半导体装置用接合线制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置用接合线，其具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，该半导体装置用接合线能够进一步改善镀Pd引线框上的2nd接合性，并且能够实现在高湿加热条件下也优异的球接合性。一种半导体装置用接合线，具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，将线最表面中的Cu浓度设为1～10at％，在芯材中含有总计为0.1～3.0质量％的范围的元素周期表第10族的金属元素，由此能够实现2nd接合性的改善和高湿加热条件下的优异的球接合性。进而，优选表皮合金层的Au的最大浓度为15at％～75at％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及为连接半导体元件上的电极和外部连接端子而使用的半导体装置用接合线。
技术介绍
半导体元件上的电极与外部连接端子之间使用半导体用接合线(以下也称为“接合线”。)连接。为使接合线与作为半导体元件的硅芯片上的电极接合，进行并用超声波的热压接方式的球接合。另一方面，在将接合线与引线、焊盘(land)等的外部连接端子连接时，一般进行所谓的2nd接合，即，不形成球部而将接合线直接与电极接合。作为接合线，以往主要使用线径15～50μm左右、材质为高纯度4N(4-Nine，纯度为99.99质量％以上)的Au(金)的Au接合线(金接合线)。但是，伴随着近来的资源价格的高涨，作为Au接合线的原料的金的价格也猛涨，正在研究采用Cu(铜)作为代替Au的低成本的线坯料。但是，Cu与Au相比容易氧化，因此单纯的Cu接合线难以长期保管，2nd接合特性也并不良好。另外，在这样的单纯的Cu接合线的顶端形成球部时，必须设为还原气氛以使得球部不氧化。因此，为了解决Cu接合线的氧化这样的课题，曾提出了在Cu线表面被覆了贵金属的Cu接合线的方案。在专利文献1中，公开了在高纯度Cu极细线的表面被覆了Au、Pd等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置用接合线，其特征在于，包含：芯材，其以Cu为主成分，含有总计为0.1质量％以上3.0质量％以下的元素周期表第10族的金属元素；设置于该芯材表面的以Pd为主成分的被覆层；和设置于该被覆层表面的包含Au和Pd的表皮合金层，线最表面的Cu浓度为1at％以上10at％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.23 JP PCT/JP2015/0710021.一种半导体装置用接合线，其特征在于，包含：芯材，其以Cu为主成分，含有总计为0.1质量％以上3.0质量％以下的元素周期表第10族的金属元素；设置于该芯材表面的以Pd为主成分的被覆层；和设置于该被覆层表面的包含Au和Pd的表皮合金层，线最表面的Cu浓度为1at％以上10at％以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述元素周期表第10族的金属元素为选自Ni、Pd和Pt中的一种以上。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述元素周期表第10族的金属元素包含Ni。4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述以Pd为主成分的被覆层的厚度为20nm以上90nm以下，所述包含Au和Pd的表皮合金层的厚度为0.5nm以上40nm以下，Au的最大...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田隆，小田大造，大石良，宇野智裕，
申请(专利权)人：日铁住金新材料股份有限公司，新日铁住金高新材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP