一种平面场阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种平面场阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，当该平面场阵列基板应用于包括液晶层的显示装置时，能够使对应数据线和/或栅线的位置处液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。该平面场阵列基板包括数据线、栅线、像素电极、公共电极，以及第一电极和/或第二电极，且第一电极与数据线的位置相对应，第二电极与栅线的位置相对应；第一电极与数据线、第二电极与栅线能够在平面场阵列基板未设置衬底基板的一侧形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种平面场阵列基板及显示装置。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因其所具有的功耗低、外形轻薄以及无辐射等特点而倍受工程师青睐，因此已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。液晶显示器通常包括VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式、TN(Twist Nematic，扭曲向列)模式以及平面场模式。其中，平面场模式一般包括ADS(Advanced-Super Dimensional Switching，高级超维场开关)型、IPS(In Plane Switch，横向电场效应)型、FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)等。该平面场模式的显示装置中液晶分子的配向与显示面板所在的平面几乎平行，在电场的作用下，液晶分子会发生单向流动性，进而造成显示面板中出现液晶分子单侧堆积的现象，从而使得显示器亮度不均匀。现有技术中，通过一般采用减少液晶分子总量、降低老化温度、或者降低液晶分子的偏转电压等方式来减少上述液晶分子单侧堆积的现象，但是上述方法均不能从本质上减小液晶分子的单向流动性，而且还会对显示装置带来不良的影响。例如，上述通过降低液晶分子的偏转电压，降低电场的强度，以达到降低液晶分子单侧堆积的现象，但是采用该方法会使得显示画面的灰阶降低，进而影响显示画面的品质。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种平面场阵列基板及显示装置，当该平面场阵列基板应用于包括液晶层的显示装置时，能够使对应数据线和/或栅线的位置处液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例提供一种平面场阵列基板，包括设置于衬底基板上的数据线、栅线、像素电极以及公共电极，所述平面场阵列基板还包括第一电极和/或第二电极，且所述第一电极与所述数据线的位置相对应，所述第二电极与所述栅线的位置相对应；其中，所述第一电极与所述数据线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转；所述第二电极与所述栅线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧能够形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转。进一步的，所述第一电极和所述第二电极为同层设置的一体电极。进一步的，所述第一电极位于所述数据线背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极包括多个第一条状子电极；和/或，所述第二电极位于所述栅线背离所述衬底基板的一侧，所述第二电极包括多个第一条状子电极进一步的，所述平面场阵列基板包括与像素单元位置对应的多个第二条状子电极的情况下，相邻所述第一条状子电极的间距与所述第一条状子电极的宽度之比为1:2至1:1之间，且所述第一条状子电极的宽度小于或等于所述第二条状子电极的宽度，相邻所述第一条状子电极的间距小于相邻所述第二条状子电极的间距。进一步的，所述第一电极和/或所述第二电极与所述公共电极同层同材料；或者，所述第一电极和/或所述第二电极与所述像素电极同层同材料。进一步的，所述平面场阵列基板还包括与所述公共电极电连接的公共电极线，且所述公共电极线与所述栅线同层同材料。进一步的，所述第一电极和/或所述第二电极，与所述公共电极线相连接，且与所述公共电极相连接。本专利技术实施例另一方面还提供一种显示装置，包括上述的平面场阵列基板。本专利技术实施例又一方面还提供一种显示装置，包括平面场阵列基板、对盒基板以及位于所述平面场阵列基板和所述对盒基板之间的液晶分子，所述平面场阵列基板包括设置于衬底基板上的数据线和栅线，其特征在于，所述对盒基板包括第一电极和/或第二电极，且所述第一电极与所述数据线的位置相对应，所述第二电极与所述栅线的位置相对应；其中，所述第一电极与所述数据线能够形成垂直电场以驱动所述液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转；所述第二电极与所述栅线能够形成垂直电场以驱动所述液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转。进一步的，所述第一电极和/或所述第二电极为面状电极。本专利技术实施例提供一种平面场阵列基板及显示装置，该平面场阵列基板，包括设置于衬底基板上的数据线、栅线、像素电极以及公共电极，平面场阵列基板还包括第一电极和/或第二电极，且第一电极与数据线的位置相对应，第二电极与栅线的位置相对应。当该平面场阵列基板应用于包括液晶层的显示装置时，数据线与第一电极能够在平面场阵列基板未设置衬底基板的一侧，即数据线对应的液晶层处，形成垂直电场以驱动该位置处的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转；栅线与第二电极能够在液晶层处，形成垂直电场以驱动栅线对应的液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。由于数据线和/或栅线位置对应液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转，从而能够阻挡像素电极对应位置处配向与平面场阵列基板几乎平行的液晶分子发生单向流动，进而能够防止液晶分子发生单侧堆积的现象。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种平面场阵列基板的结构示意图；图2为图1沿A-A’方向的剖面结构示意图；图3为图1沿B-B’方向的剖面结构示意图；图4a为本专利技术实施例提供的另一种平面场阵列基板的结构示意图；图4b为图4a沿C-C’方向的剖面结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种包括平面场阵列基板的显示装置的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种包括平面场阵列基板的显示装置的结构示意图。附图标记：01-平面场阵列基板；02-对盒基板；10-数据线；100-第一电极；101-衬底基板；110-第一条状子电极；120-第二条状子电极；20-栅线；200-第二电极；30-液晶层；300-一体电极；301-液晶分子；40-公共电极；401-公共电极线；50-像素电极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种平面场阵列基板，如图1所示，该平面场阵列基板01包括设置于衬底基板(图1中未示出)上的数据线10、栅线20、公共电极40以及像素电极50，平面场阵列基板01还包括第一电极100和/或第二电极200(图1是以同时设置第一电极100和第二电极200为例进行说明的)，且第一电极100与数据线200的位置相对应，第二电极200与栅线20的位置相对应。如图2(图1沿A-A’方向的剖视图)所示，当该平面场阵列基板01应用于包括液晶层30的显示装置时，数据线10与第一电极100能够在平面场阵列基板01未设置衬底基板101的一侧，即数据线10对应的液晶层30处，形成垂直电场以驱动该液晶层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面场阵列基板，包括设置于衬底基板上的数据线、栅线、像素电极以及公共电极，其特征在于，所述平面场阵列基板还包括第一电极和/或第二电极，且所述第一电极与所述数据线的位置相对应，所述第二电极与所述栅线的位置相对应；其中，所述第一电极与所述数据线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转；所述第二电极与所述栅线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧能够形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转。

【技术特征摘要】
1.一种平面场阵列基板，包括设置于衬底基板上的数据线、栅线、像素电极以及公共电极，其特征在于，所述平面场阵列基板还包括第一电极和/或第二电极，且所述第一电极与所述数据线的位置相对应，所述第二电极与所述栅线的位置相对应；其中，所述第一电极与所述数据线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转；所述第二电极与所述栅线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧能够形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转。2.根据权利要求1所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为同层设置的一体电极。3.根据权利要求1所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述第一电极位于所述数据线背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极包括多个第一条状子电极；和/或，所述第二电极位于所述栅线背离所述衬底基板的一侧，所述第二电极包括多个第一条状子电极。4.根据权利要求3所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述平面场阵列基板包括与像素单元位置对应的多个第二条状子电极的情况下，相邻所述第一条状子电极的间距与所述第一条状子电极的宽度之比为1:2至1:1之间，且所述第一条状子电极的宽度小于或等于所述第二条状子电极的宽度，相邻所述第一条状子电极的间距小于相邻所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋学兵，高吉磊，崔海月，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11