基板的显示区(即AA区)周边的平坦层(PLN)中的过孔传送至公共电极的，而周边的平坦层下方的信号线是由复合金属结构(例如Ti/Al/Ti结构)形成的，但是Ti(钛)金属在制程环境以及后制程(如烘烤)环境中易发生氧化，从而形成TiOx，而TiOx电阻值较高且不易去除，易造成公共电压信号输入异常，从而造成产品显示特性不佳。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括：基板、设置在所述基板上的显示部以及由所述显示部的边沿延伸的非显示部，所述显示部包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，所述非显示部包括：在基板上的复合金属层；在所述复合金属层上的平坦层；在所述平坦层中的第一通孔，所述第一通孔将部分复合金属层暴露；在所述平坦层上的公共电极层；覆盖所述公共电极层以及暴露的复合金属层的钝化层；在所述钝化层中的第二通孔和第三通孔，所述第二通孔将部分复合金属层暴露，所述第三通孔将部分公共电极层暴露；在所述钝化层上的电连接层，所述电连接层分别填充所述第二通孔和所述第三通孔，以分别与暴露的复合金属层和暴露的公共电极层接触。进一步地，所述复合金属层包括：依次设置在所述基板上的第一金属层、第二金属层和第三金属层。进一步地，所述第一金属层和所述第三金属层采用钛制成，所述第二金属层采用铝制成。进一步地，所述显示部还包括与每个低温多晶硅薄膜晶体管的漏极相连接的像素电极，所述像素电极与所述电连接层同时形成，且所述像素电极与所述电连接层彼此独立。进一步地，所述像素电极和所述电连接层均采用氧化铟锡制成。本专利技术的另一目的还在于提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：在基板上形成显示部以及由所述显示部的边沿延伸的非显示部；所述显示部的具体制作方法包括：在基板上形成阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，所述非显示部的具体制作方法包括：在基板上形成复合金属层；在所述复合金属层上形成平坦层；在所述平坦层中形成第一通孔；所述第一通孔将部分复合金属层暴露；在所述平坦层上形成公共电极层；形成覆盖所述公共电极层以及暴露的复合金属层的钝化层；在所述钝化层中形成第二通孔和第三通孔；所述第二通孔将部分复合金属层暴露，所述第三通孔将部分公共电极层暴露；在所述钝化层上形成电连接层；所述电连接层分别填充所述第二通孔和所述第三通孔，以分别与暴露的复合金属层和暴露的公共电极层接触。进一步地，在基板上形成所述复合金属层的具体方法包括：在所述基板上利用钛材料形成第一金属层；在所述第一金属层上利用铝材料形成第二金属层；在所述第二金属层上利用钛材料形成第三金属层。进一步地，所述显示部的具体制作方法还包括：形成与每个低温多晶硅薄膜晶体管的漏极相连接的像素电极；其中，所述像素电极与所述电连接层同时形成，且所述像素电极与所述电连接层彼此独立。进一步地，利用氧化铟锡同时形成所述像素电极和所述电连接层。本专利技术的又一目的又在于提供一种液晶面板，包括对盒设置的彩膜基板和低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板为上述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，或者利用上述的制作方法制成所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板。本专利技术的有益效果：由于在第一通孔暴露的部分复合金属层上直接形成钝化层，而在钝化层的制作过程中，可以有效地将由第一通孔暴露的部分复合金属层的顶层金属氧化物(即第三金属层的表面上的金属氧化物)去除，从而改善复合金属层和公共电极层的接触状况，进而提升产品品质。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的俯视图；图2是根据本专利技术的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管和像素电极的结构示意图；图3是图1中的A-A向剖面图；图4是根据本专利技术的实施例的非显示部的制作方法的流程图；图5是根据本专利技术的实施例的液晶面板的结构示意图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。图1是根据本专利技术的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的俯视图。图2是根据本专利技术的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管和像素电极的结构示意图。图3是图1中的A-A向剖面图。参照图1至图3，根据本专利技术的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板包括：基板100、设置在基板100上的显示部(或称显示区)200以及由显示部200的边沿延伸的非显示部(或称非显示区)300。具体而言，基板100可以为透明的玻璃基板或者树脂基板。显示部200和非显示部300设置在基板100的同一表面上。在低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制程过程中，显示部200和非显示部300同时形成在基板100的同一表面上。通常，显示部200包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管210以及与每个低温多晶硅薄膜晶体管210的漏极211连接的像素电极220。当然，需要说明的是，显示部200中也可以包括交错设置的数据线和栅极线以及其他必要的元件。以下将对非显示部300进行详细地描述。继续参照图1至图3，非显示部300包括：复合金属层310、平坦层320、公共电极层330、钝化层340以及电连接层350。具体地，复合金属层310设置在基板100上。需要说明的是，复合金属层310与低温多晶硅薄膜晶体管210的栅极(未示出)同时形成。进一步地，作为一种优选，复合金属层310包括：依次设置在基板100上的第一金属层311、第二金属层312和第三金属层313，但本专利技术并不限制于此，例如复合金属层310可以包括两层金属层、四层金属层或者更多层金属层。在本实施例中，优选地，第一金属层311和第三金属层313由钛(Ti)制成，而第二金属层312由铝(Al)制成；但本专利技术并不限制于此，例如这三层金属层也可以利用其它的导电金属材料制成。这样，复合金属层310和低温多晶硅薄膜晶体管210的栅极均具有Ti/Al/Ti金属结构。平本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括：基板、设置在所述基板上的显示部以及由所述显示部的边沿延伸的非显示部，所述显示部包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述非显示部包括：在基板上的复合金属层；在所述复合金属层上的平坦层；在所述平坦层中的第一通孔，所述第一通孔将部分复合金属层暴露；在所述平坦层上的公共电极层；覆盖所述公共电极层以及暴露的复合金属层的钝化层；在所述钝化层中的第二通孔和第三通孔，所述第二通孔将部分复合金属层暴露，所述第三通孔将部分公共电极层暴露；在所述钝化层上的电连接层，所述电连接层分别填充所述第二通孔和所述第三通孔，以分别与暴露的复合金属层和暴露的公共电极层接触。
【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括：基板、设置在所述基板上的显示部以及由所述显示部的边沿延伸的非显示部，所述显示部包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述非显示部包括：在基板上的复合金属层；在所述复合金属层上的平坦层；在所述平坦层中的第一通孔，所述第一通孔将部分复合金属层暴露；在所述平坦层上的公共电极层；覆盖所述公共电极层以及暴露的复合金属层的钝化层；在所述钝化层中的第二通孔和第三通孔，所述第二通孔将部分复合金属层暴露，所述第三通孔将部分公共电极层暴露；在所述钝化层上的电连接层，所述电连接层分别填充所述第二通孔和所述第三通孔，以分别与暴露的复合金属层和暴露的公共电极层接触。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述复合金属层包括：依次设置在所述基板上的第一金属层、第二金属层和第三金属层。3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第三金属层采用钛制成，所述第二金属层采用铝制成。4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述显示部还包括与每个低温多晶硅薄膜晶体管的漏极相连接的像素电极，所述像素电极与所述电连接层同时形成，且所述像素电极与所述电连接层彼此独立。5.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述电连接层均采用氧化铟锡制成。6.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：在基板上形成显示部以及由所述显示部的边沿延伸的非显示部；所述显示部的具体制作方法包括：在基板上形成阵列...
【专利技术属性】
技术研发人员：张占东，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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