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本实用新型涉及一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构，其特征是：包括硅衬底，在硅衬底表面覆盖第一钝化层和第二钝化层；在所述硅衬底上设有槽体，槽体由第一钝化层的表面延伸至硅衬底内部，第二钝化层覆盖第一钝化层以及槽体的侧壁和底部；在所述槽体内...
该专利属于无锡尚德太阳能电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡尚德太阳能电力有限公司授权不得商用。

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