【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总地涉及光活性材料,即在用红外(IR)、或紫外(UV)、或可见(VIS)辐射或还有致电离粒子激发后能够发射光子的材料。更具体地讲,本专利技术涉及掺杂颗粒(例如,微米尺寸或纳米尺寸的颗粒)形式的晶体光活性组合物,并涉及其生产方法。这种颗粒展示文献中被称为术语光子升频转换、光子降频转换、光子下频移和闪烁的非线性光学现象。
技术介绍
近年来,展示光活性性质且特别是非线性光学性质如升频转换的材料由于在生物医学、电信、光伏、传感器和照明中的许多潜在应用而受到广泛关注。众所周知,升频转换在于两个或更多个光子的依次吸收,其导致具有比激发光子的能量高的能量的光子的发射。降频转换的现象在于具有比激发光子的能量低的能量的两个或更多个光子的发射。当光子的吸收导致具有比激发光子的能量低的能量的单个光子的发射时,发生光子下频移的现象。最后,闪烁是可见光范围内的光子由致电离粒子和/或辐射产生的电子-空穴对的复合的发射。在文献中存在展示光子升频转换(通常从IR或近 IR (NIR)至VIS或NIR)和光子降频转换(通常从UV或VIS至VIS或NIR)的各种已知系统。通常,这些系统由掺杂一种或更多种离子的称为“基质(matrix)”或“基体(host)”的基底材料构成。通常,这类离子选自稀土元素系列:实际上镧系元素呈现“梯状”电子构型,其允许升频转换(和降频转换)的非线性光学现象发生。从结构的视角来说,现有技术中已知的基质呈现玻璃状结构或晶体结构。晶体基质可以块状晶体以及作为纳米颗粒或纳米晶体(NC)的形式来制备。然而,众所周知,表现最好的升频转换器基质基于晶体纳米颗粒(例如 ...
【技术保护点】
一种由通式(式1)代表的化合物:(Bi1‑(x+x +z)MxLnyYbz)2O3其中:M选自:Sc、Y、La、Lu、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Mn、Ti、V、Mo、Re、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、In、Al、Ga、Ta或其组合;Ln选自:Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或其组合;x可为0至约0.4的任何值;y可为0.0000001至约 0.1的任何值;z可为0.0000001至约 0.4的任何值;x、y和z为满足关系:x+y+z < 0.5的独立参数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.22 IT ITPD2013A0002361.一种由通式(式1)代表的化合物:(Bi1-(x+x +z)MxLnyYbz)2O3其中:M选自:Sc、Y、La、Lu、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Mn、Ti、V、Mo、Re、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、In、Al、Ga、Ta或其组合;Ln选自:Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或其组合;x可为0至约0.4的任何值;y可为0.0000001至约 0.1的任何值;z可为0.0000001至约 0.4的任何值;x、y和z为满足关系:x+y+z < 0.5的独立参数。2.如权利要求1中所述的化合物,其特征在于所述化合物展示选自以下的一种或更多种光学现象:电磁辐射的升频转换、降频转换、下频移;暴露于致电离辐射或粒子下的闪烁。3.如权利要求1或2中所述的化合物,其特征在于:M选自:Y、Li、Sr、Mn、Ni、In、Al、Ga、Ta或其组合;Ln选自:Er、Tm、Sm、Pr、Dy、Ho或其组合。4.如前述权利要求中一项或更多项中所述的化合物,其特征在于所述化合物的发射光谱或吸收光谱是借助式1中的参数Ln、M、x、y、z的合适选择可调节的,所述选择以使得在所述化合物的结构中诱导带隙的变化或晶体场的变化或晶相的变化或其组合的这样的方式进行。5.如前述权利要求中一项或更多项中所述的化合物,其特征在于所述化合物的结构选自:块状晶体、纳米颗粒、纳米棒、纳米线、量子线、量子阱、纳米结构晶体材料或其组合。6.一种光活性材料,其包含一种或更多种根据前述权利要求中任一项所述的化合物。7.根据权利要求6所述的光活性材料在升频转换器、降频转换器或下频移器设备中作为辐射转换器用于将光谱和峰值波长E1(λ)的激发辐射转换成光谱E2(λ)的发射辐射的用途,其中所述辐射选自:红外电磁辐射、紫外辐射、可见辐射或其组合。8.根据权利要求6所述的光活性材料在闪烁检测器中作为敏感元件用于检测致电离辐射或致电离粒子的用途。9.根据权利要求6所述的光活性材料在光伏设备中的用途。10.根据权利要求6所述的光活性材料优选在光动力疗法或在生物成像中作为人类疾病的诊断手段、治疗手段或处理手段的用途。11.根据权利要求6所述的光活性材料在防伪设备或系统中的用途。12.一种用于制备根据权利要求1至5中任一项所述的化合物的方法,所述方法包括以下步骤:将包含铋盐、镱盐和...
【专利技术属性】
技术研发人员:M拜克,R马林,N马祖科,
申请(专利权)人:BEP有限责任公司,M·拜克,R·马林,N·马祖科,
类型:发明
国别省市:意大利;IT
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