【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种钝化接触电极的结构,尤其是一种高效晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构。
技术介绍
提升晶体硅电池效率,是有效降低太阳能电池片效率的手段之一。随着电池扩散工艺逐渐进步,低方阻均匀扩散电池已经可以在产线上实现,满足了降低太阳能电池发射极杂质,减少少子复合,从而提升电池电压的要求。同时,为了弥补金属接触发射极升高的接触电阻问题,选择发射极技术被广泛应用,主流的技术为激光制熔选择发射极技术。传统的激光制熔选择性发射极为以下制备步骤:第一步,如图1-1所示,硅衬底1a表面生长钝化层2a,一般为氮化硅薄膜;第二步,如图1-2所示,扩散掺杂溶液喷涂,形成掺杂涂层3a,主要为磷源或者硼源;第三部,如图1-3、图1-4所示,激光4a开口去除表面掺杂涂层3a,同时融化硅衬底,使掺杂物掺进硅衬底中,形成选择发射极5a;第四部,如图1-5所示,完成金属化,在开口处生长金属6a;方式一般为丝网印刷或电镀。上述工艺主要存在两个问题,第一,激光制熔带来半导体损伤,会降低电压;第二,形成的金属电极在硅衬底表面附着力较小,容易脱落。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构,钝化接触电极,同时防止金属扩散至硅衬底内形成复合中心,达到高效的目的。按照本技术提供的技术方案,所述晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构,其特征是:包括硅衬底,在硅衬底表面覆盖第一钝化层和第二钝化层;在所述硅衬底上设有槽体,槽体由第一钝化层的表面延伸至硅衬底内部,第二钝化层覆盖第一钝化层以及槽体的侧壁和底部;在所述槽体内嵌设有电极。进一步的,所述第 ...
【技术保护点】
一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构,其特征是:包括硅衬底(1),在硅衬底(1)表面覆盖第一钝化层(2)和第二钝化层(4);在所述硅衬底(1)上设有槽体(3),槽体(3)由第一钝化层(2)的表面延伸至硅衬底(1)内部,第二钝化层(4)覆盖第一钝化层(2)以及槽体(3)的侧壁和底部;在所述槽体(3)内嵌设有电极(5)。
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构,其特征是:包括硅衬底(1),在硅衬底(1)表面覆盖第一钝化层(2)和第二钝化层(4);在所述硅衬底(1)上设有槽体(3),槽体(3)由第一钝化层(2)的表面延伸至硅衬底(1)内部,第二钝化层(4)覆盖第一钝化层(2)以及槽体(3)的侧壁和底部;在所述槽体(3)内嵌设有电极(5)。2.如权利要求1所述的晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖博,
申请(专利权)人:无锡尚德太阳能电力有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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